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公开(公告)号：CN117546274A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202280008273.3
申请日：2022-06-08
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供减少在等离子处理装置的维护后产生的异物从而能在短时间内实现能产品开工的状态的等离子处理方法。对样品进行等离子处理的等离子处理方法在对所述样品进行等离子处理的处理室的维护后具有：扫出工序，扫出异物；沉积工序，在扫出工序后，使沉积膜沉积于处理室内；第1除去工序，在沉积工序后，除去沉积膜；第2除去工序，在第1除去工序后，除去处理室内的氟；和等离子处理工序，对载置于样品台的样品进行等离子处理。在等离子处理工序前，将扫出工序、沉积工序、第1除去工序和第2除去工序重复2次以上。
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公开(公告)号：CN106206233A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510459206.5
申请日：2015-07-30
Applicant: 株式会社日立高新技术
CPC classification number: H01J37/32715 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J37/32697 , H01J37/32706 , H01J37/32724
Abstract: 本发明提供一种能够得到期望的蚀刻形状且能够抑制因异物附着引起的生产率的恶化的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置具备：处理室，对试样进行等离子体处理；高频电源，供给用于生成等离子体的高频电力；试样台，具备用于使所述试样被静电吸附的电极，该试样台搭载所述试样；和直流电源，对所述电极施加直流电压，该等离子体处理装置的特征在于，还具备：控制装置，在所述等离子体不存在的情况下，控制所述直流电源，以便施加使所述试样的电位的绝对值变小的直流电压。
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公开(公告)号：CN119013763A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380013041.1
申请日：2023-03-17
Applicant: 株式会社日立高新技术
Inventor： 伊克拉·雷赫马特·阿里 , 松仓圣 , 釜地义人 , 角屋诚浩
IPC: H01L21/02
Abstract: 各方面涉及生成半导体制造设备的高准确度状态预测结果。用于半导体制造设备的状态预测设备包括：数据获取单元，用于获取第一处理腔室的第一操作数据和第二处理腔室的第二操作数据；特征管理单元，用于生成第一特征图和第二特征图；相关性计算单元，用于计算归一化互相关结果，该归一化互相关结果指示目标特征在第一特征图和第二特征图之间的均匀性水平；排名单元，用于基于归一化互相关结果对目标特征进行排名，并且选择达到排名阈值的目标特征子集；以及状态预测单元，用于基于目标特征子集来生成状态预测结果，该状态预测结果表征第二处理腔室相对于第一处理腔室的性能差异。
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公开(公告)号：CN113498546B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202080004147.1
申请日：2020-02-03
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 等离子处理装置具备：在内部具备载置被处理基板的电极的等离子处理室；对等离子处理室提供等离子产生用的电力的电力提供部；和控制从该电力提供部对等离子处理室提供的电力的控制部，控制部执行：保温放电，在未将被处理基板载置于处理室的内部的电极的状态下，在第1条件下控制电力提供部，来使等离子处理室的内部产生第1等离子，以将等离子处理室的内壁面加热到第1温度；急速温度调节放电，接下来在第2条件下控制电力提供部，来使等离子处理室的内部产生第2等离子，以将等离子处理室的内壁面加热到比第1温度高的第2温度；和产品处理，在将被处理基板载置于电极的状态下，在第3条件下控制电力提供部来使等离子处理室的内部产生第3等离子，以对被处理基板进行处理。
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公开(公告)号：CN112585727B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201980007659.0
申请日：2019-07-30
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065 , H05H1/00
Abstract: 在诊断等离子体处理装置的状态的装置诊断装置中，使用由第一等离子体处理装置中的第一传感器取得的第一传感器值，对各所述第一传感器预先求出包含概率分布函数的事前分布信息，基于所述预先求出的事前分布信息、和由与所述第一等离子体处理装置不同的第二等离子体处理装置中的第二传感器取得的第二传感器值，推定与各所述第一传感器对应的各所述第二传感器的概率分布，使用所述推定出的概率分布来诊断所述第二等离子体处理装置的状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117121157A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280005991.5
申请日：2022-03-23
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供能抑制处理条件所引起的偏差且判定半导体制造装置的排气装置或排气配管的异常的诊断技术。诊断装置诊断半导体制造装置的状态，该半导体制造装置具备：对样品进行处理的处理室；将样品向所述处理室运送并与处理室连接的运送室；配置于处理室与运送室之间的阀；和将处理室排气的排气装置，在该诊断装置中，根据阀打开后的排气装置所涉及的压力来判定排气装置或排气装置所涉及的排气配管的异常有无。
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公开(公告)号：CN117063065A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202280005629.8
申请日：2022-03-14
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: G01N25/18
Abstract: 提供检测静电卡盘的膜的表面状态的异常的技术。在对具备载置静电吸附于膜的样品的样品台的半导体制造装置的状态进行诊断的诊断装置中，取得对样品投入的能量的变化前后的温度数据，根据所取得的所述温度数据来探测膜的异常。
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公开(公告)号：CN116941010A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280005996.8
申请日：2022-02-24
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/02
Abstract: 即使在不能正确地提取与各子序列的开始和结束对应的监控信号的上升沿、下降沿的情形中，也能探测装置状态的异常。构成了装置诊断装置，以使得对从传感器得到的第一时间序列信号设定进行掩蔽的时间带，作成将与进行掩蔽的时间带对应的第一时间序列信号掩蔽的数据，使用将第一时间序列信号掩蔽的数据来作成标准化模型，使用标准化模型来对掩蔽了第一时间序列信号的数据进行标准化处理，使用多个数据来作成正常模型，对从传感器得到的第二时间序列信号将掩蔽时间带中的第二时间序列信号掩蔽，使用标准化模型进行标准化处理，根据对第二时间序列信号进行了标准化处理而得到的信号来算出异常值。
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公开(公告)号：CN116897411A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202280005592.9
申请日：2022-02-07
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供能在等离子处理装置的对象部件的维护需要与否的诊断中进行虚报以及漏报少的高精度的诊断的技术。诊断装置将各等离子处理中的传感器波形数据分离成事前定义的多个传感器波形变化类别的每个类别的分量，按所分离的每个传感器波形分量，基于正常时和诊断时的传感器波形分量、或劣化时和诊断时的传感器波形分量来进行表示部件的劣化状态的劣化度运算，使用诊断时的劣化度和事前设定的阈值来诊断部件的维护需要与否。进而，诊断装置对按每个等离子处理运算出的劣化度的时间序列数据进行滤波处理，对各等离子处理装置，基于使用从部件维护时间点到给定次数处理后的时间点为止的学习区间中的滤波器处理后的多个劣化度运算出的分布来设定劣化诊断中所用的阈值。
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公开(公告)号：CN110268508A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201880010962.1
申请日：2018-03-19
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065 , H01L21/304 , H05H1/00 , H05H1/46
Abstract: 本发明的目的是提供等离子体处理方法，对半导体基板等的晶片进行等离子体蚀刻，能够通过晶片的蚀刻处理除去在处理室内堆积的金属与非金属的复合堆积物，并减少基于堆积物的异物的产生。本发明中，在处理室内对试料进行等离子体蚀刻并对所述处理室内进行等离子体清洗的等离子体处理方法的特征在于，具有如下工序：对预定个数的所述试料进行等离子体蚀刻的蚀刻工序；在所述蚀刻工序之后，使用等离子体来除去含有金属元素的堆积膜的金属除去工序；以及使用与所述金属除去工序的等离子体不同的等离子体，来除去含有非金属元素的堆积膜的非金属除去工序，其中将所述金属除去工序和所述非金属除去工序重复两次以上。
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