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公开(公告)号:CN1173011A
公开(公告)日:1998-02-11
申请号:CN97111416.1
申请日:1997-05-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/012 , G11B5/39 , G11B5/66 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12847 , Y10T428/12854 , Y10T428/26
Abstract: 高密度信息记录/再生的高可靠性的磁存储装置,它包括:具有在基片上由单层或多层底层形成磁性层的面内磁记录媒体、媒体的驱动部、记录部与再生部组成的磁头、使磁头相对于媒体运动的装置以及相应的信号处理装置,此再生部由磁致电阻型磁头构成,媒体中的单层或多层底层中的至少一层为含Co的无定型或微晶体材料构成,或是由Cr、Mo、V、Ta中至少一种为主成分且有B、C、P、Bi中至少一种的合金材料组成的层。
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公开(公告)号:CN1136544C
公开(公告)日:2004-01-28
申请号:CN97111416.1
申请日:1997-05-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/012 , G11B5/39 , G11B5/66 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12847 , Y10T428/12854 , Y10T428/26
Abstract: 高密度信息记录/再生的高可靠性的磁存储装置,它包括:具有在基片上由单层或多层底层形成磁性层的面内磁记录媒体、媒体的驱动部、记录部与再生部组成的磁头、使磁头相对于媒体运动的装置以及相应的信号处理装置,此再生部由磁致电阻型磁头构成,媒体中的单层或多层底层中的至少一层为含Co的无定形或微晶体材料构成,或是由Cr、Mo、V、Ta中至少一种为主成分且有B、C、P、Bi中至少一种的合金材料组成的层。
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公开(公告)号:CN1492398A
公开(公告)日:2004-04-28
申请号:CN02149520.3
申请日:1997-05-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/012 , G11B5/39 , G11B5/66 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12847 , Y10T428/12854 , Y10T428/26
Abstract: 高密度信息记录/再生的高可靠性的磁存储装置,它包括:具有在基片上由单层或多层底层形成磁性层的面内磁记录媒体、媒体的驱动部、记录部与再生部组成的磁头、使磁头相对于媒体运动的装置以及相应的信号处理装置,此再生部由磁致电阻型磁头构成,媒体中的单层或多层底层中的至少一层为含Co的无定形或微晶体材料构成,或是由Cr、Mo、V、Ta中至少一种为主成分且有B、C、P、Bi中至少一种的合金材料组成的层。
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