公开(公告)号：CN106206233B

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201510459206.5

申请日：2015-07-30

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 池永和幸 ,  石黑正贵 ,  角屋诚浩 ,  白米茂

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32715 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32724

Abstract: 本发明提供一种能够得到期望的蚀刻形状且能够抑制因异物附着引起的生产率的恶化的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置具备：处理室，对试样进行等离子体处理；高频电源，供给用于生成等离子体的高频电力；试样台，具备用于使所述试样被静电吸附的电极，该试样台搭载所述试样；和直流电源，对所述电极施加直流电压，该等离子体处理装置的特征在于，还具备：控制装置，在所述等离子体不存在的情况下，控制所述直流电源，以便施加使所述试样的电位的绝对值变小的直流电压。

公开(公告)号：CN106206233A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510459206.5

申请日：2015-07-30

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 池永和幸 ,  石黑正贵 ,  角屋诚浩 ,  白米茂

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01J37/32715 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32724

Abstract: 本发明提供一种能够得到期望的蚀刻形状且能够抑制因异物附着引起的生产率的恶化的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置具备：处理室，对试样进行等离子体处理；高频电源，供给用于生成等离子体的高频电力；试样台，具备用于使所述试样被静电吸附的电极，该试样台搭载所述试样；和直流电源，对所述电极施加直流电压，该等离子体处理装置的特征在于，还具备：控制装置，在所述等离子体不存在的情况下，控制所述直流电源，以便施加使所述试样的电位的绝对值变小的直流电压。