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公开(公告)号：CN119771644A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411377939.X
申请日：2024-09-30
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，具备：多个第一雾喷嘴，其设置在腔室内，并以预先设定的第二间隔沿着多张基板的排列而配置；以及多个第二雾喷嘴，其设置在腔室内，并以第二间隔沿着多张基板的排列而配置。多个第一雾喷嘴在俯视时隔着多张基板配置于多个第二雾喷嘴的相反侧。第一雾喷嘴以及第二雾喷嘴在俯视时以朝向多张基板的方式配置。多个第一雾喷嘴相对于多个第二雾喷嘴在多张基板W的排列方向上错开第二间隔的一半的长度而配置。第一雾喷嘴以及第二雾喷嘴分别喷出雾状以及液滴状中的至少一种液体。
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公开(公告)号：CN112017997B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202010482294.1
申请日：2020-05-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明涉及基板处理装置、基板处理系统及基板处理方法。本发明的课题在于根据处理的进展来调节处理液的循环流量。基板处理装置(1)具有：处理槽(11)，其使基板W浸渍于处理液；溢流槽(12)，其对从处理槽溢出的处理液进行回收；循环配管(13)，其将处理槽(11)与溢流槽(12)连接而使处理液循环；旁通配管(20)，其绕过设置于循环配管(13)的管线上加热器(16)和过滤器(17)而与循环配管(13)并行地连接；和开闭阀(21)，其对旁通配管(20)进行开闭，在硅浓度增高的蚀刻初期等将开闭阀(21)打开，使处理槽(11)中的处理液的流量增加。
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公开(公告)号：CN109155247B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201780026979.1
申请日：2017-05-18
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
Abstract: 基板处理装置包括：处理腔室；基板保持单元，配置在所述处理腔室内，用于保持基板；第一喷嘴，具有用于朝被所述基板保持单元保持的基板的主面喷出流体的喷出口。在基板处理装置中执行：第一处理步骤，将第一药剂流体从所述第一喷嘴朝所述基板的主面喷出，对所述基板实施使用了所述第一药剂流体的处理；第二处理步骤，将第二药剂流体供给至所述基板的主面，对所述基板实施使用了所述第二药剂流体的处理；以及水置换步骤，在所述第一处理步骤执行前及/或执行后，以及/或者，在所述第二处理步骤的执行前及/或执行后，将来自所述第一水供给单元的水供给至所述药剂流体配管，并以水置换所述药剂流体配管的内部。
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公开(公告)号：CN109564862B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201780047398.6
申请日：2017-08-16
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板处理装置包含：旋转单元，使被收容在腔室内的基板保持单元保持的基板绕铅垂的旋转轴线旋转；喷嘴，具有喷出口，用于从所述喷出口朝被所述旋转单元保持的基板的主表面喷出液体；第一药液供给单元，用于对所述喷嘴供给第一药液；处理杯，用于收容所述基板保持单元，并具有多个筒状的防护罩，所述多个筒状的防护罩包含围绕所述基板保持单元的周围的筒状的第一防护罩以及围绕所述第一防护罩的周围的筒状的第二防护罩；升降单元，用于使所述多个防护罩中的至少一个防护罩升降；以及控制装置，控制所述旋转单元、所述第一药液供给单元以及所述升降单元；所述控制装置执行：上位置配置步骤，将所述多个防护罩中的至少一个防护罩配置在上位置，该上位置是比预定的接液位置靠上方并能通过所述防护罩接住从被所述旋转单元旋转的基板飞散的液体的预定的上位置，所述预定的接液位置是能通过所述防护罩接住从该基板飞散的第一药液的位置；以及第一药液供给步骤，在所述防护罩配置在所述上位置的状态下，一边通过所述旋转单元使基板旋转一边对基板的主表面供给第一药液。
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公开(公告)号：CN115692173A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210898032.2
申请日：2022-07-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括第一气体处理工序、疏水处理工序以及散布工序。在第一气体处理工序中，在腔室(3)的内部经减压的状态(D)下，将第一气体(G1)供给至腔室(3)内的基板(W)。第一气体(G1)包含有机溶剂的气体。疏水处理工序是在第一气体处理工序之后执行。在疏水处理工序中，腔室(3)的内部处于经减压的状态(D)，将疏水剂(H)供给至腔室(3)内的基板(W)。散布工序是在疏水处理工序之后执行。在散布工序中，腔室(3)的内部处于经减压的状态(D)，将第一液(L1)散布至腔室(3)内的基板(W)。第一液(L1)包含有机溶剂的液体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115692255A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210898031.8
申请日：2022-07-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括第一减压工序、第一加压工序以及第一常压工序。在第一减压工序中，腔室(3)的内部处于经减压的状态(D)，将第一气体(G1)供给至腔室(3)内的基板(W)。第一气体(G1)包含有机溶剂。第一加压工序是在第一减压工序之后执行。在第一加压工序中，将混合气体(K)供给至腔室(3)内的基板(W)，腔室(3)的内部从经减压的状态(D)被加压至常压状态(J)。混合气体(K)包含有机溶剂与惰性气体。第一常压工序是在第一加压工序之后执行。在第一常压工序中，腔室(3)的内部保持为常压状态(J)，进行排液处理以及基板处理中的至少任一种。
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公开(公告)号：CN112017997A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010482294.1
申请日：2020-05-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/311 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本发明涉及基板处理装置、基板处理系统及基板处理方法。本发明的课题在于根据处理的进展来调节处理液的循环流量。基板处理装置(1)具有：处理槽(11)，其使基板W浸渍于处理液；溢流槽(12)，其对从处理槽溢出的处理液进行回收；循环配管(13)，其将处理槽(11)与溢流槽(12)连接而使处理液循环；旁通配管(20)，其绕过设置于循环配管(13)的管线上加热器(16)和过滤器(17)而与循环配管(13)并行地连接；和开闭阀(21)，其对旁通配管(20)进行开闭，在硅浓度增高的蚀刻初期等将开闭阀(21)打开，使处理槽(11)中的处理液的流量增加。
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公开(公告)号：CN107665838A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710622173.0
申请日：2017-07-27
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，包括：多个夹具构件(13)，其通过将基板夹持为水平而将上述基板保持为水平的姿势；处理液供给单元，向基板(W)供给处理液；以及热源，配置于基板的上方。夹具构件(13)包括：导电性构件(41)，至少一部分由含有碳的材料形成，包括：底座部(46)，配置在比基板(W)靠近下方的位置；以及接触部(47)，从上述底座部(46)的上表面(46a)向上方突出，按压于基板(W)的外周部；以及夹具盖(42)，安装于导电性构件(41)，俯视时未覆盖底座部(46)的至少一部分而覆盖接触部(47)。
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公开(公告)号：CN119673798A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410759517.2
申请日：2024-06-13
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置的溶剂供给部配置在比处理槽的上表面的开口高的位置，并在俯视时从处理槽的外侧向处理槽的内侧供给雾状的溶剂。控制部在基板浸渍于处理液中时进行溶剂供给动作，即，对腔室内进行减压，并且从溶剂供给部供给雾状的溶剂。当处于对腔室内进行减压且供给溶剂的溶剂供给状态时，控制部使升降器将基板从处理槽内的处理液中取出，之后，通过打开QDR阀而从处理槽排出处理液。在处于溶剂供给状态时，控制部由升降器使基板下降到未贮存处理液的处理槽内的下位置，之后，由升降器使基板上升。
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公开(公告)号：CN117219537A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310682656.5
申请日：2023-06-09
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够防止颗粒的附着。基板处理装置具备：处理槽；腔室，其包围处理槽；溶剂蒸气喷嘴，其设置在腔室内，且配置在比处理槽高的位置；排气泵，其配置在比处理槽的上表面低的位置，从排气口对腔室内进行排气；基板保持部，其具有保持以隔开预定间隔且以铅垂姿势对置的方式排成一列配置的多个基板的保持部件以及对保持部件的基端部进行支撑的背板，能够在腔室内且遍及处理槽内的位置和处理槽的上方的位置而移动；遮蔽板，其在基板保持部位于处理槽的上方的位置的状态下，设置在多个基板中的最远离背板的前端基板与保持部件的前端部侧所对置的腔室的侧壁之间。
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