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公开(公告)号：CN104350617A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201380029834.9
申请日：2013-06-07
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L27/15 , H01L25/167 , H01L33/483 , H01L33/486 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种发光装置。即便为在安装基板内置ESD保护元件的结构，也能够防止发光元件的发光效率的降低，并且能够防止发光元件的安装不良的产生。发光装置(10)具备：发光元件(2)；以及安装基板(11)，该安装基板(11)具有安装发光元件(2)的第一面(11A)、以及与第一面(11A)相对置的第二面(11B)，该安装基板(11)具备设置于第二面(11B)侧并与发光元件(2)连接的半导体静电放电保护元件部(15)。
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公开(公告)号：CN102859734A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180019897.7
申请日：2011-04-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/39 , H03K17/96
CPC classification number: H01L41/094 , H01L41/1873 , H01L41/316 , H01L41/331 , Y10T29/42
Abstract: 本发明提供一种压电致动器以及压电致动器的制造方法。在基底基板(11)形成有固定电极(12)。在基底基板(11)的表面形成有电介质层(13)。在电介质层(13)的表面形成有至少一部分为与基底基板(11)分离的形状的下部电极(14)。在下部电极(14)的表面形成有压电体层(15)。在压电体层(15)的表面侧形成有上部电极(16)。由于因压电驱动电压的施加所引起的压电体层(15)的形变，使得上部电极(16)或者下部电极(14)的至少一部分成为可动的可动电极。从而实现与以往相比能以简单的构成以及简单的制造流程形成的压电致动器。
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公开(公告)号：CN111742404A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201980014439.0
申请日：2019-02-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具备：具有第一面和位于与第一面的相反侧的第二面的基板；被设置在第一面侧的第一元件；以及被设置在上述第一面侧且俯视状态下设置在第一元件的周围的第一树脂层。基板具有布线层。第一元件具有半导体层、位于半导体层的与基板对置的面侧的电极部、以及隔着半导体层而位于与电极部的相反侧的绝缘层。电极部与布线层连接。第一树脂层距第一面的高度高于第一元件距第一面的高度。
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公开(公告)号：CN105210179A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480025922.6
申请日：2014-03-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/329 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/861 , H01L29/866 , H01L29/868 , H01L33/48
CPC classification number: H01L25/167 , H01L23/481 , H01L23/585 , H01L23/60 , H01L27/0248 , H01L27/0694 , H01L29/866 , H01L33/62
Abstract: 本发明涉及静电保护元件以及发光模块。静电保护元件(10)具备由高电阻的半导体材料构成的基体(20)。在基体(20)的第一主面沿第一方向空出间隔形成有外部连接用焊盘(22、23)。在基体(20)的第一主面通过半导体工艺而形成二极管部(30)。二极管部(30)沿第一方向被形成在外部连接用焊盘(22、23)的形成区域之间。高浓度区域(40)与基体(20)的极性相同，是比基体(20)更多包含杂质的区域。高浓度区域(40)在俯视基体(20)时是环状，且以包围二极管部(30)的形状形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103380502B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201280009530.1
申请日：2012-03-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/62 , H01L25/167 , H01L27/0248 , H01L27/156 , H01L33/486 , H01L2224/16 , H01L2924/12032 , H01L2924/00
Abstract: 本发明以比较简单的制造工序来实现散热性优异、具有高机械强度的发光元件用基座基板以及具备该发光元件用基座基板的LED器件。发光元件用基座基板（100）的基体（101）由低电阻n型硅基板所构成，被绝缘层（105）分割为第1独立基体（111）和第2独立基体（112）。在第1独立基体（111）的表面形成有第1表面侧安装用电极（108A）。在第1独立基体（111）的背面形成有第1外部连接用电极（103A）。在第2独立基体（112）的表面形成有第2表面侧安装用电极（108B）。在第2独立基体（112）的背面形成有第2外部连接用电极（103B）。俯视情况下，绝缘层（105）是与一直线状不同的形状。
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公开(公告)号：CN102859734B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201180019897.7
申请日：2011-04-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/39 , H03K17/96
CPC classification number: H01L41/094 , H01L41/1873 , H01L41/316 , H01L41/331 , Y10T29/42
Abstract: 本发明提供一种压电致动器以及压电致动器的制造方法。在基底基板(11)形成有固定电极(12)。在基底基板(11)的表面形成有电介质层(13)。在电介质层(13)的表面形成有至少一部分为与基底基板(11)分离的形状的下部电极(14)。在下部电极(14)的表面形成有压电体层(15)。在压电体层(15)的表面侧形成有上部电极(16)。由于因压电驱动电压的施加所引起的压电体层(15)的形变，使得上部电极(16)或者下部电极(14)的至少一部分成为可动的可动电极。从而实现与以往相比能以简单的构成以及简单的制造流程形成的压电致动器。
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公开(公告)号：CN103380502A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201280009530.1
申请日：2012-03-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/62 , H01L25/167 , H01L27/0248 , H01L27/156 , H01L33/486 , H01L2224/16 , H01L2924/12032 , H01L2924/00
Abstract: 本发明以比较简单的制造工序来实现散热性优异、具有高机械强度的发光元件用基座基板以及具备该发光元件用基座基板的LED器件。发光元件用基座基板（100）的基体（101）由低电阻n型硅基板所构成，被绝缘层（105）分割为第1独立基体（111）和第2独立基体（112）。在第1独立基体（111）的表面形成有第1表面侧安装用电极（108A）。在第1独立基体（111）的背面形成有第1外部连接用电极（103A）。在第2独立基体（112）的表面形成有第2表面侧安装用电极（108B）。在第2独立基体（112）的背面形成有第2外部连接用电极（103B）。俯视情况下，绝缘层（105）是与一直线状不同的形状。
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公开(公告)号：CN119999346A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380070443.5
申请日：2023-06-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供的电容器内置片材(1)具有：导体层(200)和设置在导体层(200)上的多孔质层(100)，多孔质层(100)具备：电容器部(120)，具备设置于多孔质层(100)的多孔质结构(101)的金属层(121)－电介质层(122)－金属层(123)的结构；通孔部(110)，在多孔质层(100)的多孔质结构(101)中填充有导体(111)；以及多孔质绝缘部(130)，设置在通孔部(110)的周围，在多孔质结构(101)中未填充导体，导体层(200)具备：金属导体(230)；第一导通孔部(210)，贯通通孔部(100)正下方的金属导体(230)，与通孔部(110)连接；以及第一绝缘部(220)，设置在第一导通孔部(210)的周围，使第一导通孔部(210)与金属导体(230)绝缘。
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公开(公告)号：CN111742404B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN201980014439.0
申请日：2019-02-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具备：具有第一面和位于与第一面的相反侧的第二面的基板；被设置在第一面侧的第一元件；以及被设置在上述第一面侧且俯视状态下设置在第一元件的周围的第一树脂层。基板具有布线层。第一元件具有半导体层、位于半导体层的与基板对置的面侧的电极部、以及隔着半导体层而位于与电极部的相反侧的绝缘层。电极部与布线层连接。第一树脂层距第一面的高度高于第一元件距第一面的高度。
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