公开(公告)号：CN101926090B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN200880125279.9

申请日：2008-11-26

Applicant: 株式会社村田制作所 ,  株式会社小池

Inventor： 冬爪敏之 ,  西埜太郎 ,  山崎央 ,  荒木圣人 ,  田村登 ,  市川半 ,  有贺正树

IPC: H03H9/145 ,  H03H3/08

CPC classification number: H03H3/10 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明公开一种能够充分抑制温度变化而引起的伸缩，且频率偏移小的声波元件及其制造方法。本发明的声波元件的特征在于，包括：在一个主面上形成了IDT(2)的压电基片(1)；以及，形成在上述压电基片(1)的另一个主面(1b)上，由具有比上述压电基片(1)的线膨胀系数还小的线膨胀系数的材料构成的喷镀膜(3)，其中，上述喷镀膜(3)的晶粒边界和空穴(4)中的至少一部分被填充材料(5)所填充。

公开(公告)号：CN101926090A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200880125279.9

申请日：2008-11-26

Applicant: 株式会社村田制作所 ,  株式会社小池

Inventor： 冬爪敏之 ,  西埜太郎 ,  山崎央 ,  荒木圣人 ,  田村登 ,  市川半 ,  有贺正树

IPC: H03H9/145 ,  H03H3/08

CPC classification number: H03H3/10 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明公开一种能够充分抑制温度变化而引起的伸缩，且频率偏移小的声波元件及其制造方法。本发明的声波元件的特征在于，包括：在一个主面上形成了IDT(2)的压电基片(1)；以及，形成在上述压电基片(1)的另一个主面(1b)上，由具有比上述压电基片(1)的线膨胀系数还小的线膨胀系数的材料构成的喷镀膜(3)，其中，上述喷镀膜(3)的晶粒边界和空穴(4)中的至少一部分被填充材料(5)所填充。

公开(公告)号：CN101971491B

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN200880125278.4

申请日：2008-11-26

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 冬爪敏之 ,  西埜太郎 ,  山崎央 ,  田村登 ,  市川半 ,  有贺正树

IPC: H03H3/10 ,  H03H9/25

CPC classification number: H03H3/02 ,  C23C4/04 ,  C23C4/06 ,  C23C4/10 ,  H03H3/007 ,  H03H3/04 ,  H03H3/10 ,  H03H9/02559 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明提供一种频率温度特性(TCF：Temperature Coefficientof Frequency)优良、且IDT图案的加工精度高、能够耐受200℃以上的高温处理的声波元件的制造方法。本发明的声波元件的制造方法的特征在于包括如下步骤：在压电基片(1)的一个主面(1a)上形成IDT(2)；以及在形成IDT(2)的压电基片(1)的另一个主面(1b)上，通过喷镀使具有比压电基片的线膨胀系数还小的线膨胀系数的材料(3)而成膜。

公开(公告)号：CN101971491A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200880125278.4

申请日：2008-11-26

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 冬爪敏之 ,  西埜太郎 ,  山崎央 ,  田村登 ,  市川半 ,  有贺正树

IPC: H03H3/10 ,  H03H9/25

CPC classification number: H03H3/02 ,  C23C4/04 ,  C23C4/06 ,  C23C4/10 ,  H03H3/007 ,  H03H3/04 ,  H03H3/10 ,  H03H9/02559 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明提供一种频率温度特性(TCF：Temperature Coefficientof Frequency)优良、且IDT图案的加工精度高、能够耐受200℃以上的高温处理的声波元件的制造方法。本发明的声波元件的制造方法的特征在于包括如下步骤：在压电基片(1)的一个主面(1a)上形成IDT(2)；以及在形成IDT(2)的压电基片(1)的另一个主面(1b)上，通过喷镀使具有比压电基片的线膨胀系数还小的线膨胀系数的材料(3)而成膜。

公开(公告)号：CN1405978A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN02143232.5

申请日：2002-09-19

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 坂口健二 ,  冬爪敏之

IPC: H03H3/08

CPC classification number: H03H3/08 ,  G03F7/091 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49401

Abstract: 本发明揭示一种声表面波元件的电极图案形成方法，在压电基板1的表面形成抗蚀膜2，在压电基板1的表面上方设置光掩膜并用紫外光对抗蚀膜2进行曝光处理，由此在压电基板1表面上形成抗蚀膜图案2a，再在该压电基板1的表面上形成导体膜7，用剥离法除去抗蚀膜图案2a，形成声表面波元件的电极图案，采用紫外光进行曝光处理，紫外光的波长是用相对于压电基板1的规定厚度而言，由压电基板1中吸收使紫外光不到达压电基板1的内表面的波长。本方法能防止抗蚀膜图案的形状发生异常并完全防止其发生。

公开(公告)号：CN1264219A

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN00102358.6

申请日：2000-02-18

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 渋谷诚 ,  冬爪敏之 ,  岩佐进吾

IPC: H03H9/25 ,  H03H3/08

CPC classification number: H03H9/02897 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/16195 ,  H03H3/08 ,  H03H9/0585 ,  H03H9/1071 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种表面声波装置,包括一个含有元件安装表面的组件,一个组件中配置的有至少一个连接电极的表面声波元件,一种粘合剂以便将表面声波元件固定到组件的元件安装表面,和至少一个连接到至少一个连接电极的连接线。至少一个连接电极有至少一个线型通孔延伸穿过一个区域,该区域中至少一个连接线被连接到至少一个连接电极。