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公开(公告)号：CN1467708A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03102352.5
申请日：2003-02-08
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/667
Abstract: 本发明涉及垂直磁记录介质及其制造方法和磁存储装置，特别是关于每1平方英寸具有50吉比特以上面记录密度的高介质S/N的垂直磁记录介质及其制造方法，和组装了该磁记录介质的磁存储装置。通过软磁性底层在底板上形成垂直记录层，其构成含有利用非磁性层使软磁性底层形成物理分离的数层软磁性层，该软磁性层由纳诺结晶构成，进一步在通过非磁性层邻接的软磁性层的层间形成局部的磁化闭环，可抑制住软磁性底层引起的尖峰脉冲噪音和再生信号的调制。
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公开(公告)号：CN1136544C
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN97111416.1
申请日：1997-05-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/012 , G11B5/39 , G11B5/66 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12847 , Y10T428/12854 , Y10T428/26
Abstract: 高密度信息记录/再生的高可靠性的磁存储装置，它包括：具有在基片上由单层或多层底层形成磁性层的面内磁记录媒体、媒体的驱动部、记录部与再生部组成的磁头、使磁头相对于媒体运动的装置以及相应的信号处理装置，此再生部由磁致电阻型磁头构成，媒体中的单层或多层底层中的至少一层为含Co的无定形或微晶体材料构成，或是由Cr、Mo、V、Ta中至少一种为主成分且有B、C、P、Bi中至少一种的合金材料组成的层。
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公开(公告)号：CN1173011A
公开(公告)日：1998-02-11
申请号：CN97111416.1
申请日：1997-05-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/012 , G11B5/39 , G11B5/66 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12847 , Y10T428/12854 , Y10T428/26
Abstract: 高密度信息记录/再生的高可靠性的磁存储装置,它包括:具有在基片上由单层或多层底层形成磁性层的面内磁记录媒体、媒体的驱动部、记录部与再生部组成的磁头、使磁头相对于媒体运动的装置以及相应的信号处理装置,此再生部由磁致电阻型磁头构成,媒体中的单层或多层底层中的至少一层为含Co的无定型或微晶体材料构成,或是由Cr、Mo、V、Ta中至少一种为主成分且有B、C、P、Bi中至少一种的合金材料组成的层。
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公开(公告)号：CN1492398A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN02149520.3
申请日：1997-05-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/012 , G11B5/39 , G11B5/66 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12847 , Y10T428/12854 , Y10T428/26
Abstract: 高密度信息记录/再生的高可靠性的磁存储装置，它包括：具有在基片上由单层或多层底层形成磁性层的面内磁记录媒体、媒体的驱动部、记录部与再生部组成的磁头、使磁头相对于媒体运动的装置以及相应的信号处理装置，此再生部由磁致电阻型磁头构成，媒体中的单层或多层底层中的至少一层为含Co的无定形或微晶体材料构成，或是由Cr、Mo、V、Ta中至少一种为主成分且有B、C、P、Bi中至少一种的合金材料组成的层。
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