公开(公告)号：CN100472728C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200580046833.0

申请日：2005-12-21

Applicant: 株式会社尼康 ,  株式会社荏原制作所

Inventor： 高田省三 ,  松尾尚典 ,  石川彰

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C11D7/5013 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828

Abstract: 本发明提供一种CMP研磨方法，可对采用疏水化了的多孔质物质作为在基板上形成的半导体集成电路的层间绝缘膜材料的东西，在用含有界面活性剂的清洗液清洗去除残留在基板表面上的料浆和研磨残留物后，有效地去除渗入到层间绝缘膜中的有机物质。如果用含有界面活性剂的清洗液清洗，来去除残留的料浆和研磨残留物，含有界面活性剂的清洗液中的有机物就会渗入到层间绝缘膜(3)中。因此，之后用有机溶剂或含有有机溶剂的溶液清洗基板，进行渗入到层间绝缘膜(3)中的有机物的清洗去除。层间绝缘膜(3)虽然进行了疏水化处理，但是因为是有机溶剂，所以不受它的影响，可渗入到层间绝缘膜(3)中，将有机物溶解、清洗去除。

公开(公告)号：CN101107697A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200580046833.0

申请日：2005-12-21

Applicant: 株式会社尼康 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  株式会社荏原制作所

Inventor： 高田省三 ,  松尾尚典 ,  石川彰

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C11D7/5013 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828

Abstract: 本发明提供一种CMP研磨方法，可对采用疏水化了的多孔质物质作为在基板上形成的半导体集成电路的层间绝缘膜材料的东西，在用含有界面活性剂的清洗液清洗去除残留在基板表面上的料浆和研磨残留物后，有效地去除渗入到层间绝缘膜中的有机物质。如果用含有界面活性剂的清洗液清洗，来去除残留的料浆和研磨残留物，含有界面活性剂的清洗液中的有机物就会渗入到层间绝缘膜(3)中。因此，之后用有机溶剂或含有有机溶剂的溶液清洗基板，进行渗入到层间绝缘膜(3)中的有机物的清洗去除。层间绝缘膜(3)虽然进行了疏水化处理，但是因为是有机溶剂，所以不受它的影响，可渗入到层间绝缘膜(3)中，将有机物溶解、清洗去除。