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公开(公告)号：CN100375231C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410058669.2
申请日：2004-07-27
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324 , G02F1/136
CPC classification number: H01L21/02686 , G02F1/13454 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供了一种显示装置的制造方法，对于每个基板按顺序进行第一工序、第二工序及第三工序，该制造方法的特征在于具有：在上述第三工序中，将在上述第二工序中照射在后续于上述基板的其他基板(7)的激光(11)的能量密度，(1)在该基板的区域A测定的晶体粒径比在该基板的区域B测定的晶体粒径大时，调整得比照射该基板的上述激光(11)的能量密度低；(2)在粒径小时，调整得比照射该基板的上述激光(11)的能量密度高；(3)在相同时，保持成照射该基板的上述激光(11)的能量密度。
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公开(公告)号：CN1645977A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410056318.8
申请日：2004-08-06
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L51/5262 , H01L51/5268
Abstract: 本发明是从已形成薄膜晶体管的基板侧取出有机EL层发光的底部发光结构，以及从与已形成薄膜晶体管的基板相反侧取出有机EL层发光的顶部发光结构的有源型有机EL显示装置，各自结构中的适宜的层(102、106、107)是含有SiO的绝缘膜，并且形成膜中具有微小空孔的多孔绝缘膜。此时，由于控制多孔绝缘膜的膜密度、膜折射率、膜中的空孔径、膜中的平均空孔径、膜中的极大空孔径，故折射率比夹持有机EL层的透明电极或显示装置的透明基板低，且由于膜中存在微小空孔故可得到光散射效果。因此，实现高效率地对外部取出来自有机EL层(110)的发光。
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公开(公告)号：CN100433399C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200410056318.8
申请日：2004-08-06
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L51/5262 , H01L51/5268
Abstract: 本发明是从已形成薄膜晶体管的基板侧取出有机EL层发光的底部发光结构，以及从与已形成薄膜晶体管的基板相反侧取出有机EL层发光的顶部发光结构的有源型有机EL显示装置，各自结构中的适宜的层(102、106、107)是含有SiO的绝缘膜，并且形成膜中具有微小空孔的多孔绝缘膜。此时，由于控制多孔绝缘膜的膜密度、膜折射率、膜中的空孔径、膜中的平均空孔径、膜中的极大空孔径，故折射率比夹持有机EL层的透明电极或显示装置的透明基板低，且由于膜中存在微小空孔故可得到光散射效果。因此，实现高效率地对外部取出来自有机EL层(110)的发光。
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公开(公告)号：CN1638017A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410058669.2
申请日：2004-07-27
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324 , G02F1/136
CPC classification number: H01L21/02686 , G02F1/13454 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供了一种显示装置及其制造方法。测量形成于基板上的非晶质硅膜的平均膜厚，将激光照射到该非晶质硅膜，然后，测定由该照射进行了晶体化的多晶硅膜的粒径分布，根据多晶硅膜的2个点A、B的粒径的测定值，计算出适当的激光照射能量密度值，然后，测量下一非晶质硅膜的平均膜厚，根据该平均膜厚与1个前的非晶质硅膜的平均膜厚计算出照射的能量密度值，将该能量密度值反馈到激光照射系。如上述那样，通过对应于形成在基板上的硅膜的膜厚控制此时应照射的激光照射能量，从而可在大型基板上沿基板整个面形成均匀的大粒径的多晶硅，结果，可在大面积形成多晶硅TFT。
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