公开(公告)号：CN100552956C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN01822929.8

申请日：2001-10-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本直树 ,  田边义和 ,  小粥敬成 ,  吉田武彦

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L29/4941 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/324 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894

Abstract: 在一种含有高浓度氮气的气氛中实现一个WNx膜(24)的形成，所述WNx膜(24)构成一个具有多金属结构的栅电极(7A)的阻挡层，从而在形成栅电极(7A)之后的热处理步骤中，抑制N(氮)从WNx膜(24)中的释放。

公开(公告)号：CN1516900A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN01822929.8

申请日：2001-10-31

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山本直树 ,  田边义和 ,  小粥敬成 ,  吉田武彦

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L29/4941 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/324 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894

Abstract: 在一种含有高浓度氮气的气氛中实现一个WNx膜24的形成，所述WNx膜24构成一个具有多金属结构的栅电极7A的阻挡层，从而在形成栅电极7A之后的热处理步骤中，抑制N(氮)从WNx膜24中的释放。