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公开(公告)号：CN1312742C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200310117928.X
申请日：2000-03-14
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
Abstract: 一种用于抛光机的抛光垫，在上述抛光机中，抛光工件在抛光垫与抛光工件之间置入抛光剂的状态下通过使上述抛光垫与抛光工件之间产生相对运动而受到抛光，上述抛光垫的特征在于，在该抛光垫的表面上周期性地或非周期性地形成两种或多种不同类型的凹凸形结构。还提出了使用本发明抛光垫的抛光机和使用这种抛光机制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN1150601C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN00802085.X
申请日：2000-03-14
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/205 , B24B37/013 , B24B49/04 , B24B49/12
Abstract: 透明窗板(31)装配在制造于抛光垫(21)中的孔中。透明窗板(31)的上部与用作抛光垫(21)的抛光表面的上部之间存在距离a。抛光时，支撑晶片的抛光头借助于加压机构压到抛光垫上，抛光垫(21)和透明窗板(31)被压缩。然而，所说距离a在一基准值之上保持恒定。透明窗板(31)的上部从抛光体(21)的上部凹下，因此，在修整期间，透明窗板(31)的表面不会被划伤，所以可以延长抛光垫的寿命。
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公开(公告)号：CN101791781B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201010144082.9
申请日：2000-12-19
Applicant: 株式会社尼康
IPC: B24B37/04 , G01B11/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及抛光状态监视方法、抛光状态监视装置、抛光设备、加工晶片、半导体器件制造方法和半导体器件。在晶片的抛光以前，把具有与晶片一样的形状和尺寸的反射物体替换晶片固定在抛光头上。在抛光底盘中的窗口和反射物体之间放入抛光剂，并且用与晶片的抛光期间施加的压力一样的压力把反射物体压向抛光底盘。在这样的状况下，用从光源发射的探测光经由窗口照射反射物体，并且从传感器获得反射光的光谱强度作为参考光谱。在晶片的抛光期间，从传感器陆续获得从晶片反射的光的光谱强度作为一些测量光谱。测定这些测量光谱对上述的参考光谱的强度比率，并根据这样的强度比率监视晶片的抛光状态。
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公开(公告)号：CN100472728C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200580046833.0
申请日：2005-12-21
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02074 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/76826 , H01L21/76828
Abstract: 本发明提供一种CMP研磨方法，可对采用疏水化了的多孔质物质作为在基板上形成的半导体集成电路的层间绝缘膜材料的东西，在用含有界面活性剂的清洗液清洗去除残留在基板表面上的料浆和研磨残留物后，有效地去除渗入到层间绝缘膜中的有机物质。如果用含有界面活性剂的清洗液清洗，来去除残留的料浆和研磨残留物，含有界面活性剂的清洗液中的有机物就会渗入到层间绝缘膜(3)中。因此，之后用有机溶剂或含有有机溶剂的溶液清洗基板，进行渗入到层间绝缘膜(3)中的有机物的清洗去除。层间绝缘膜(3)虽然进行了疏水化处理，但是因为是有机溶剂，所以不受它的影响，可渗入到层间绝缘膜(3)中，将有机物溶解、清洗去除。
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公开(公告)号：CN1551303A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200310117928.X
申请日：2000-03-14
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/205 , B24B37/26
Abstract: 一种用于抛光机的抛光盘，在上述抛光机中，抛光工件在抛光盘与抛光工件之间置入抛光剂的状态下通过使上述抛光盘与抛光工件之间产生相对运动而受到抛光，上述抛光盘的特征在于，在该抛光盘的表面上周期性地或非周期性地形成两种或多种不同类型的凹凸形结构。还提出了使用本发明抛光盘的抛光机和使用这种抛光机制造半导体器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1484851A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN02803439.2
申请日：2002-01-15
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L22/26 , B24B37/042 , B24B49/00 , B24B49/04 , H01L21/3212
Abstract: 构成要素的抛光条件和通过这些抛光条件获得的加工形状(抛光量)之间的关系，与抛光对象的类型和对于该抛光对象的抛光公用的抛光条件(不变的抛光条件)一起，预先输入到抛光条件确定装置中。抛光条件确定装置基于这些条件确定抛光条件。特别地，构成要素的上述抛光条件以时间序列给出，或者构成要素的上述抛光条件的组合转换成抛光体摆动速度的变化，并且与摆动位置对应的摆动速度被确定。抛光设备控制装置输入由抛光条件确定装置确定的抛光条件，并且控制抛光设备使得这些条件被实现。结果，用于在加工设备中获得指定加工形状的加工条件可以简单并准确地确定。
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公开(公告)号：CN1345264A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN00805734.6
申请日：2000-03-14
Applicant: 株式会社尼康
IPC: B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/205 , B24B37/26
Abstract: 一种非泡沫型材料制成的用于化学机械抛光(CMP)机的硬质抛光盘,在该抛光盘的表面上组合地形成螺旋形槽或同心圆环形槽和栅格式槽,这些槽的交叉角为2°或更大些,使抛光盘表面上没有曲率半径≤50μm的刃边,因此不产生毛边,抛光工件不会出现划痕,从而提高了抛光速度。
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公开(公告)号：CN1322374A
公开(公告)日：2001-11-14
申请号：CN00802085.X
申请日：2000-03-14
Applicant: 株式会社尼康
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/205 , B24B37/013 , B24B49/04 , B24B49/12
Abstract: 透明窗板(31)装配在制造于抛光垫(21)中的孔中。透明窗板(31)的上部与用作抛光垫(21)的抛光表面的上部之间存在距离a。抛光时,支撑晶片的抛光头借助于加压机构压到抛光垫上,抛光垫(21)和透明窗板(31)被压缩。然而,所说距离a在一基准值之上保持恒定。透明窗板(31)的上部从抛光体(21)的上部凹下,因此,在修整期间,透明窗板(31)的表面不会被划伤,所以可以延长抛光垫的寿命。
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公开(公告)号：CN101791781A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010144082.9
申请日：2000-12-19
Applicant: 株式会社尼康
IPC: B24B37/04 , G01B11/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/013 , B24B49/12 , G01B11/06 , H01L21/30625 , H01L21/67253
Abstract: 本发明涉及抛光状态监视方法、抛光状态监视装置、抛光设备、加工晶片、半导体器件制造方法和半导体器件。在晶片的抛光以前，把具有与晶片一样的形状和尺寸的反射物体替换晶片固定在抛光头上。在抛光底盘中的窗口和反射物体之间放入抛光剂，并且用与晶片的抛光期间施加的压力一样的压力把反射物体压向抛光底盘。在这样的状况下，用从光源发射的探测光经由窗口照射反射物体，并且从传感器获得反射光的光谱强度作为参考光谱。在晶片的抛光期间，从传感器陆续获得从晶片反射的光的光谱强度作为一些测量光谱。测定这些测量光谱对上述的参考光谱的强度比率，并根据这样的强度比率监视晶片的抛光状态。
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公开(公告)号：CN101107697A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200580046833.0
申请日：2005-12-21
Applicant: 株式会社尼康 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02074 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/76826 , H01L21/76828
Abstract: 本发明提供一种CMP研磨方法，可对采用疏水化了的多孔质物质作为在基板上形成的半导体集成电路的层间绝缘膜材料的东西，在用含有界面活性剂的清洗液清洗去除残留在基板表面上的料浆和研磨残留物后，有效地去除渗入到层间绝缘膜中的有机物质。如果用含有界面活性剂的清洗液清洗，来去除残留的料浆和研磨残留物，含有界面活性剂的清洗液中的有机物就会渗入到层间绝缘膜(3)中。因此，之后用有机溶剂或含有有机溶剂的溶液清洗基板，进行渗入到层间绝缘膜(3)中的有机物的清洗去除。层间绝缘膜(3)虽然进行了疏水化处理，但是因为是有机溶剂，所以不受它的影响，可渗入到层间绝缘膜(3)中，将有机物溶解、清洗去除。
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