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公开(公告)号：CN101926090B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN200880125279.9
申请日：2008-11-26
Abstract: 本发明公开一种能够充分抑制温度变化而引起的伸缩，且频率偏移小的声波元件及其制造方法。本发明的声波元件的特征在于，包括：在一个主面上形成了IDT(2)的压电基片(1)；以及，形成在上述压电基片(1)的另一个主面(1b)上，由具有比上述压电基片(1)的线膨胀系数还小的线膨胀系数的材料构成的喷镀膜(3)，其中，上述喷镀膜(3)的晶粒边界和空穴(4)中的至少一部分被填充材料(5)所填充。
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公开(公告)号：CN101926090A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200880125279.9
申请日：2008-11-26
Abstract: 本发明公开一种能够充分抑制温度变化而引起的伸缩，且频率偏移小的声波元件及其制造方法。本发明的声波元件的特征在于，包括：在一个主面上形成了IDT(2)的压电基片(1)；以及，形成在上述压电基片(1)的另一个主面(1b)上，由具有比上述压电基片(1)的线膨胀系数还小的线膨胀系数的材料构成的喷镀膜(3)，其中，上述喷镀膜(3)的晶粒边界和空穴(4)中的至少一部分被填充材料(5)所填充。
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公开(公告)号：CN101971491B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN200880125278.4
申请日：2008-11-26
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H3/02 , C23C4/04 , C23C4/06 , C23C4/10 , H03H3/007 , H03H3/04 , H03H3/10 , H03H9/02559 , Y10T29/42 , Y10T29/49147 , Y10T29/49155
Abstract: 本发明提供一种频率温度特性(TCF：Temperature Coefficientof Frequency)优良、且IDT图案的加工精度高、能够耐受200℃以上的高温处理的声波元件的制造方法。本发明的声波元件的制造方法的特征在于包括如下步骤：在压电基片(1)的一个主面(1a)上形成IDT(2)；以及在形成IDT(2)的压电基片(1)的另一个主面(1b)上，通过喷镀使具有比压电基片的线膨胀系数还小的线膨胀系数的材料(3)而成膜。
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公开(公告)号：CN101971491A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200880125278.4
申请日：2008-11-26
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H3/02 , C23C4/04 , C23C4/06 , C23C4/10 , H03H3/007 , H03H3/04 , H03H3/10 , H03H9/02559 , Y10T29/42 , Y10T29/49147 , Y10T29/49155
Abstract: 本发明提供一种频率温度特性(TCF：Temperature Coefficientof Frequency)优良、且IDT图案的加工精度高、能够耐受200℃以上的高温处理的声波元件的制造方法。本发明的声波元件的制造方法的特征在于包括如下步骤：在压电基片(1)的一个主面(1a)上形成IDT(2)；以及在形成IDT(2)的压电基片(1)的另一个主面(1b)上，通过喷镀使具有比压电基片的线膨胀系数还小的线膨胀系数的材料(3)而成膜。
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