公开(公告)号：CN100428530C

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200410057618.8

申请日：2004-08-20

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 田村太久夫 ,  本乡幹雄 ,  奥中正昭 ,  加藤真一 ,  松崎永二 ,  伊藤雅人 ,  寺门正伦

IPC: H01L51/56 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26 ,  H05B33/12 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L2251/568

Abstract: 提供一种有机电致发光显示装置的制造方法，该有机电致发光显示装置，在第一电极层和第二电极层之间具有有机发光层，在其任一个象素未点亮时，从第一电极层侧观察该象素的有机发光层，如果含有异物则把第二电极层分离成与异物接触的区域和与该区域和异物都不接触的区域。由此，可以减小点不亮的显示区域，制造显示性能优良的有机EL显示装置。

公开(公告)号：CN101034652A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710006909.8

申请日：2007-01-30

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 田村太久夫 ,  佐野靖 ,  宫田一史

IPC: H01J31/12 ,  H01J29/02 ,  H01J29/04 ,  G09G3/20

CPC classification number: H01J29/30 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127

Abstract: 本发明提供一种图像显示装置。具有2维配置的多个像素和薄膜电子源，该薄膜电子源具备设置在各个前述像素且由信号布线之一形成的下部电极、由该下部电极表面的阳极氧化形成的电子加速层、以及层叠在该电子加速层上且发射电子的上部电极，本发明通过将设置在各个前述像素的前述电子加速层(阳极氧化膜)中所包含的含水氧化铝成分相对于该含水氧化铝成分与无水氧化铝成分之和的比率调整在0.25～0.42的范围，来抑制该电子加速层的二极管特性的劣化，提高前述图像显示装置的可靠性。

公开(公告)号：CN1674726A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200410057618.8

申请日：2004-08-20

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 田村太久夫 ,  本乡幹雄 ,  奥中正昭 ,  加藤真一 ,  松崎永二 ,  伊藤雅人 ,  寺门正伦

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26 ,  H05B33/12 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L2251/568

Abstract: 提供一种有机电致发光显示装置的制造方法，该有机电致发光显示装置，在第一电极层和第二电极层之间具有有机发光层，在其任一个象素未点亮时，从第一电极层侧观察该象素的有机发光层，如果含有异物则把第二电极层分离成与异物接触的区域和与该区域和异物都不接触的区域。由此，可以减小点不亮的显示区域，制造显示性能优良的有机EL显示装置。

公开(公告)号：CN1638017A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410058669.2

申请日：2004-07-27

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 山口裕功 ,  尾形洁 ,  田村太久夫 ,  后藤顺 ,  斋藤雅和 ,  武田一男

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02686 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供了一种显示装置及其制造方法。测量形成于基板上的非晶质硅膜的平均膜厚，将激光照射到该非晶质硅膜，然后，测定由该照射进行了晶体化的多晶硅膜的粒径分布，根据多晶硅膜的2个点A、B的粒径的测定值，计算出适当的激光照射能量密度值，然后，测量下一非晶质硅膜的平均膜厚，根据该平均膜厚与1个前的非晶质硅膜的平均膜厚计算出照射的能量密度值，将该能量密度值反馈到激光照射系。如上述那样，通过对应于形成在基板上的硅膜的膜厚控制此时应照射的激光照射能量，从而可在大型基板上沿基板整个面形成均匀的大粒径的多晶硅，结果，可在大面积形成多晶硅TFT。

公开(公告)号：CN100375231C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200410058669.2

申请日：2004-07-27

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 山口裕功 ,  尾形洁 ,  田村太久夫 ,  后藤顺 ,  斋藤雅和 ,  武田一男

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02686 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供了一种显示装置的制造方法，对于每个基板按顺序进行第一工序、第二工序及第三工序，该制造方法的特征在于具有：在上述第三工序中，将在上述第二工序中照射在后续于上述基板的其他基板(7)的激光(11)的能量密度，(1)在该基板的区域A测定的晶体粒径比在该基板的区域B测定的晶体粒径大时，调整得比照射该基板的上述激光(11)的能量密度低；(2)在粒径小时，调整得比照射该基板的上述激光(11)的能量密度高；(3)在相同时，保持成照射该基板的上述激光(11)的能量密度。