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公开(公告)号：CN113498546B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202080004147.1
申请日：2020-02-03
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 等离子处理装置具备：在内部具备载置被处理基板的电极的等离子处理室；对等离子处理室提供等离子产生用的电力的电力提供部；和控制从该电力提供部对等离子处理室提供的电力的控制部，控制部执行：保温放电，在未将被处理基板载置于处理室的内部的电极的状态下，在第1条件下控制电力提供部，来使等离子处理室的内部产生第1等离子，以将等离子处理室的内壁面加热到第1温度；急速温度调节放电，接下来在第2条件下控制电力提供部，来使等离子处理室的内部产生第2等离子，以将等离子处理室的内壁面加热到比第1温度高的第2温度；和产品处理，在将被处理基板载置于电极的状态下，在第3条件下控制电力提供部来使等离子处理室的内部产生第3等离子，以对被处理基板进行处理。
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公开(公告)号：CN104299880B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201410341799.0
申请日：2014-07-17
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32972 , H01J37/32458 , H01J37/32908 , H01J37/32963 , H01J37/3299 , H01J2237/0266 , H01J2237/2445 , H01J2237/3341
Abstract: 本发明提供提高了处理的成品率的等离子体处理装置或等离子体处理装置的运行方法。该等离子体处理装置包括检测来自在处理室内形成的等离子体的发光强度的变化的检测器，使用来自该检测器的输出来调节形成上述等离子体或处理配置于该处理室内的晶片的条件，上述检测器检测上述处理中的任意时刻以前的多个时刻下的上述发光强度的信号，从该检测出的信号中去除上述发光强度的长周期的时间变化的分量，从而检测上述发光强度的短时间变化的分量，并且上述检测器基于检测出的上述发光强度的短时间变化来调节形成上述等离子体或处理配置于该处理室内的晶片的条件。
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公开(公告)号：CN104078375B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310363078.5
申请日：2013-08-20
Applicant: 株式会社日立高新技术
CPC classification number: H01L22/12 , G01B11/0616 , G01B11/0683 , H01J37/32963 , H01J37/32972 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种在蚀刻处理中精密地检测处理对象的膜的剩余厚度的等离子处理装置或者方法。检测在处理中从上述晶片表面得到的多个波长的干涉光的强度，从在上述处理中的任意时刻检测到的上述多个波长的干涉光的强度检测它们的时间微分的时间系列数据，使用与上述多个波长有关的上述时间序列数据检测将波长作为参数的实微分波形图案数据，使用比较了该实微分波形图案数据、和使用在上述晶片的处理之前预先具有2种不同的基底膜的厚度的膜构造的上述处理对象的膜的剩余厚度和将上述干涉光的波长作为参数的基本微分波形图案数据而制成的检测用微分波形图案数据所得的结果，计算上述任意的时刻的剩余膜厚度，使用该剩余膜厚度判定达到上述处理的目标。
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公开(公告)号：CN106024616B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201510559637.9
申请日：2015-09-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065 , H01J37/304 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置以及等离子处理方法，等离子处理方法针对预先形成在真空容器的内部的处理室内所载置的晶片的上表面、且包含处理对象的膜以及配置于该膜的下方的基底膜的膜构造，利用形成于处理室内的等离子来进行处理，其具备：在任意的晶片上的膜构造的处理中所得到的干涉光的以波长为参数的强度的实际图案与在任意的晶片的处理前预先对具有处理对象的膜以及基底膜的三个以上不同厚度的基底膜的膜构造进行处理所获得的干涉光的以波长为参数的强度的图案之中，对将两个图案合成后的检测用图案的数据和实际图案的数据进行比较，并利用比较的结果来计算任意的晶片的处理中的时刻的处理对象的膜的蚀刻量的步骤。
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公开(公告)号：CN110268508A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201880010962.1
申请日：2018-03-19
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065 , H01L21/304 , H05H1/00 , H05H1/46
Abstract: 本发明的目的是提供等离子体处理方法，对半导体基板等的晶片进行等离子体蚀刻，能够通过晶片的蚀刻处理除去在处理室内堆积的金属与非金属的复合堆积物，并减少基于堆积物的异物的产生。本发明中，在处理室内对试料进行等离子体蚀刻并对所述处理室内进行等离子体清洗的等离子体处理方法的特征在于，具有如下工序：对预定个数的所述试料进行等离子体蚀刻的蚀刻工序；在所述蚀刻工序之后，使用等离子体来除去含有金属元素的堆积膜的金属除去工序；以及使用与所述金属除去工序的等离子体不同的等离子体，来除去含有非金属元素的堆积膜的非金属除去工序，其中将所述金属除去工序和所述非金属除去工序重复两次以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117546274A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202280008273.3
申请日：2022-06-08
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供减少在等离子处理装置的维护后产生的异物从而能在短时间内实现能产品开工的状态的等离子处理方法。对样品进行等离子处理的等离子处理方法在对所述样品进行等离子处理的处理室的维护后具有：扫出工序，扫出异物；沉积工序，在扫出工序后，使沉积膜沉积于处理室内；第1除去工序，在沉积工序后，除去沉积膜；第2除去工序，在第1除去工序后，除去处理室内的氟；和等离子处理工序，对载置于样品台的样品进行等离子处理。在等离子处理工序前，将扫出工序、沉积工序、第1除去工序和第2除去工序重复2次以上。
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公开(公告)号：CN106024616A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201510559637.9
申请日：2015-09-06
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065 , H01J37/304 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置以及等离子处理方法，等离子处理方法针对预先形成在真空容器的内部的处理室内所载置的晶片的上表面、且包含处理对象的膜以及配置于该膜的下方的基底膜的膜构造，利用形成于处理室内的等离子来进行处理，其具备：在任意的晶片上的膜构造的处理中所得到的干涉光的以波长为参数的强度的实际图案与在任意的晶片的处理前预先对具有处理对象的膜以及基底膜的三个以上不同厚度的基底膜的膜构造进行处理所获得的干涉光的以波长为参数的强度的图案之中，对将两个图案合成后的检测用图案的数据和实际图案的数据进行比较，并利用比较的结果来计算任意的晶片的处理中的时刻的处理对象的膜的蚀刻量的步骤。
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公开(公告)号：CN119895545A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380015772.X
申请日：2023-08-23
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明为了提供通过抑制等离子蚀刻处理中的带电异物对样品的附着从而能够实现异物减少的等离子处理方法，提供如下等离子处理方法，具有：等离子处理室，使用等离子对样品进行处理；高频电源，供给用于生成所述等离子的高频电力；静电吸附电极，对所述样品施加电压而将所述样品电吸附固定；以及直流电源，用于对所述静电吸附电极施加电压，等离子处理方法由以下步骤构成：点火步骤，利用所述高频电源对载置于所述静电吸附电极的所述样品进行等离子生成；等离子放电步骤，用于在所述点火步骤后进行所述样品的蚀刻；以及除电步骤，用于在所述等离子放电步骤后通过除电解除所述吸附固定，所述样品在从所述点火步骤到所述除电步骤为止的期间，施加于所述静电吸附电极的电压大于0V。
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公开(公告)号：CN111868890B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201980003452.6
申请日：2019-02-27
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 在短时间内除去腔室内的残留卤素等，改善吞吐量的等离子体处理方法具有：蚀刻工序，在腔室内蚀刻晶片；等离子体清洁工序，通过向腔室内导入包含卤素元素的气体，从而除去所述腔室的内壁的异物；以及残留卤素除去工序，通过在所述腔室内交替地反复含有氧的等离子体的导通状态和截止状态，从而除去在所述等离子体清洁工序中残留在所述腔室内的卤素元素。
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公开(公告)号：CN115023794A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202080004094.3
申请日：2020-02-10
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 能够实现批次处理第一片中的工艺变动的减少的等离子处理方法具有：第一工序，向所述处理室供给气体；以及第二工序，在所述第一工序后，使用等离子对所述试样进行蚀刻，所述气体是含有碳元素和氢元素的气体、含有氯元素的气体或包含在所述第二工序中所用的全部气体的混合气体。
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