公开(公告)号：CN102385871A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110248357.8

申请日：2011-08-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 武隈育子 ,  中村公夫 ,  佐山淳一 ,  根本广明

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/84 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66

Abstract: 本发明提供具有足以实现1万亿比特/cm2以上的面记录密度的垂直磁各向异性能量和结晶粒径、且批量生产性优良的垂直磁记录介质及其制造方法。该制造方法是在基板上依次形成基板温度控制层、基底层、磁记录层。磁记录层通过将由第一工序和第二工序构成的磁性层层叠工序重复进行N次(N≥2)来形成，其中，所述第一工序是将基板在加热室内进行加热，所述第二工序是将由添加有选自C、Si氧化物中的至少一种非磁性材料且以FePt为主的合金构成的磁记录层在制膜室内进行制膜。

公开(公告)号：CN1172295C

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN98814172.8

申请日：1998-09-02

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 嵯峨秀树 ,  根本广明 ,  助田裕史 ,  高桥正彦 ,  中村公夫 ,  丸山洋治 ,  井手浩 ,  滨口雄彦

IPC: G11B5/02

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/00 ,  G11B5/398 ,  G11B5/5552 ,  G11B5/59683 ,  G11B5/74 ,  G11B5/82 ,  G11B11/1053 ,  G11B11/10532 ,  G11B11/10541 ,  G11B11/10554 ,  G11B11/10576 ,  G11B11/1058 ,  G11B2005/0002 ,  G11B2005/0005 ,  G11B2005/0016 ,  G11B2005/0021 ,  G11B2005/3996

Abstract: 在利用通过垂直磁记录膜上的反转磁畴保持信息的记录媒体的信息记录再生装置上，具有在该记录媒体上使电磁能或光照射在上述记录媒体上的照射装置；及与上述照射装置一样位于上述记录媒体的同一侧、并检测从上述记录媒体的漏磁通的磁通检测装置。这样可以进行记录媒体的两面记录。

公开(公告)号：CN101964195A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201010234468.9

申请日：2010-07-20

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  富士电机电子技术株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 佐山淳一 ,  根本广明 ,  井手浩 ,  片冈弘康 ,  高桥伸幸 ,  岛津武仁 ,  北上修 ,  冈本聪 ,  青井基

IPC: G11B5/65

CPC classification number: G11B5/656 ,  G11B5/65 ,  G11B5/7315 ,  G11B5/7325

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质，所记录的磁信号的稳定性优异并且可进行基于热辅助磁记录方式的磁信号记录。将磁记录层(50)应用于磁记录介质(1)，所述磁记录层(50)包含Pt含量为44at％以上55at％以下并且Ni/(Co+Ni)的原子含量比为0.64以上0.8以下的Co-Ni-Pt合金的强磁性晶粒。就该磁记录介质(1)而言，构成磁记录层(50)的上述Co-Ni-Pt合金由于在常温下具有非常高的各向异性磁场，因此所记录的磁信号的稳定性极其优异。另外，就该磁记录介质(1)而言，构成磁记录层(50)的上述Co-Ni-Pt合金由于具有适当的温度范围的居里点，因此可通过热辅助磁记录方式来进行信号记录。

公开(公告)号：CN1479276A

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN03104714.9

申请日：2003-02-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 平山义幸 ,  中川宏之 ,  根本广明 ,  玉井一郎 ,  武隈育子

IPC: G11B5/66

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B5/656 ,  G11B5/66 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/743 ,  Y10T428/24802

Abstract: 本发明涉及可大容量记录信息的磁记录介质及其制造方法，以及使用该介质的磁存储装置。作为通过衬里软磁性膜，在非磁性基板上设置垂直磁化膜的垂直磁记录介质的制造方法，在形成衬里软磁性膜的步骤和形成垂直磁化膜的步骤之间，具有形成含有氧、硅、碳中任何一种非金属元素含有层的步骤和在含非金属元素含有层的表面上形成孤岛状构造的金属层的步骤的至少2个步骤，最好使孤岛状构造的金属层平均膜厚为0.1－2nm。由此可使垂直磁记录介质的记录层的晶粒形成磁孤立化、细微化、及均匀化，同时使中间层形成薄膜化，从而可提供介质噪音小、热波动强、记录效率高、和记录分辨能力高的垂直磁记录介质，及使用该介质可进行高密度记录的磁存储装置。

公开(公告)号：CN1303509A

公开(公告)日：2001-07-11

申请号：CN98814172.8

申请日：1998-09-02

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 嵯峨秀树 ,  根本广明 ,  助田裕史 ,  高桥正彦 ,  中村公夫 ,  丸山洋治 ,  井手浩 ,  滨口雄彦

IPC: G11B5/02

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/00 ,  G11B5/398 ,  G11B5/5552 ,  G11B5/59683 ,  G11B5/74 ,  G11B5/82 ,  G11B11/1053 ,  G11B11/10532 ,  G11B11/10541 ,  G11B11/10554 ,  G11B11/10576 ,  G11B11/1058 ,  G11B2005/0002 ,  G11B2005/0005 ,  G11B2005/0016 ,  G11B2005/0021 ,  G11B2005/3996

Abstract: 在利用通过垂直磁记录膜上的反转磁畴保持信息的记录媒体的信息记录再生装置上,具有在该记录媒体上使电磁能或光照射在上述记录媒体上的照射装置;及与上述照射装置一样位于上述记录媒体的同一侧、并检测从上述记录媒体的漏磁通的磁通检测装置。这样可以进行记录媒体的两面记录。

公开(公告)号：CN101964195B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201010234468.9

申请日：2010-07-20

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  富士电机株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 佐山淳一 ,  根本广明 ,  井手浩 ,  片冈弘康 ,  高桥伸幸 ,  岛津武仁 ,  北上修 ,  冈本聪 ,  青井基

IPC: G11B5/65

CPC classification number: G11B5/656 ,  G11B5/65 ,  G11B5/7315 ,  G11B5/7325

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质，所记录的磁信号的稳定性优异并且可进行基于热辅助磁记录方式的磁信号记录。将磁记录层(50)应用于磁记录介质(1)，所述磁记录层(50)包含Pt含量为44at％以上55at％以下并且Ni/(Co+Ni)的原子含量比为0.64以上0.8以下的Co-Ni-Pt合金的强磁性晶粒。就该磁记录介质(1)而言，构成磁记录层(50)的上述Co-Ni-Pt合金由于在常温下具有非常高的各向异性磁场，因此所记录的磁信号的稳定性极其优异。另外，就该磁记录介质(1)而言，构成磁记录层(50)的上述Co-Ni-Pt合金由于具有适当的温度范围的居里点，因此可通过热辅助磁记录方式来进行信号记录。