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公开(公告)号：CN101644862A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910164457.5
申请日：2009-08-05
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/136 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L21/82
CPC classification number: G02F1/1368 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/78618
Abstract: 一种显示装置，其特征在于，包括：栅电极GT；包含沟道区和在夹着沟道区的区域形成的2个杂质区并控制源电极ST与漏电极DT间的电流的半导体膜S；介于源电极ST等和2个杂质区之间的2个欧姆接触层DS；以及在以成为半导体膜S的大致中心的位置为中心的部分区域上层叠的绝缘膜ES，半导体膜S包含微晶硅或多晶硅而形成，在未形成绝缘膜ES的区域形成2个杂质区，形成2个欧姆接触层DS，将2个杂质区覆盖，形成源电极ST等，将欧姆接触层DS覆盖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101320181A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810098644.3
申请日：2008-06-03
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/66765 , H01L29/78618 , H01L29/78678
Abstract: 本发明提供一种显示装置，能够减小使用多晶半导体的底栅型TFT元件的电阻性漏电流。本发明的半导体器件，在绝缘基板的表面依次层叠栅电极、栅绝缘膜、半导体层、源电极和漏电极，且具有TFT元件，该TFT元件由上述半导体层用多晶半导体构成的有源层、和分别介于上述有源层与上述源电极之间以及上述有源层与上述漏电极之间的接触层构成，上述源电极和上述漏电极分别具有与上述有源层的同上述栅绝缘膜的交界面相对的第一面、和与上述有源层的蚀刻端面相对的第二面，上述接触层介于上述源电极和上述漏电极的上述第一面与上述有源层之间、以及上述源电极和上述漏电极的上述第二面与上述有源层之间的全部区域。
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公开(公告)号：CN101369080B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810129860.X
申请日：2008-08-14
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12 , G09G3/36
CPC classification number: H01L29/78633 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供一种显示装置，包括具有多个子像素的显示板和用于驱动上述多个子像素的驱动电路，上述显示板具有基板，上述驱动电路具有形成在上述基板上的薄膜晶体管，上述薄膜晶体管的半导体层由多晶硅构成，其中，上述薄膜晶体管具有：形成在上述基板上的源电极、半导体层和漏电极；形成在上述源电极、上述半导体层和上述漏电极上的栅极绝缘膜；在上述栅极绝缘膜之上，形成于上述半导体层上的栅电极；形成在上述栅电极上的绝缘膜；以及在上述绝缘膜上覆盖上述栅电极的至少一部分而形成的金属层。
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公开(公告)号：CN101320181B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200810098644.3
申请日：2008-06-03
Applicant: 株式会社日立显示器 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/66765 , H01L29/78618 , H01L29/78678
Abstract: 本发明提供一种显示装置，能够减小使用多晶半导体的底栅型TFT元件的电阻性漏电流。本发明的半导体器件，在绝缘基板的表面依次层叠栅电极、栅绝缘膜、半导体层、源电极和漏电极，且具有TFT元件，该TFT元件由上述半导体层用多晶半导体构成的有源层、和分别介于上述有源层与上述源电极之间以及上述有源层与上述漏电极之间的接触层构成，上述源电极和上述漏电极分别具有与上述有源层的同上述栅绝缘膜的交界面相对的第一面、和与上述有源层的蚀刻端面相对的第二面，上述接触层介于上述源电极和上述漏电极的上述第一面与上述有源层之间、以及上述源电极和上述漏电极的上述第二面与上述有源层之间的全部区域。
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公开(公告)号：CN101644862B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200910164457.5
申请日：2009-08-05
Applicant: 株式会社日立显示器 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L21/82
CPC classification number: G02F1/1368 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/78618
Abstract: 一种显示装置，其特征在于，包括：栅电极GT；包含沟道区和在夹着沟道区的区域形成的2个杂质区并控制源电极ST与漏电极DT间的电流的半导体膜S；介于源电极ST等和2个杂质区之间的2个欧姆接触层DS；以及在以成为半导体膜S的大致中心的位置为中心的部分区域上层叠的绝缘膜ES，半导体膜S包含微晶硅或多晶硅而形成，在未形成绝缘膜ES的区域形成2个杂质区，形成2个欧姆接触层DS，将2个杂质区覆盖，形成源电极ST等，将欧姆接触层DS覆盖。
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公开(公告)号：CN101369080A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810129860.X
申请日：2008-08-14
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , H01L27/12 , G09G3/36
CPC classification number: H01L29/78633 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供一种显示装置，包括具有多个子像素的显示板和用于驱动上述多个子像素的驱动电路，上述显示板具有基板，上述驱动电路具有形成在上述基板上的薄膜晶体管，上述薄膜晶体管的半导体层由多晶硅构成，其中，上述薄膜晶体管具有：形成在上述基板上的源电极、半导体层和漏电极；形成在上述源电极、上述半导体层和上述漏电极上的栅极绝缘膜；在上述栅极绝缘膜之上，形成于上述半导体层上的栅电极；形成在上述栅电极上的绝缘膜；以及在上述绝缘膜上覆盖上述栅电极的至少一部分而形成的金属层。
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