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公开(公告)号：CN1177374C
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN01125878.0
申请日：2001-08-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78621
Abstract: 在有自对准LDD的多晶硅薄膜晶体管基片上，用W浓度为重量5%以上不到25%，更希望用W浓度为重量17%到22%的Mo-W合金制作栅极，用包括磷酸浓度为重量60%到70%的刻蚀溶液的湿刻蚀工序的方法制作的薄膜晶体管基片有均匀的特性并有优越的生产性。
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公开(公告)号：CN1226662C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN01125369.X
申请日：2001-08-31
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295
Abstract: 一种液晶显示装置，其数据线由其中的铬含量在2重量%以上且在5重量%以下的钼合金化膜或者由具有第一导电膜和第二导电膜的钼合金化膜层叠(Mo-Cr)结构构成，其中第一导电膜的铬含量在2重量%以上、5重量%以下，第二导电膜在第一导电膜上且其铬含量低于第一导电膜。采用这些材料构成的数据线能够满足如下要求：高干蚀刻阻力、低电阻、低ACF接触电阻、低侧面蚀刻速率、锥形布线横截面形状以及两个以下的叠层。
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公开(公告)号：CN1327168A
公开(公告)日：2001-12-19
申请号：CN00126331.5
申请日：2000-09-05
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 提供一种液晶显示装置及其制造方法。在该液晶显示装置中,具有位于一对基板的至少一方上的电极群,其至少由多条栅极布线和多条数据布线构成;配置有薄膜晶体管;栅极布线和数据布线的至少一方,用Al合金膜和在其上的其它金属的上层膜的叠层布线构成;通过接触孔连接上述Al合金膜和透明导电膜;上述Al合金膜中的添加元素的浓度分布,在Al合金膜的表层部分比内层部分高。
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公开(公告)号：CN1374705A
公开(公告)日：2002-10-16
申请号：CN01125878.0
申请日：2001-08-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78621
Abstract: 在有自对准LDD的多晶硅薄膜晶体管基片上,用W浓度为重量5%以上不到25%,更希望用W浓度为重量17%到22%的Mo－W合金制作栅极,用包括磷酸浓度为重量60%到70%的刻蚀溶液的湿刻蚀工序的方法制作的薄膜晶体管基片有均匀的特性并有优越的生产性。
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公开(公告)号：CN1353411A
公开(公告)日：2002-06-12
申请号：CN01125369.X
申请日：2001-08-31
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295
Abstract: 一种液晶显示装置,其数据线由铬含量在2重量%以上、5重量%以下的钼合金化膜或者由具有第一导电膜和第二导电膜的钼合金化膜层叠(Mo－Cr)结构构成,其中第一导电膜的铬含量在2重量%以上、5重量%以下,第二导电膜在第一导电膜上且其铬含量低于第一导电膜。采用这些材料构成的数据线能够满足如下要求:高干蚀刻阻力、低电阻、低ACF接触电阻、低侧面蚀刻速率、锥形布线横截面形状以及两个以下的叠层。
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