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公开(公告)号：CN105939847A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201580006176.0
申请日：2015-01-20
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: C23C14/024 , C22C21/00 , C23C14/205 , C23C16/402 , C23C16/505 , G02B5/0808
Abstract: 本发明涉及如下构造体及成膜方法，即使在使用了甲基丙烯酸系树脂等与金属薄膜之间的密接性低的树脂的情况下，所述构造体的树脂与金属薄膜仍牢固密接地层叠，所述成膜方法能制造以高密接性在与金属薄膜之间的密接性低的树脂制的工件上制成金属薄膜而成的构造体，所述构造体是利用溅射法，在甲基丙烯酸树脂制的工件W上形成Al薄膜102，由工件W与Al薄膜102层叠而成，在工件W与Al薄膜102之间包括混合有Al、Si、O、C的混合区域101。在混合区域101中，Al与Si、O、C中的任一者共价键结，或者Al与Si、O、C形成扩散混合层。
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公开(公告)号：CN102667507A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN200980162866.X
申请日：2009-12-10
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor： 今井大辅
IPC: G01R31/00 , G01N23/225 , G02F1/13 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30
Abstract: 包括缺陷检测部，该缺陷检测部基于二次电子检测器的检测信号及热检测器的检测信号，对TFT基板的缺陷进行检测，缺陷检测部包括：TFT阵列缺陷检测部，基于二次电子的检测器的检测信号来对TFT阵列的缺陷进行检测；以及短路缺陷检测部，基于热检测器的检测信号来对短路缺陷进行检测，TFT阵列缺陷检测部依次从基板所具有的多个面板中选择一个面板，进行TFT阵列缺陷检测，短路缺陷检测部同时对基板所具有的全部的面板进行短路缺陷检测。当对于形成有多个面板的基板，进行利用电子束照射的缺陷检测与利用热检测的短路缺陷检测时，使整个基板的缺陷检测时间缩短。
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公开(公告)号：CN101449175B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200780000989.4
申请日：2007-06-11
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G09G3/006 , G01R31/305 , G09G2300/08 , G09G2330/10
Abstract: 本发明的TFT阵列检查装置可在TFT阵列检查步骤中对TFT阵列的缺陷种类进行分类。本发明的TFT阵列检查装置(1)是根据电子射线在TFT阵列上进行二维扫描所获得的检测波形来检测TFT缺陷的TFT阵列检查装置，其具备对TFT的缺陷种类进行分类的缺陷种类分类部(6)。缺陷种类分类部(6)藉由对预先准备的基准波形与检测波形进行比较，而对TFT的缺陷种类进行分类。藉由将TFT阵列检查所获取的检查波形与已知的基准波形进行比较，可进行缺陷种类的分类，且可判别于图像显示中无法区别的缺陷种类。
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公开(公告)号：CN101133473B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200680007110.4
申请日：2006-03-28
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor： 今井大辅
IPC: H01J37/22
CPC classification number: H01J37/22
Abstract: 在将来自多个荷电粒子束源的荷电粒子束二维扫描于试料上，并形成扫描图像的扫描束装置中，具有：第1步骤(S3)，其针对借由各荷电粒子束所获得的各扫描图像的讯号强度，求出讯号强度分布；第2步骤(S4)，其以成为同一分布形状的方式使各讯号强度分布的分布形状一致；以及第3步骤，其求出使各讯号强度分布的分布形状为同一分布形状时的各扫描图像的讯号强度。注目在由试料的测试对象而获得的扫描图像的强度分布的分布形状，在来自各荷电粒子束源而获得的扫描图像中，使该强度分布的分布形状一致，因此无需使用基准强度，即可降低借由多个荷电粒子束源所取得的扫描图像的讯号强度的不均一。
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公开(公告)号：CN101080801A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200680001306.2
申请日：2006-01-20
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor： 今井大辅
CPC classification number: H01J37/28 , H01J37/222 , H01J37/265 , H01J37/3045 , H01J2237/2817
Abstract: 本发明的目的在于提供一种扫描电子束照射装置，能够自动地校正扫描信号的视野偏移。本发明的扫描电子束照射装置(1)，具备：于二次元方向可移动的平台(3)、照射扫描电子束至试料的电子束源(2)、设置于试料的标记、检测出扫描电子束的照射位置而来的荷电粒子等的检测机构(4)、根据此检测机构而来的检测信号，形成扫描图像的图像形成机构(5)、检测出此图像形成机构所形成的扫描图像中的标记位置的位置偏移，并算出位置偏移校正系数，控制电子束源及平台的驱动的控制机构(7、8、9)。藉由采用具有多个电子束源的装置，可以校正电子束源间的相对的位置关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103858220A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201280049913.1
申请日：2012-05-23
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H01L21/677 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/4587 , H01L21/67781
Abstract: 本发明包括基板载板（21）及基板搭载装置（10），所述基板载板（21）具有在垂直方向上延伸且定义出在水平方向上排列的多个矩形基板搭载区域（211）的搭载面（210），且在各个基板搭载区域（211）的外周的左边、右边及下边分别配置着左边固定销、右边固定销及下边固定销，所述基板搭载装置（10）包括：基板保持机构（15），将多个矩形基板（100）以各自的主面配置在同一平面水平的状态进行保持；基板移动机构（11），以从水平方向观察时相对于基板搭载区域（211）而倾斜的姿势使所保持的多个基板（100）的主面与搭载面（210）接近且相对向；及基板旋转机构（13），使多个基板（100）以一个旋转轴为中心而沿着搭载面（210）同时旋转。
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公开(公告)号：CN103451628A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310109475.X
申请日：2013-03-27
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: C23C16/458
Abstract: 本发明是有关于一种样品支持器，可改善在利用等离子化学气相沉积法的成膜处理步骤中，形成在基板上的薄膜的膜厚分布。本发明的样品支持器被储存在等离子处理装置中，且样品支持器被安装在与呈梳齿状配置的电极对向的位置；且样品支持器具有搭载面，该搭载面沿着定义搭载处理对象的基板的搭载区域的垂直方向延伸，且搭载面的外缘的角部被进行C修角或R修角。
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公开(公告)号：CN101461063A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200680054826.X
申请日：2006-08-01
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H01L27/12 , G01N21/88 , G01N23/225 , G02F1/13 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L21/3205 , H01L21/66 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136259 , G01N2021/9513 , H01L27/1214
Abstract: 一种基板检查及修正装置，包括：检查部，对形成着TFT阵列的基板进行缺陷检查；以及修正部，对缺陷阵列进行修正；且，利用检查部和修正部在同一腔室内对基板进行缺陷检查与缺陷修正。由此，使基板的移动的相关步骤简化，另外，使装置与中央系统服务器之间所进行的数据的发送接收步骤简化。更详细而言，由第一检查部来输出缺陷部位的像素坐标数据、和缺陷部位的缺陷类型的缺陷类型数据，由修正部根据第一检查部检测出的缺陷部位的像素坐标数据、和已确认的缺陷类型的缺陷类型数据，来对所述缺陷部位进行修正。第二检查部对基板的像素单位的TFT阵列的驱动状态进行检查，并输出TFT阵列的驱动状态数据，且对修正后的状态进行重新检查。
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公开(公告)号：CN101449175A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780000989.4
申请日：2007-06-11
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G09G3/006 , G01R31/305 , G09G2300/08 , G09G2330/10
Abstract: 本发明的TFT阵列检查装置可在TFT阵列检查步骤中对TFT阵列的缺陷种类进行分类。本发明的TFT阵列检查装置(1)是根据电子射线在TFT阵列上进行二维扫描所获得的检测波形来检测TFT缺陷的TFT阵列检查装置，其具备对TFT的缺陷种类进行分类的缺陷种类分类部(6)。缺陷种类分类部(6)藉由对预先准备的基准波形与检测波形进行比较，而对TFT的缺陷种类进行分类。藉由将TFT阵列检查所获取的检查波形与已知的基准波形进行比较，可进行缺陷种类的分类，且可判别于图像显示中无法区别的缺陷种类。
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公开(公告)号：CN103534383B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180069697.2
申请日：2011-09-22
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: C23C16/455 , C23C16/509 , C23C16/515
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/509 , C23C16/515 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提出一种薄膜形成装置，在基板上形成钝化膜，且包括：腔室，被导入包含钝化膜的原料气体的反应气体；基板底板，配置于腔室内，且载置基板；电极，配置于腔室内，在基板底板上的与基板相对向的面形成着槽；以及交流电源，一边使大于或等于50kHz且小于或等于450kHz的频率的交流电力的供给以固定的周期停止，一边将该交流电力供给至基板底板与电极之间，且在基板的上表面激发包含原料气体的等离子体。
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