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公开(公告)号：CN1333475A
公开(公告)日：2002-01-30
申请号：CN01123106.8
申请日：2001-05-12
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本发明为具有反向交错的沟道蚀刻型薄膜晶体管的液晶显示装置的制造方法提供一种新颖光刻工艺,它使用具有至少两个厚度互不相同的区域的光致抗蚀剂图形,本发明减少了液晶显示装置的整个制造过程所需的光刻工艺数量,并提高了液晶显示装置的亮度。
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公开(公告)号：CN1226662C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN01125369.X
申请日：2001-08-31
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295
Abstract: 一种液晶显示装置，其数据线由其中的铬含量在2重量%以上且在5重量%以下的钼合金化膜或者由具有第一导电膜和第二导电膜的钼合金化膜层叠(Mo-Cr)结构构成，其中第一导电膜的铬含量在2重量%以上、5重量%以下，第二导电膜在第一导电膜上且其铬含量低于第一导电膜。采用这些材料构成的数据线能够满足如下要求：高干蚀刻阻力、低电阻、低ACF接触电阻、低侧面蚀刻速率、锥形布线横截面形状以及两个以下的叠层。
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公开(公告)号：CN1108539C
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN95119844.0
申请日：1995-11-17
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/136286
Abstract: 本发明提供了一种有源矩阵液晶显示器，它含有包含在一个表面上的第一衬底、多个栅极互连、多个穿过所述栅极互连的漏极互连以及位于所述栅极互连与所述漏极互连之间交点附近的晶体管，与所述第一衬底相对并在面对像素电极的表面具有面层电极的第二衬底以及保持在所述第一与第二衬底之间的液晶，改进之处在于，多个所述栅极互连或多个所述漏极互连由含有Mo、Nb、Ta和W中至少一种金属的Cr合金构成。
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公开(公告)号：CN1092343C
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN95109645.1
申请日：1995-07-26
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/133512 , G02F1/136213 , G02F2001/136218 , H01L27/124 , H01L27/1259
Abstract: 为了提供一种具有明亮的图像显示和较好的成品率的液晶显示装置，在透明基板上的透明像素电极之下设置一带有一个小于像素平面面积的开口的栅绝缘膜，构成像素电极下的源电极图形，使之跨越该开口，以及提供一薄膜晶体管，该晶体管具有一种其边缘部逐渐变薄的栅电极，其倾斜角等于或小于半导体图形边缘部位的倾斜角的3倍(小于90°)。
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公开(公告)号：CN1153313A
公开(公告)日：1997-07-02
申请号：CN96102587.5
申请日：1996-01-30
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/1345 , G02F1/1362 , G02F2001/13629
Abstract: 本发明的目的是提供一种制作过程简单、成品率高而显示特性好的液晶显示器件。本发明的液晶显示器件包括一块衬底表面带有多条漏极引线、在矩阵阵列中与多条漏极引线交叉的多条栅极引线、位于每一个交点附近的多个薄膜晶体管以及与每一个薄膜晶体管连接的多个像素电极；与上述衬底相对而放的衬底和夹在上述两块衬底之间的液晶层，这些漏极引线和栅极引线的每个端部的结构为在金属薄膜上覆盖透明的导电薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1374705A
公开(公告)日：2002-10-16
申请号：CN01125878.0
申请日：2001-08-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78621
Abstract: 在有自对准LDD的多晶硅薄膜晶体管基片上,用W浓度为重量5%以上不到25%,更希望用W浓度为重量17%到22%的Mo－W合金制作栅极,用包括磷酸浓度为重量60%到70%的刻蚀溶液的湿刻蚀工序的方法制作的薄膜晶体管基片有均匀的特性并有优越的生产性。
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公开(公告)号：CN1353411A
公开(公告)日：2002-06-12
申请号：CN01125369.X
申请日：2001-08-31
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295
Abstract: 一种液晶显示装置,其数据线由铬含量在2重量%以上、5重量%以下的钼合金化膜或者由具有第一导电膜和第二导电膜的钼合金化膜层叠(Mo－Cr)结构构成,其中第一导电膜的铬含量在2重量%以上、5重量%以下,第二导电膜在第一导电膜上且其铬含量低于第一导电膜。采用这些材料构成的数据线能够满足如下要求:高干蚀刻阻力、低电阻、低ACF接触电阻、低侧面蚀刻速率、锥形布线横截面形状以及两个以下的叠层。
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公开(公告)号：CN100435012C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200610002501.9
申请日：2001-05-12
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本申请涉及液晶显示装置及其制造方法。本发明为具有反向交错的沟道蚀刻型薄膜晶体管的液晶显示装置的制造方法提供一种新颖光刻工艺，它使用具有至少两个厚度互不相同的区域的光致抗蚀剂图形，本发明减少了液晶显示装置的整个制造过程所需的光刻工艺数量，并提高了液晶显示装置的亮度。
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公开(公告)号：CN1920630A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610101191.6
申请日：2001-05-12
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/1333 , G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L27/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本申请涉及液晶显示装置及其制造方法。本发明为具有反向交错的沟道蚀刻型薄膜晶体管的液晶显示装置的制造方法提供一种新颖光刻工艺，它使用具有至少两个厚度互不相同的区域的光致抗蚀剂图形，本发明减少了液晶显示装置的整个制造过程所需的光刻工艺数量，并提高了液晶显示装置的亮度。
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公开(公告)号：CN1268968C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN01123106.8
申请日：2001-05-12
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/133 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本发明为具有反向交错的沟道蚀刻型薄膜晶体管的液晶显示装置的制造方法提供一种新颖光刻工艺，它使用具有至少两个厚度互不相同的区域的光致抗蚀剂图形，本发明减少了液晶显示装置的整个制造过程所需的光刻工艺数量，并提高了液晶显示装置的亮度。
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