公开(公告)号：CN1327168A

公开(公告)日：2001-12-19

申请号：CN00126331.5

申请日：2000-09-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 原野雄一 ,  高桥卓也 ,  佐藤健史 ,  日高贵志夫 ,  鬼泽贤一

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133

Abstract: 提供一种液晶显示装置及其制造方法。在该液晶显示装置中,具有位于一对基板的至少一方上的电极群,其至少由多条栅极布线和多条数据布线构成;配置有薄膜晶体管;栅极布线和数据布线的至少一方,用Al合金膜和在其上的其它金属的上层膜的叠层布线构成;通过接触孔连接上述Al合金膜和透明导电膜;上述Al合金膜中的添加元素的浓度分布,在Al合金膜的表层部分比内层部分高。

公开(公告)号：CN1574196A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200310124570.3

申请日：2003-12-30

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  株式会社日立显示器

Inventor： 佐藤健史 ,  武田一男 ,  斋藤雅和 ,  后藤順 ,  大仓理

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  G09F9/30 ,  G09G3/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L21/0268 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78645

Abstract: 本发明提供了一种用并不昂贵的装置以高吞吐量制造高性能有源矩阵衬底的方法，和使用所述有源矩阵衬底的图象显示设备。在导轨上沿着短轴方向X和长轴方向Y移动的平台上携带有玻璃衬底，其形成有无定形硅半导体膜。通过用沿着激光束的长轴方向Y具有周期性的相移掩模将脉冲激光束强度调制成线束形，同时沿着在玻璃衬底上形成的无定形硅半导体膜的调制方向任意地移动激光束进行曝光从而对膜进行结晶，可以获得多晶化的大晶粒硅膜。图象显示设备可以结合具有有源元件，例如用所述硅膜形成的薄膜晶体管的有源矩阵衬底。

公开(公告)号：CN1374705A

公开(公告)日：2002-10-16

申请号：CN01125878.0

申请日：2001-08-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 佐藤健史 ,  高桥卓也 ,  加藤智也 ,  金子寿辉 ,  池田一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621

Abstract: 在有自对准LDD的多晶硅薄膜晶体管基片上,用W浓度为重量5%以上不到25%,更希望用W浓度为重量17%到22%的Mo－W合金制作栅极,用包括磷酸浓度为重量60%到70%的刻蚀溶液的湿刻蚀工序的方法制作的薄膜晶体管基片有均匀的特性并有优越的生产性。

公开(公告)号：CN1177374C

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN01125878.0

申请日：2001-08-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 佐藤健史 ,  高桥卓也 ,  加藤智也 ,  金子寿辉 ,  池田一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621

Abstract: 在有自对准LDD的多晶硅薄膜晶体管基片上，用W浓度为重量5%以上不到25%，更希望用W浓度为重量17%到22%的Mo-W合金制作栅极，用包括磷酸浓度为重量60%到70%的刻蚀溶液的湿刻蚀工序的方法制作的薄膜晶体管基片有均匀的特性并有优越的生产性。