垂直磁记录介质

    公开(公告)号:CN1479276A

    公开(公告)日:2004-03-03

    申请号:CN03104714.9

    申请日:2003-02-25

    Abstract: 本发明涉及可大容量记录信息的磁记录介质及其制造方法,以及使用该介质的磁存储装置。作为通过衬里软磁性膜,在非磁性基板上设置垂直磁化膜的垂直磁记录介质的制造方法,在形成衬里软磁性膜的步骤和形成垂直磁化膜的步骤之间,具有形成含有氧、硅、碳中任何一种非金属元素含有层的步骤和在含非金属元素含有层的表面上形成孤岛状构造的金属层的步骤的至少2个步骤,最好使孤岛状构造的金属层平均膜厚为0.1-2nm。由此可使垂直磁记录介质的记录层的晶粒形成磁孤立化、细微化、及均匀化,同时使中间层形成薄膜化,从而可提供介质噪音小、热波动强、记录效率高、和记录分辨能力高的垂直磁记录介质,及使用该介质可进行高密度记录的磁存储装置。

Patent Agency Ranking