公开(公告)号：CN111742404A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201980014439.0

申请日：2019-02-12

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 山本悌二 ,  青池将之 ,  长井浩之

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具备：具有第一面和位于与第一面的相反侧的第二面的基板；被设置在第一面侧的第一元件；以及被设置在上述第一面侧且俯视状态下设置在第一元件的周围的第一树脂层。基板具有布线层。第一元件具有半导体层、位于半导体层的与基板对置的面侧的电极部、以及隔着半导体层而位于与电极部的相反侧的绝缘层。电极部与布线层连接。第一树脂层距第一面的高度高于第一元件距第一面的高度。

公开(公告)号：CN111742404B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN201980014439.0

申请日：2019-02-12

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 山本悌二 ,  青池将之 ,  长井浩之

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具备：具有第一面和位于与第一面的相反侧的第二面的基板；被设置在第一面侧的第一元件；以及被设置在上述第一面侧且俯视状态下设置在第一元件的周围的第一树脂层。基板具有布线层。第一元件具有半导体层、位于半导体层的与基板对置的面侧的电极部、以及隔着半导体层而位于与电极部的相反侧的绝缘层。电极部与布线层连接。第一树脂层距第一面的高度高于第一元件距第一面的高度。