公开(公告)号：CN1106005C

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN97122430.7

申请日：1997-11-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 松田好文 ,  石川晃 ,  屋久四男 ,  细江让 ,  神边哲也 ,  阪本浩二

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/7325 ,  G11B5/8404 ,  Y10T428/1266 ,  Y10T428/12667

Abstract: 一种磁记录介质，它具有：第一底涂层(41、41’)，它们直接或通过基底面底涂层而形成在基底(40)上；第二底涂层(42、42’)，它们直接形成在第一底涂层(41、41’)上；磁膜(43、43’)，它们被形成在第二底涂层(42、42’)上；以及，保护膜(44、44’)，它们被形成在磁膜(43、43’)上。具有大量的氧的团散布在第一和第二底涂层的界面上。较好地，第一底涂层用包括两种元素的合金制成-这两种元素的氧化物形成标准自由能ΔG°之差在250℃的温度下是很大的。

公开(公告)号：CN1173011A

公开(公告)日：1998-02-11

申请号：CN97111416.1

申请日：1997-05-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 神边哲也 ,  石川晃 ,  玉井一郎 ,  屋久四男 ,  细江让 ,  棚桥究 ,  松田好文 ,  片冈宏之 ,  大野俊典 ,  深谷信二 ,  宇良和浩 ,  远藤直人 ,  山本朋生

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/7325 ,  G11B5/012 ,  G11B5/39 ,  G11B5/66 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/12465 ,  Y10T428/12847 ,  Y10T428/12854 ,  Y10T428/26

Abstract: 高密度信息记录/再生的高可靠性的磁存储装置,它包括:具有在基片上由单层或多层底层形成磁性层的面内磁记录媒体、媒体的驱动部、记录部与再生部组成的磁头、使磁头相对于媒体运动的装置以及相应的信号处理装置,此再生部由磁致电阻型磁头构成,媒体中的单层或多层底层中的至少一层为含Co的无定型或微晶体材料构成,或是由Cr、Mo、V、Ta中至少一种为主成分且有B、C、P、Bi中至少一种的合金材料组成的层。

公开(公告)号：CN1136544C

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN97111416.1

申请日：1997-05-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 神边哲也 ,  石川晃 ,  玉井一郎 ,  屋久四男 ,  细江让 ,  棚桥究 ,  松田好文 ,  片冈宏之 ,  大野俊典 ,  深谷信二 ,  宇良和浩 ,  远藤直人 ,  山本朋生

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/7325 ,  G11B5/012 ,  G11B5/39 ,  G11B5/66 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/12465 ,  Y10T428/12847 ,  Y10T428/12854 ,  Y10T428/26

Abstract: 高密度信息记录/再生的高可靠性的磁存储装置，它包括：具有在基片上由单层或多层底层形成磁性层的面内磁记录媒体、媒体的驱动部、记录部与再生部组成的磁头、使磁头相对于媒体运动的装置以及相应的信号处理装置，此再生部由磁致电阻型磁头构成，媒体中的单层或多层底层中的至少一层为含Co的无定形或微晶体材料构成，或是由Cr、Mo、V、Ta中至少一种为主成分且有B、C、P、Bi中至少一种的合金材料组成的层。

公开(公告)号：CN1181575A

公开(公告)日：1998-05-13

申请号：CN97122430.7

申请日：1997-11-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 松田好文 ,  石川晃 ,  屋久四男 ,  细江让 ,  神边哲也 ,  阪本浩二

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/7325 ,  G11B5/8404 ,  Y10T428/1266 ,  Y10T428/12667

Abstract: 一种磁记录介质,它具有:第一底涂层41、41’,它们直接或通过基底面底涂层而形成在基底40上;第二底涂层42、42’,它们直接形成在第一底涂层41、41’上;磁膜43、43’,它们被形成在第二底涂层42、42’上;以及,保护膜44、44’,它们被形成磁膜43、43’上。具有大量的氧的团散布在第一和第二底涂层的界面上。较好地,第一底涂层用包括两种元素的合金制成—这两种元素的氧化物形成标准自由能ΔG°之差在250℃的温度下是很大的。

公开(公告)号：CN1492398A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN02149520.3

申请日：1997-05-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 神边哲也 ,  石川晃 ,  玉井一郎 ,  屋久四男 ,  细江让 ,  棚桥究 ,  松田好文 ,  片冈宏之 ,  大野俊典 ,  深谷信二 ,  宇良和浩 ,  远藤直人 ,  山本朋生

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/39

CPC classification number: G11B5/7325 ,  G11B5/012 ,  G11B5/39 ,  G11B5/66 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/12465 ,  Y10T428/12847 ,  Y10T428/12854 ,  Y10T428/26

Abstract: 高密度信息记录/再生的高可靠性的磁存储装置，它包括：具有在基片上由单层或多层底层形成磁性层的面内磁记录媒体、媒体的驱动部、记录部与再生部组成的磁头、使磁头相对于媒体运动的装置以及相应的信号处理装置，此再生部由磁致电阻型磁头构成，媒体中的单层或多层底层中的至少一层为含Co的无定形或微晶体材料构成，或是由Cr、Mo、V、Ta中至少一种为主成分且有B、C、P、Bi中至少一种的合金材料组成的层。