公开(公告)号：CN110268508B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN201880010962.1

申请日：2018-03-19

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 广田侯然 ,  角屋诚浩 ,  中宇祢功一 ,  玉利南菜子 ,  井上智己 ,  中元茂

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304 ,  H05H1/00 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明的目的是提供等离子体处理方法，对半导体基板等的晶片进行等离子体蚀刻，能够通过晶片的蚀刻处理除去在处理室内堆积的金属与非金属的复合堆积物，并减少基于堆积物的异物的产生。本发明中，在处理室内对试料进行等离子体蚀刻并对所述处理室内进行等离子体清洗的等离子体处理方法的特征在于，具有如下工序：对预定个数的所述试料进行等离子体蚀刻的蚀刻工序；在所述蚀刻工序之后，使用等离子体来除去含有金属元素的堆积膜的金属除去工序；以及使用与所述金属除去工序的等离子体不同的等离子体，来除去含有非金属元素的堆积膜的非金属除去工序，其中将所述金属除去工序和所述非金属除去工序重复两次以上。

公开(公告)号：CN110268508A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201880010962.1

申请日：2018-03-19

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 广田侯然 ,  角屋诚浩 ,  中宇祢功一 ,  玉利南菜子 ,  井上智己 ,  中元茂

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304 ,  H05H1/00 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明的目的是提供等离子体处理方法，对半导体基板等的晶片进行等离子体蚀刻，能够通过晶片的蚀刻处理除去在处理室内堆积的金属与非金属的复合堆积物，并减少基于堆积物的异物的产生。本发明中，在处理室内对试料进行等离子体蚀刻并对所述处理室内进行等离子体清洗的等离子体处理方法的特征在于，具有如下工序：对预定个数的所述试料进行等离子体蚀刻的蚀刻工序；在所述蚀刻工序之后，使用等离子体来除去含有金属元素的堆积膜的金属除去工序；以及使用与所述金属除去工序的等离子体不同的等离子体，来除去含有非金属元素的堆积膜的非金属除去工序，其中将所述金属除去工序和所述非金属除去工序重复两次以上。