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公开(公告)号：CN102509733B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201110320098.5
申请日：2006-08-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/14645 , H01L27/3227 , H01L27/3253 , H01L27/3288 , H01L2227/326 , Y10S257/918
Abstract: 本发明涉及发光装置及其制造方法。为了防止在形成发光装置期间的点缺陷和线缺陷，从而提高成品率。设置在不同基板上面的发光元件和发光元件的驱动电路被电连接。即，发光元件和发光元件的驱动电路先形成在不同的基板上面，然后被电连接。通过在不同的基板上面设置发光元件和发光元件的驱动电路，可分开进行形成发光元件的步骤和形成发光元件驱动电路的步骤。因此，可增加每个步骤的自由度，且该处理能够被弹性地改变。此外，能够比传统技术减少用于形成发光元件表面上的台阶(凹凸不平之处)。
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公开(公告)号：CN101127519B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710153390.6
申请日：2003-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H03K17/6871 , H02M7/538 , H02P8/00 , H03K17/145 , H04L25/0264
Abstract: 对于晶体管，由于制造工艺和所使用基片的不同出现栅极绝缘膜的变化以及由此在沟道形成区结晶状态的变化等因素是部分一致的，因此产生晶体管的阈值电压和迁移率的变化。本发明提供一种使用整流型器件的电路，其中当在该器件两端的电极施加电位差时，仅在单一方向产生电流。其次，本发明提供一种电路，它利用了一个事实，即当信号电压被输入到整流型器件的一个端子时，另一端子的电位成为只被整流型器件的阈值电压补偿的电位。
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公开(公告)号：CN101044624A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580036112.1
申请日：2005-10-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0579 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/04 , H01L27/112 , H01L27/115 , H01L51/0051 , H01L51/0059
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体器件，其中能够在制造半导体器件以外的时候写入数据，并且能够防止出现仿冒品。此外，本发明的另一个目的在于提供一种包括具有简单的结构的存储器的廉价半导体器件。所述半导体器件包括：形成于单晶半导体衬底之上的场效应晶体管，形成于所述场效应晶体管之上的第一导电层，形成于所述第一导电层之上的有机化合物层，以及形成于所述有机化合物层之上的第二导电层，一种存储元件包括：第一导电层、有机化合物和第二导电层。根据上述结构，可以通过设置天线提供一种能够执行非接触数据发射/接收的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1893094A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610101627.1
申请日：2006-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G06K19/077
CPC classification number: H01L27/1218 , H01L21/76882 , H01L21/76898 , H01L23/16 , H01L23/3192 , H01L23/49833 , H01L23/4985 , H01L23/564 , H01L27/1214 , H01L27/1262 , H01L27/1266 , H01L2924/0002 , H01L2924/19041 , Y10S438/928 , Y10S438/959 , Y10S438/977 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体器件，其中提高了阻挡性，实现了小型化、薄型化、以及轻量化，具有柔性。本发明提供通过在一对衬底内侧的空间设置包括多个晶体管的叠层体来抑制有害物质的侵入，以提高了阻挡性的半导体器件。此外，本发明提供通过使用一对由磨削和抛光而实现了薄膜化的衬底，实现了小型化、薄型化、轻量化的半导体器件。此外，提供一种具有柔性以实现了高附加价值化的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1722393A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510084624.7
申请日：2005-07-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L21/56 , B32B37/153 , B32B37/226 , B32B2305/342 , B32B2519/02 , G06K19/07718 , G06K19/07749 , H01L21/67132 , H01L2924/0002 , Y10T156/1095 , Y10T156/1734 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种层压系统，其中，用于密封薄膜集成电路的第二和第三基板之一在以加热熔融态挤压出的同时提供给具有多个薄膜集成电路的第一基板，其它辊子用于供应其它基板、接收IC芯片、分离和密封。通过旋转辊子可连续地进行以下步骤：分离在第一基板上设置的薄膜集成电路；密封分离的薄膜集成电路；和接收密封的薄膜集成电路。因此，极大地提高了生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1433144A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN03100795.3
申请日：2003-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03F3/50
CPC classification number: H03F3/45179 , G11C27/028 , H03F3/082 , H03F3/45183 , H03K19/00384
Abstract: 由于制造过程或所采用的基片中的差别而引起的门极绝缘薄膜中的变化，以及沟道区域晶体状态中的变化，这两种因素的结合产生的阈值电压的变化或变动性困扰着晶体管。本发明提供了一种电路，该电路具有一种配置，使得电容元件的两个电极能够保持一个特定晶体管的门极－源极电压。本发明提供了一种电路，该电路能够通过使用一种恒流源来在所述电容元件的两个电极之间设定一个电位差。
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公开(公告)号：CN1893094B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200610101627.1
申请日：2006-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G06K19/077
CPC classification number: H01L27/1218 , H01L21/76882 , H01L21/76898 , H01L23/16 , H01L23/3192 , H01L23/49833 , H01L23/4985 , H01L23/564 , H01L27/1214 , H01L27/1262 , H01L27/1266 , H01L2924/0002 , H01L2924/19041 , Y10S438/928 , Y10S438/959 , Y10S438/977 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体器件，其中提高了阻挡性，实现了小型化、薄型化、以及轻量化，具有柔性。本发明提供通过在一对衬底内侧的空间设置包括多个晶体管的叠层体来抑制有害物质的侵入，以提高了阻挡性的半导体器件。此外，本发明提供通过使用一对由磨削和抛光而实现了薄膜化的衬底，实现了小型化、薄型化、轻量化的半导体器件。此外，提供一种具有柔性以实现了高附加价值化的半导体器件。
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公开(公告)号：CN100592520C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200580036324.X
申请日：2005-10-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/00 , G11C17/14 , G11C17/143 , G11C17/16 , H01L27/285 , H01L51/0051 , H01L51/0059
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及所述半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有存储元件，所述存储元件具有在一对导电层之间插置有机化合物层的简单结构。凭借这一特点，提供了一种半导体器件以及所述半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有的存储电路是非易失的、可额外写入的，并且易于制造。根据本发明的半导体器件具有设置于绝缘层上的多个场效应晶体管和设置于所述多个场效应晶体管上的多个存储元件。所述多个场效应晶体管中的每者采用单晶半导体层作为沟道部分，所述多个存储元件中的每者是通过按顺序叠置第一导电层、有机化合物层和第二导电层形成的元件。
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公开(公告)号：CN100565623C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200410063291.5
申请日：2004-06-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , H01L27/146 , H01L27/15 , H04N1/028 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/3234 , G09G3/30 , G09G2340/0492 , H01L27/14678 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L2251/5323
Abstract: 可以提供一种显示装置和电子装置，其中通过采用加入成像器件的方法获得读出功能并利用体积小的面板来实现更加完善和高附加值。按照本发明的显示装置和电子装置具有在其透光基片的一个表面上的第一显示面和排列成矩阵的多个像素以及在所述基片另一表面上的第二显示面。多个像素各自配备有晶体管、成像器件和向第一显示面和向第二显示面发光的发光元件。所述发光元件具有两个功能：读出对象信息时起光源作用；以及显示图像。于是，按照本发明的显示装置具有两个功能：利用成像器件读出对象信息的图像传感器功能；以及利用成像器件和发光元件显示图像的显示功能。
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公开(公告)号：CN101127519A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710153390.6
申请日：2003-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H03K17/6871 , H02M7/538 , H02P8/00 , H03K17/145 , H04L25/0264
Abstract: 对于晶体管，由于制造工艺和所使用基片的不同出现栅极绝缘膜的变化以及由此在沟道形成区结晶状态的变化等因素是部分一致的，因此产生晶体管的阈值电压和迁移率的变化。本发明提供一种使用整流型器件的电路，其中当在该器件两端的电极施加电位差时，仅在单一方向产生电流。其次，本发明提供一种电路，它利用了一个事实，即当信号电压被输入到整流型器件的一个端子时，另一端子的电位成为只被整流型器件的阈值电压补偿的电位。
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