公开(公告)号：CN113811763A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202080035521.4

申请日：2020-05-14

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 山下光夫 ,  児玉博明 ,  野地健俊 ,  篠原真

IPC: G01N27/83

Abstract: 一种磁性体的劣化预测装置，具备：磁传感器(10)，其对受到了作为检查对象的磁性体(W)的影响的磁场进行检测来输出传感器信号；劣化得分估算单元(51)，其基于传感器信号来估算表示磁性体的劣化程度的劣化得分；劣化得分存储部(41)，其存储劣化得分；劣化预测模型存储部(42)，其存储示出劣化程度的变化的劣化预测模型；劣化预测模型更新单元(52)，其更新劣化预测模型，由此获取更新后的劣化预测模型；以及劣化得分预测单元(53)，其估计将来的劣化得分。

公开(公告)号：CN101107534B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200680002471.X

申请日：2006-04-20

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 篠原真

IPC: G01R31/00 ,  G01N23/225 ,  G01N21/956 ,  G01R31/02

CPC classification number: G01N21/956 ,  G01N23/225 ,  G02F2001/136254 ,  H01J2237/2594

Abstract: 本发明的TFT阵列基板检查装置(1)包括：驱动状态检测装置(例如是，具备电子束源(2)与二次电子检测器(5)的单元，或是具备电子束源(12)与二次电子检测器(15)的单元，或是具备光源(22)与光检测器(25)的单元，亦或是具备光源(32)与光检测器(35)的单元)，用以检测TFT阵列基板(10)的晶体管的驱动状态。并包括：晶体管特性变化装置(可视光照射装置(4)、加热器(14)、电磁波加热装置(24)、加热器(34))，用以改变构成TFT阵列基板(10)的晶体管的特性。更包括：检查装置(6、16、26、36)，由上述驱动状态检测装置的输出，检查上述晶体管的特性产生变化状态的上述TFT阵列基板(10)的驱动状态。

公开(公告)号：CN101449175B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200780000989.4

申请日：2007-06-11

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 今井大辅 ,  篠原真

IPC: G01R31/00

CPC classification number: G09G3/006 ,  G01R31/305 ,  G09G2300/08 ,  G09G2330/10

Abstract: 本发明的TFT阵列检查装置可在TFT阵列检查步骤中对TFT阵列的缺陷种类进行分类。本发明的TFT阵列检查装置(1)是根据电子射线在TFT阵列上进行二维扫描所获得的检测波形来检测TFT缺陷的TFT阵列检查装置，其具备对TFT的缺陷种类进行分类的缺陷种类分类部(6)。缺陷种类分类部(6)藉由对预先准备的基准波形与检测波形进行比较，而对TFT的缺陷种类进行分类。藉由将TFT阵列检查所获取的检查波形与已知的基准波形进行比较，可进行缺陷种类的分类，且可判别于图像显示中无法区别的缺陷种类。

公开(公告)号：CN101449175A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780000989.4

申请日：2007-06-11

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 今井大辅 ,  篠原真

IPC: G01R31/00

CPC classification number: G09G3/006 ,  G01R31/305 ,  G09G2300/08 ,  G09G2330/10

Abstract: 本发明的TFT阵列检查装置可在TFT阵列检查步骤中对TFT阵列的缺陷种类进行分类。本发明的TFT阵列检查装置(1)是根据电子射线在TFT阵列上进行二维扫描所获得的检测波形来检测TFT缺陷的TFT阵列检查装置，其具备对TFT的缺陷种类进行分类的缺陷种类分类部(6)。缺陷种类分类部(6)藉由对预先准备的基准波形与检测波形进行比较，而对TFT的缺陷种类进行分类。藉由将TFT阵列检查所获取的检查波形与已知的基准波形进行比较，可进行缺陷种类的分类，且可判别于图像显示中无法区别的缺陷种类。

公开(公告)号：CN101107534A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200680002471.X

申请日：2006-04-20

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 篠原真

IPC: G01R31/00 ,  G01N23/225 ,  G01N21/956 ,  G01R31/02

CPC classification number: G01N21/956 ,  G01N23/225 ,  G02F2001/136254 ,  H01J2237/2594

Abstract: 本发明的TFT阵列基板检查装置(1)包括：驱动状态检测装置(例如是，具备电子束源(2)与二次电子检测器(5)的单元，或是具备电子束源(12)与二次电子检测器(15)的单元，或是具备光源(22)与光检测器(25)的单元，亦或是具备光源(32)与光检测器(35)的单元)，用以检测TFT阵列基板(10)的晶体管的驱动状态。并包括：晶体管特性变化装置(可视光照射装置(4)、加热器(14)、电磁波加热装置(24)、加热器(34))，用以改变构成TFT阵列基板(10)的晶体管的特性。更包括：检查装置(6、16、26、36)，由上述驱动状态检测装置的输出，检查上述晶体管的特性产生变化状态的上述TFT阵列基板(10)的驱动状态。