公开(公告)号：CN1092898A

公开(公告)日：1994-09-28

申请号：CN94100573.9

申请日：1994-01-24

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 梶谷一彦 ,  高桥继雄 ,  大一义 ,  中村正行 ,  大鸟浩 ,  松本哲郎 ,  河原尊之

IPC: G11C21/00 ,  H01L27/108

CPC classification number: G11C11/4097 ,  G11C11/4091

Abstract: 一种采用对成对MOSFET特性偏差进行补偿的读出放大器的动态RAM，位线的寄生电容至少是存储单元的电容的20倍。每根位线被开关MOSFET分成两部分，需要时可以断开。电路中提供了许多组存储器矩阵，每一组包括一个开关MOSFET，用于互连与读出放大器相连的公共源极线，因此在它们之间可以对公共源极线进行循环充电。