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公开(公告)号：CN103534383B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201180069697.2
申请日：2011-09-22
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: C23C16/455 , C23C16/509 , C23C16/515
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/509 , C23C16/515 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提出一种薄膜形成装置，在基板上形成钝化膜，且包括：腔室，被导入包含钝化膜的原料气体的反应气体；基板底板，配置于腔室内，且载置基板；电极，配置于腔室内，在基板底板上的与基板相对向的面形成着槽；以及交流电源，一边使大于或等于50kHz且小于或等于450kHz的频率的交流电力的供给以固定的周期停止，一边将该交流电力供给至基板底板与电极之间，且在基板的上表面激发包含原料气体的等离子体。
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公开(公告)号：CN101099419A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200680001834.8
申请日：2006-04-26
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/31
CPC classification number: H01J37/32192 , H05H1/46
Abstract: 一种表面波激发等离子体处理装置，其可一直维持以大面积生成均匀的等离子体。此表面波激发等离子体处理装置的等离子源(10)包括：微波产生装置、微波导波管(12)、以及介电体块(13)，等离子源(20)亦同样包括：微波产生装置、微波导波管(22)、以及介电体块(23)。于腔室(1)的盖体(3)上，并列安装有微波导波管(12、22)，并将介电体块(13、23)配设于腔室(1)内。使反射板(30)设于介电体块(13)与(23)之间，以阻止传播于介电体块(13、23)内的电磁波(微波)作为反射波而相互进入。藉此，独立控制等离子源(10、20)。又，于介电体块(13、23)的外周部配设有侧反射体(40)，以形成传播于介电体块(13、23)内的电磁波的驻波，并以大面积均匀地形成表面波SW的驻波模式。
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公开(公告)号：CN103534383A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201180069697.2
申请日：2011-09-22
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: C23C16/455 , C23C16/509 , C23C16/515
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/509 , C23C16/515 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , Y02E10/50
Abstract: 一种薄膜形成装置在基板上形成钝化膜，且包括：腔室，被导入包含钝化膜的原料气体的反应气体；基板底板，配置于腔室内，且载置基板；电极，配置于腔室内，在基板底板上的与基板相对向的面形成着槽；以及交流电源，一边使大于或等于40kHz且小于或等于450kHz的频率的交流电力的供给以固定的周期停止，一边将该交流电力供给至基板底板与电极之间，且在基板的上表面激发包含原料气体的等离子体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100442574C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200410042096.4
申请日：2004-04-30
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: C23C16/463 , C23C16/4586 , C23C16/466 , C23C16/511
Abstract: 本发明公开了一种沉积用于有机电致发光的保护薄膜的设备和方法，在通过表面波等离子体化学气相沉积(SWP-CVD)法沉积薄膜的薄膜沉积设备中，对上面放置有基底(9)的基底支架(8)配置冷却装置，由此防止在薄膜沉积期间可能引起的基底(9)温度升高。在基底支架(8)中形成冷却剂通道(81)，从冷却器(4)输送的冷却剂经冷却剂通道(81)循环，由此冷却基底支架(8)。另外，在被放置基底的基底支架的表面形成槽(82)，并且通过使He气流经槽(82)来冷却基底(9)。
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公开(公告)号：CN1543272A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410042096.4
申请日：2004-04-30
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H05B33/10
CPC classification number: C23C16/463 , C23C16/4586 , C23C16/466 , C23C16/511
Abstract: 本发明公开了一种沉积用于有机电致发光的保护薄膜的设备和方法，在通过表面波等离子体化学气相沉积(SWP－CVD)法沉积薄膜的薄膜沉积设备中，对上面放置有基底(9)的基底支架(8)配置冷却装置，由此防止在薄膜沉积期间可能引起的基底(9)温度升高。在基底支架(8)中形成冷却剂通道(81)，从冷却器(4)输送的冷却剂经冷却剂通道(81)循环，由此冷却基底支架(8)。另外，在被放置基底的基底支架的表面形成槽(82)，并且通过使He气流经槽(82)来冷却基底(9)。
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公开(公告)号：CN114929926A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080092190.8
申请日：2020-02-28
Applicant: 株式会社岛津制作所
Abstract: 本发明的带金属膜的物体包括：基材，包含树脂或玻璃；金属膜，覆盖基材的至少一部分；第一层，位于基材与金属膜之间，以构成金属膜的金属的氧化物为主成分；以及第二层，位于所述基材与所述第一层之间，以所述基材的组合物的氧化物为主成分，所述第一层对所述第二层的密接强度为3[N/cm]以上。
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公开(公告)号：CN112292473A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201980035587.0
申请日：2019-05-31
Abstract: 导电膜形成方法包括：在远离耐压腔室内所设置的高密度等离子体产生源的位置配置处理对象物；对耐压腔室内进行减压；对等离子体产生源供给反应气体而形成等离子体状态；使处理对象物曝露于等离子体产生源中经高反应性化的反应气体中；不使曝露于反应气体的处理对象物曝露于大气中而对处理对象物的表面的一部分进行种晶层的成膜；通过无电解电镀、电解电镀或干式成膜工艺在成膜于处理对象物的种晶层的表面的一部分形成金属膜；以及对形成有种晶层及金属膜的处理对象物进行热处理。
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公开(公告)号：CN103451628A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310109475.X
申请日：2013-03-27
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: C23C16/458
Abstract: 本发明是有关于一种样品支持器，可改善在利用等离子化学气相沉积法的成膜处理步骤中，形成在基板上的薄膜的膜厚分布。本发明的样品支持器被储存在等离子处理装置中，且样品支持器被安装在与呈梳齿状配置的电极对向的位置；且样品支持器具有搭载面，该搭载面沿着定义搭载处理对象的基板的搭载区域的垂直方向延伸，且搭载面的外缘的角部被进行C修角或R修角。
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