公开(公告)号：CN1236186A

公开(公告)日：1999-11-24

申请号：CN99106677.4

申请日：1999-05-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  山本直树 ,  三谷真一郎 ,  花冈裕子

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/4983

Abstract: 轻度氧化工艺技术,在采用多晶硅及金属栅结构和双栅结构的CMOS LSI中,向半导体晶片Al的主表面提供含氢气及由氧气和氢气合成的蒸汽的混合气体,在难熔金属膜基本上不被氧化,且包含于构成栅极一部分的p型多晶硅膜中的硼不会通过栅氧化膜扩散到半导体衬底的低热负载条件下,进行热处理,以改善栅极边缘部分之下被腐蚀掉的栅绝缘膜的外形。

公开(公告)号：CN1187813C

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN99106677.4

申请日：1999-05-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田边义和 ,  山本直树 ,  三谷真一郎 ,  花冈裕子

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/4983

Abstract: 轻度氧化工艺技术，在采用多晶硅及金属栅结构和双栅结构的CMOS LSI中，向半导体晶片A1的主表面提供含氢气及由氧气和氢气合成的蒸汽的混合气体，在难熔金属膜基本上不被氧化，且包含于构成栅极一部分的p型多晶硅膜中的硼不会通过栅氧化膜扩散到半导体衬底的低热负载条件下，进行热处理，以改善栅极边缘部分之下被腐蚀掉的栅绝缘膜的外形。