公开(公告)号：CN1353411A

公开(公告)日：2002-06-12

申请号：CN01125369.X

申请日：2001-08-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 高桥卓也 ,  石井正宏 ,  笠井勉 ,  川村徹也 ,  田村克 ,  金子寿辉 ,  鬼沢贤一

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295

Abstract: 一种液晶显示装置,其数据线由铬含量在2重量%以上、5重量%以下的钼合金化膜或者由具有第一导电膜和第二导电膜的钼合金化膜层叠(Mo－Cr)结构构成,其中第一导电膜的铬含量在2重量%以上、5重量%以下,第二导电膜在第一导电膜上且其铬含量低于第一导电膜。采用这些材料构成的数据线能够满足如下要求:高干蚀刻阻力、低电阻、低ACF接触电阻、低侧面蚀刻速率、锥形布线横截面形状以及两个以下的叠层。

公开(公告)号：CN1226662C

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN01125369.X

申请日：2001-08-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 高桥卓也 ,  石井正宏 ,  笠井勉 ,  川村徹也 ,  田村克 ,  金子寿辉 ,  鬼沢贤一

IPC: G02F1/1362 ,  G09G3/36

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295

Abstract: 一种液晶显示装置，其数据线由其中的铬含量在2重量%以上且在5重量%以下的钼合金化膜或者由具有第一导电膜和第二导电膜的钼合金化膜层叠(Mo-Cr)结构构成，其中第一导电膜的铬含量在2重量%以上、5重量%以下，第二导电膜在第一导电膜上且其铬含量低于第一导电膜。采用这些材料构成的数据线能够满足如下要求：高干蚀刻阻力、低电阻、低ACF接触电阻、低侧面蚀刻速率、锥形布线横截面形状以及两个以下的叠层。