公开(公告)号：CN102668037B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201080049990.8

申请日：2010-10-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 岛明生 ,  朴泽一幸

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/6831 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 激光退火中，从薄膜化为300μm以下的半导体Si衬底的背面起算的深度大于1μm的位置的温度在950℃以上、1412℃以下的温度范围内，将Si加热而不溶解。本发明提供一种半导体器件的制造方法，从半导体衬底的表面导入杂质形成半导体区域，利用静电夹持方式固定在支持衬底上将衬底整体加热到250℃以上，并且通过照射3μm以上的长波长的激光将半导体衬底的表面加热使杂质活化。

公开(公告)号：CN1941324A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610135745.4

申请日：2001-10-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本直树 ,  木村绅一郎 ,  朴泽一幸 ,  内山博之 ,  铃木范夫 ,  西谷英辅

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/518

Abstract: 在形成一种其中在一个多晶硅膜上层叠一个WNx膜和一个W膜的多金属结构的栅电极7A之后，当执行使栅绝缘膜6再生的氧化处理时，在使各栅电极7A的侧壁上的氧化钨27还原的条件下，使晶片1加热和冷却。结果，使晶片1的表面上淀积的氧化钨27的量减少。

公开(公告)号：CN113740617B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202110285017.6

申请日：2021-03-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 朴泽一幸 ,  竹崎泰一

IPC: G01R29/08

Abstract: 本发明提供能够提高半导体检测器的性能的技术。在半导体检测器中，将在以倒装芯片的方式连接后的半导体芯片(CHP1)与半导体芯片(CHP2)之间的间隙填充底部填充物(40)作为前提，在读取电极焊盘(PD1)与栅极端子(20)的经由凸块电极(BMP1)的连接构造的周围不形成底部填充物(40)。

公开(公告)号：CN1505840A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN01822944.1

申请日：2001-10-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本直树 ,  木村绅一郎 ,  朴泽一幸 ,  内山博之 ,  铃木范夫 ,  西谷英辅

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/518

Abstract: 在形成一种其中在一个多晶硅膜上层叠一个WNx膜和一个W膜的多金属结构的栅电极7A之后，当执行使栅绝缘膜6再生的氧化处理时，在使各栅电极7A的侧壁上的氧化钨27还原的条件下，使晶片1加热和冷却。结果，使晶片1的表面上淀积的氧化钨27的量减少。

公开(公告)号：CN113740617A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110285017.6

申请日：2021-03-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 朴泽一幸 ,  竹崎泰一

IPC: G01R29/08

Abstract: 本发明提供能够提高半导体检测器的性能的技术。在半导体检测器中，将在以倒装芯片的方式连接后的半导体芯片(CHP1)与半导体芯片(CHP2)之间的间隙填充底部填充物(40)作为前提，在读取电极焊盘(PD1)与栅极端子(20)的经由凸块电极(BMP1)的连接构造的周围不形成底部填充物(40)。

公开(公告)号：CN1290197C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN01822944.1

申请日：2001-10-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本直树 ,  木村绅一郎 ,  朴泽一幸 ,  内山博之 ,  铃木范夫 ,  西谷英辅

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/518

Abstract: 在形成一种其中在一个多晶硅膜上层叠一个WNx膜和一个W膜的多金属结构的栅电极(7A)之后，当执行使栅绝缘膜(6)再生的氧化处理时，在使各栅电极(7A)的侧壁上的氧化钨(27)还原的条件下，使晶片(1)加热和冷却。结果，使晶片(1)的表面上淀积的氧化钨(27)的量减少。

公开(公告)号：CN102668037A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080049990.8

申请日：2010-10-29

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 岛明生 ,  朴泽一幸

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/6831 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 激光退火中，从薄膜化为300μm以下的半导体Si衬底的背面起算的深度大于1μm的位置的温度在950℃以上、1412℃以下的温度范围内，将Si加热而不溶解。本发明提供一种半导体器件的制造方法，从半导体衬底的表面导入杂质形成半导体区域，利用静电夹持方式固定在支持衬底上将衬底整体加热到250℃以上，并且通过照射3μm以上的长波长的激光将半导体衬底的表面加热使杂质活化。

公开(公告)号：CN100447980C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200610135745.4

申请日：2001-10-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本直树 ,  木村绅一郎 ,  朴泽一幸 ,  内山博之 ,  铃木范夫 ,  西谷英辅

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/518

Abstract: 在形成一种其中在一个多晶硅膜上层叠一个WNx膜和一个W膜的多金属结构的栅电极7A之后，当执行使栅绝缘膜6再生的氧化处理时，在使各栅电极7A的侧壁上的氧化钨27还原的条件下，使晶片1加热和冷却。结果，使晶片1的表面上淀积的氧化钨27的量减少。