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公开(公告)号：CN100369253C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN00120253.7
申请日：2000-07-14
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立器件工程株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L27/115 , H01L21/82 , H01L21/8247 , G11C16/02
CPC classification number: H01L27/11521 , G11C16/0425 , H01L27/115
Abstract: 一种实现微细化、提高动作速度并降低绝缘膜缺陷密度的集成电路装置具有：具备多个存储单元，该多个存储单元分别具有：在第1方向上延伸的一条字线；形成在半导体衬底上、且与上述字线交叉，并且具有在写入动作之际使热电子发生的第1功能和使上述半导体衬底表面的沟道截止的第2功能的多个辅助栅极；以及连接到上述字线、且通过由上述辅助栅极发生的热电子来进行电子注入的浮置栅极，其中，在向多个上述浮置栅极的电子注入之际，与上述字线交叉的上述辅助栅极之中第奇数个辅助栅极具有上述第1功能，第偶数个辅助栅极具有第2功能。
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公开(公告)号：CN1281258A
公开(公告)日：2001-01-24
申请号：CN00120253.7
申请日：2000-07-14
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立器件工程株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L27/115 , H01L21/82 , H01L21/8247 , G11C16/02
CPC classification number: H01L27/11521 , G11C16/0425 , H01L27/115
Abstract: 实现微细化、提高动作速度并降低绝缘膜缺陷密度的集成电路装置具有:衬底中的阱101;阱中的源极/漏极扩散层;在衬底上通过绝缘膜形成的浮置栅极;和浮置栅极之间存在着绝缘膜而形成的控制栅极;连接上述控制栅极的字线;和上述半导体衬底、浮置栅极、控制栅极之间存在着绝缘膜而形成、且与辅助栅极和控制栅极不同的第3栅极,被形成为埋入到位于与字线和沟道垂直的方向上的浮置栅极的间隙内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1341262A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：CN00804146.6
申请日：2000-02-09
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/4091
CPC classification number: G11C7/06 , G11C7/065 , G11C11/406 , G11C11/4074 , G11C11/4091 , G11C2207/065
Abstract: 即便存储器阵列的电压低,读出放大器也能够高速地从存储单元读出弱信号而电力消耗很小。将用于过激励的驱动开关分散地配置在读出放大器区域内,并将用于恢复的驱动开关集中地配置在读出放大器阵列的一端。通过网状电源线供给过激励电位。每个过激励开关最初从具有比数据线的振幅电压高的电压的数据线对读出数据,实现高速读出。通过分散地配置驱动开关,能够分散读出电流并减小一端与另一端之间的读出电压差。
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公开(公告)号：CN1652252A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510007096.5
申请日：2000-02-09
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/4091 , G11C7/00
CPC classification number: G11C7/06 , G11C7/065 , G11C11/406 , G11C11/4074 , G11C11/4091 , G11C2207/065
Abstract: 即便存储器阵列的电压低，读出放大器也能够高速地从存储单元读出弱信号而电力消耗很小。将用于过激励的驱动开关分散地配置在读出放大器区域内，并将用于恢复的驱动开关集中地配置在读出放大器阵列的一端。通过网状电源线供给过激励电位。每个过激励开关最初从具有比数据线的振幅电压高的电压的数据线对读出数据，实现高速读出。通过分散地配置驱动开关，能够分散读出电流并减小一端与另一端之间的读出电压差。
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公开(公告)号：CN1391702A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN00816039.2
申请日：2000-11-29
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , G11C11/401
CPC classification number: H01L27/10894 , G11C11/4097 , H01L27/10897
Abstract: 在进行读出放大器交互配置的情况下，作为从子存储器阵列(SMA)向读出放大器(SA)引出数据线的方式，把在子存储器阵列内连续的2条或者交错地把2条数据线夹在中间的2条数据线，连接到相邻的读出放大器上。说得更详细点，采用使被夹持在连接到2个相邻的读出放大器上的每一条数据线之间的数据线的条数变成为偶数(0、2、4…)的办法，就可以避免在读出放大器块与子存储器阵列的连接部分处的断线、短路，因而使布局变得容易起来。
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公开(公告)号：CN1260810C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN00816039.2
申请日：2000-11-29
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , G11C11/401
CPC classification number: H01L27/10894 , G11C11/4097 , H01L27/10897
Abstract: 在进行读出放大器交互配置的情况下，作为从子存储器阵列(SMA)向读出放大器(SA)引出数据线的方式，把在子存储器阵列内连续的2条或者交错地把2条数据线夹在中间的2条数据线，连接到相邻的读出放大器上。说得更详细点，采用使被夹持在连接到2个相邻的读出放大器上的每一条数据线之间的数据线的条数变成为偶数(0、2、4…)的办法，就可以避免在读出放大器块与子存储器阵列的连接部分处的断线、短路，因而使布局变得容易起来。
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公开(公告)号：CN1197089C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN00804146.6
申请日：2000-02-09
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/4091
CPC classification number: G11C7/06 , G11C7/065 , G11C11/406 , G11C11/4074 , G11C11/4091 , G11C2207/065
Abstract: 即便存储器阵列的电压低，读出放大器也能够高速地从存储单元读出弱信号而电力消耗很小。将用于过激励的驱动开关分散地配置在读出放大器区域内，并将用于恢复的驱动开关集中地配置在读出放大器阵列的一端。通过网状电源线供给过激励电位。每个过激励开关最初从具有比数据线的振幅电压高的电压的数据线对读出数据，实现高速读出。通过分散地配置驱动开关，能够分散读出电流并减小一端与另一端之间的读出电压差。
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