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公开(公告)号：CN107923848A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680051142.8
申请日：2016-08-16
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G01N21/61 , G01N21/3504
Abstract: 气体浓度检测装置(1)具备气体浓度检测器(40)、外壳(30)、以及设置为从外壳(30)的底部(11)朝向外部突出的风向引导板部(91)，外壳(30)包括导入孔(16)和导出孔(17)，导入孔(16)以及导出孔(17)设置在外壳的底部(11)，使得夹着风向引导板部(91)，气体浓度检测器(40)从外壳(30)的底部(11)隔开给定的距离进行配置，使得至少一部分与风向引导板部(91)对置，并且与外壳(30)的底部(11)对置。在气体浓度检测装置(1)设置有将形成在气体浓度检测器(40)与外壳(30)的底部(11)之间的空间分隔为导入孔(16)侧的空间和导出孔(17)侧的空间的分隔部(92)。
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公开(公告)号：CN1402427A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02131508.6
申请日：2002-08-14
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/02984 , H03H9/02669
Abstract: 提供一种不会导致插入损失恶化、可扩大频带外衰减量的端面反射型表面波滤波器。一种利用SH型表面波的纵向耦合谐振器型表面波滤波器1，在压电基片2的上表面2a中，隔开预定距离彼此平行地形成第1、第2沟2b、2c，在沟2b、2c之间形成用于构成纵向耦合谐振器型表面波滤波器的IDT5、6，形成第1、第2沟2b、2c的IDT的侧的侧面2b1、2c1构成反射面，在压电基片2的上表面2a中，(a)形成树脂覆盖层3，以便覆盖至少形成IDT5、6的区域和第1、第2沟2b、2c的至少其中之一，且进入一个沟2b中，或者(b)形成SiO2膜制成的保护层，以便覆盖IDT5、6。
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公开(公告)号：CN1244198C
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN02131508.6
申请日：2002-08-14
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/02984 , H03H9/02669
Abstract: 提供一种不会导致插入损失恶化、可扩大频带外衰减量的端面反射型表面波滤波器。一种利用SH型表面波的纵向耦合谐振器型表面波滤波器1，在压电基片2的上表面2a中，隔开预定距离彼此平行地形成第1、第2沟2b、2c，在沟2b、2c之间形成用于构成纵向耦合谐振器型表面波滤波器的IDT5、6，形成第1、第2沟2b、2c的IDT的侧的侧面2b1、2c1构成反射面，在压电基片2的上表面2a中，(a)形成树脂覆盖层3，以便覆盖至少形成IDT5、6的区域和第1、第2沟2b、2c的至少其中之一，且进入一个沟2b中，或者(b)形成SiO2膜制成的保护层，以便覆盖IDT5、6。
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公开(公告)号：CN1343044A
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：CN01132669.7
申请日：2001-09-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/6483 , H03H9/02669 , H03H9/14552 , H03H9/6436 , H03H9/6463 , Y10T29/42 , Y10T29/49004 , Y10T29/49005 , Y10T29/49011 , Y10T29/4908 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913
Abstract: 一种调节边沿反射型表面声波器件频率特性的方法,包括获得具有压电基片的边沿反射型表面声波器件的频率特性的步骤。边沿反射型表面声波器件的一对压电基片边沿限定了其间的预定距离。接着,在一对位置的至少一个位置上切割压电基片,当边沿反射型表面声波器件的最终频率特性要高于得到的频率特性时,该位置限定的距离便短于预定距离;而当边沿反射型表面声波器件的最终频率特性要低于得到的频率特性时,该位置限定的距离则长于预定距离。
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公开(公告)号：CN1204891A
公开(公告)日：1999-01-13
申请号：CN98115451.4
申请日：1998-07-07
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/64
CPC classification number: H03H9/6436 , H03H9/02669 , H03H9/02716 , H03H9/02771 , H03H9/02795 , H03H9/6446 , H03H9/6469 , H03H9/6483
Abstract: 一种声表面波器件,包括具有第一和第二端面的声表面波基片,和设置在声表面波基片上,并使用SH型声表面波工作的声表面波元件。声表面波元件包括具有多个电极叉指的叉指换能器和具有多个电极叉指的反射器。一对最外面的电极叉指中的一个叉指和声表面波基片的第一和第二端面中的一个端面齐平,反射器位于放置一对最外面的电极叉指中的另一个叉指的一侧,从而由IDT激励的SH型声表面波被限制在反射器和第一和第二端面的一个端面之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1136728A
公开(公告)日：1996-11-27
申请号：CN96101793.7
申请日：1996-03-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/02669 , H03H9/1452
Abstract: 一种自由边缘反躲藏式表面波谐振器，用以在压电基片两对置的自由边缘之间反射SH型表面波，具有两自由边缘对置着的压电基片和一个用宽度重叠加权法或电极薄化法加权过的IDT(叉指换能器)。加权进行得使主波瓣的衰减点处在电极叉指对数与经加权IDT的相同的正规型IDT衰减点的频率外，且得出因主波瓣引起的谐振特性和因正规型IDT的衰减点引起的谐振特性。
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公开(公告)号：CN107923848B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201680051142.8
申请日：2016-08-16
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: G01N21/61 , G01N21/3504
Abstract: 气体浓度检测装置(1)具备气体浓度检测器(40)、外壳(30)、以及设置为从外壳(30)的底部(11)朝向外部突出的风向引导板部(91)，外壳(30)包括导入孔(16)和导出孔(17)，导入孔(16)以及导出孔(17)设置在外壳的底部(11)，使得夹着风向引导板部(91)，气体浓度检测器(40)从外壳(30)的底部(11)隔开给定的距离进行配置，使得至少一部分与风向引导板部(91)对置，并且与外壳(30)的底部(11)对置。在气体浓度检测装置(1)设置有将形成在气体浓度检测器(40)与外壳(30)的底部(11)之间的空间分隔为导入孔(16)侧的空间和导出孔(17)侧的空间的分隔部(92)。
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公开(公告)号：CN100388624C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200410047475.2
申请日：2001-09-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/6483 , H03H9/02669 , H03H9/14552 , H03H9/6436 , H03H9/6463 , Y10T29/42 , Y10T29/49004 , Y10T29/49005 , Y10T29/49011 , Y10T29/4908 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913
Abstract: 一种制造边沿反射型表面声波器件的方法，该方法包括步骤在压电基片上制成多个交指换能器；制成多个边沿反射型表面声波器件中至少一个的两个相对的边沿；在不与所述多个边沿反射型表面声波器件中至少一个的所述两个相对的边沿的制成位置相对应的位置处，制成所述多个边沿反射型表面声波器件中另一个的两个相对边沿；其中上述至少一个叉指换能器是具有15到80对电极的单电极型叉指换能器，且将在表面声波的传播方向的外侧与同所述叉指换能器的每个最外侧电极指相邻的电极指中心相隔开λ/2的位置设置为基准位置；并依据电极的对数来调整频率。
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公开(公告)号：CN1450685A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03122692.2
申请日：2003-04-03
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/02669 , H03H9/0033 , H03H9/6426 , H03H9/6459
Abstract: 本发明提供一种不怎么影响主传播波模并能有效地抑制因横波模引起的脉动的纵向耦合谐振器型表面波装置。纵向耦合谐振器型表面波装置(1)，在表面波基板(2)上，沿表面波传播方向配置分别具有多根电极指的IDT(3、4)，在相邻的IDT(3、4)的邻接电极指(3、4)，在交叉宽度方向中央附近设置电不连接部A，在该电不连接部A沿交叉宽度方向配置至少一个浮置电极(5)。
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公开(公告)号：CN1094678C
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN96101793.7
申请日：1996-03-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/02669 , H03H9/1452
Abstract: 一种自由边缘反躲藏式表面波谐振器，用以在压电基片两对置的自由边缘之间反射SH型表面波，具有两自由边缘对置着的压电基片和一个用宽度重叠加权法或电极薄化法加权过的IDT(叉指换能器)。加权进行得使主波瓣的衰减点处在电极叉指对数与经加权IDT的相同的正规型IDT衰减点的频率外，且得出因主波瓣引起的谐振特性和因正规型IDT的衰减点引起的谐振特性。
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