公开(公告)号：CN101625920A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910141064.2

申请日：2009-05-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 向山和孝 ,  川合浩史 ,  矢谷直人 ,  稻井诚 ,  滨田显德

IPC: H01F17/00 ,  H01F27/00 ,  H01F41/10

CPC classification number: H01F17/0013 ,  H01F27/40 ,  H01F2017/0046 ,  H01F2017/0073 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H01P1/215 ,  H03H2001/0092 ,  H01L2924/00

Abstract: 谋求提供一种具有高结构强度和高Q值的电感器。电感器(10)具备气桥部(12)和气桥部(13)。气桥部(12)在基板(1)上的多个支撑位置(11)之间，以从基板(1)浮起的状态来架设。气桥部(13)在气桥部(12)上的多个支撑位置(11)之间，以从第1气桥部(12)浮起的状态来架设。由此并联连接气桥部(12)与气桥部(13)，分散电流，分别减低了气桥部(12)及气桥部(13)的各自之中的导体损失。

公开(公告)号：CN101625920B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200910141064.2

申请日：2009-05-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 向山和孝 ,  川合浩史 ,  矢谷直人 ,  稻井诚 ,  滨田显德

IPC: H01F17/00 ,  H01F27/00 ,  H01F41/10

CPC classification number: H01F17/0013 ,  H01F27/40 ,  H01F2017/0046 ,  H01F2017/0073 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H01P1/215 ,  H03H2001/0092 ,  H01L2924/00

Abstract: 谋求提供一种具有高结构强度和高Q值的电感器。电感器(10)具备气桥部(12)和气桥部(13)。气桥部(12)在基板(1)上的多个支撑位置(11)之间，以从基板(1)浮起的状态来架设。气桥部(13)在气桥部(12)上的多个支撑位置(11)之间，以从第1气桥部(12)浮起的状态来架设。由此并联连接气桥部(12)与气桥部(13)，分散电流，分别减低了气桥部(12)及气桥部(13)的各自之中的导体损失。

公开(公告)号：CN1519875A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200310122590.7

申请日：2003-12-12

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川合浩史

IPC: H01H13/702

CPC classification number: H01H59/0009 ,  H01G5/16 ,  H01G5/40 ,  H01H2001/0078 ,  H01H2001/0084 ,  H01P1/127

Abstract: 一种RF－MEMS开关包括其之间在RF信号传导单元的RF信号传导的方向上有间距地设置在该RF信号传导单元上面的多个可移动电极。该开关设置了可移动电极移动单元，用来使所有可移动电极同时向接近或离开RF信号传导单元的相同方向移动。夹在可移动电极之间的RF信号传导单元的电气长度用以下状态设定，当可移动电极从离开RF信号长度单元方向移动且RF信号传导单元的信号传导被接通时，使得由包含在面向可移动电极的RF信号传导单元位置处反射的信号的混合信号的振幅小于在面向可移动电极的RF信号传导单元位置处反射的每个信号的振幅。

公开(公告)号：CN100472690C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200310122590.7

申请日：2003-12-12

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川合浩史

IPC: H01H13/702

CPC classification number: H01H59/0009 ,  H01G5/16 ,  H01G5/40 ,  H01H2001/0078 ,  H01H2001/0084 ,  H01P1/127

Abstract: 一种RF-MEMS开关包括其之间在RF信号传导单元的RF信号传导的方向上有间距地设置在该RF信号传导单元上面的多个可移动电极。该开关设置了可移动电极移动单元，用来使所有可移动电极同时向接近或离开RF信号传导单元的相同方向移动。夹在可移动电极之间的RF信号传导单元的电气长度用以下状态设定，当可移动电极从离开RF信号长度单元方向移动且RF信号传导单元的信号传导被接通时，使得由包含在面向可移动电极的RF信号传导单元位置处反射的信号的混合信号的振幅小于在面向可移动电极的RF信号传导单元位置处反射的每个信号的振幅。

公开(公告)号：CN1269610A

公开(公告)日：2000-10-11

申请号：CN00106481.9

申请日：2000-04-07

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 门田道雄 ,  川合浩史 ,  吾乡纯也 ,  堀内秀哉 ,  根来泰宏

IPC: H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H03H9/64

CPC classification number: H03H9/02669

Abstract: 本发明揭示了一种边缘反射型声表面波器件,包含由压电单晶制成,并具有第一和第二相对边缘的声表面波基片,至少一个设置在声表面波基片上的叉指式换能器。如此构成声表面波器件,从而切向水平型声表面波在第一和第二相对边缘之间反射。声表面波基片由离子注入的压电单晶基片制成。