公开(公告)号：CN114097067A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202080010281.2

申请日：2020-06-22

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 赵普社 ,  大森健史 ,  奥山裕

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种不需要操作员的判断而能够自动地校正轮廓的偏移的尺寸计测装置。所述尺寸计测装置具备：模型学习部(103)，获取学习用剖面图像和附加在学习用剖面图像的不同的区域的学习用标签，使用学习用剖面图像和学习用标签生成图像区域分割用深度学习模型；模型推定部(104)，将模型应用于新输入的对象图像，对独立的各个区域附加标签；轮廓校正部(105)，使用对象图像和由模型推定部附加的标签来检测各个区域的轮廓，对区域的轮廓设定代表点，根据移动规则移动各个代表点，直到满足校正完成条件为止反复进行代表点的移动；以及尺寸计测部(106)，使用由轮廓校正部进行了校正的轮廓，计测器件剖面构造的尺寸。

公开(公告)号：CN117063065A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202280005629.8

申请日：2022-03-14

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 赵普社 ,  朝仓凉次 ,  角屋诚浩

IPC: G01N25/18

Abstract: 提供检测静电卡盘的膜的表面状态的异常的技术。在对具备载置静电吸附于膜的样品的样品台的半导体制造装置的状态进行诊断的诊断装置中，取得对样品投入的能量的变化前后的温度数据，根据所取得的所述温度数据来探测膜的异常。

公开(公告)号：CN118103947A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280018652.0

申请日：2022-09-26

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 佐竹真 ,  赵普社 ,  一野贵雅 ,  森月政博

IPC: H01L21/02

Abstract: 为了提供使处理的成品率提升的半导体器件的制造系统以及半导体器件的制造方法，具备半导体器件制造装置和晶片温度计算系统，该半导体器件制造装置具备在上表面载置晶片的晶片载台、配置于该晶片载台内部且配置于所述上表面的多个区域的下方的多个加热器、以及调节供给到这多个加热器的多个加热器电源的输出的控制器，对所述晶片进行处理，该晶片温度计算系统判定为了实现所述晶片的处理中的目标的温度而预先算出的所述多个加热器电源的第1输出值是否处于容许范围内，在处于容许范围外的情况下，算出全部所述第1输出值被修正为容许范围内的值的第2输出值。