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公开(公告)号：CN101675525B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200880014873.0
申请日：2008-11-11
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/407 , H01L29/7397
Abstract: 本发明提供一种在具有载流子屏蔽层的垂直型半导体装置中进一步降低通态电阻(或者通态电压)的技术。半导体装置(10)的半导体衬底(20)具有沟道区(10A)和非沟道区(10B)。在沟道区(10A)中设置有发射区(26)，其与沟槽栅(30)的侧面接触并与发射极(28)形成电连接。在非沟道区(10B)的体区(25)中没有设置发射区(26)。在俯视时，配置在非沟道区(10B)中的载流子屏蔽层(52)在非沟道区(10B)所占的占有面积比，要高于配置在沟道区(10A)中的载流子屏蔽层(52)在沟道区(10A)所占的占有面积比。
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公开(公告)号：CN101675525A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200880014873.0
申请日：2008-11-11
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/407 , H01L29/7397
Abstract: 本发明提供一种在具有载流子屏蔽层的垂直型半导体装置中进一步降低通态电阻(或者通态电压)的技术。半导体装置(10)的半导体衬底(20)具有沟道区(10A)和非沟道区(10B)。在沟道区(10A)中设置有发射区(26)，其与沟槽栅(30)的侧面接触并与发射极(28)形成电连接。在非沟道区(10B)的体区(25)中没有设置发射区(26)。在俯视时，配置在非沟道区(10B)中的载流子屏蔽层(52)在非沟道区(10B)所占的占有面积比，要高于配置在沟道区(10A)中的载流子屏蔽层(52)在沟道区(10A)所占的占有面积比。
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公开(公告)号：CN1316628C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200410074196.5
申请日：2004-09-01
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L23/58
Abstract: 一种半导体器件及制造方法，是防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38的重叠区域(39)对向，上述重叠区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38)中的深的一方的深度的1/3以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106463523A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580018795.1
申请日：2015-02-10
CPC classification number: H01L29/66068 , H01L21/046 , H01L21/76237 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0649 , H01L29/0696 , H01L29/105 , H01L29/1608 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置，其具有半导体基板、表面电极、以及背面电极，并且对表面电极与背面电极之间进行开关，且该绝缘栅型半导体装置具有：第一外周沟槽，其被形成在半导体基板的表面上；第二外周沟槽，其被形成在半导体基板的表面上，并与第一外周沟槽相比而较深；第二导电型的第五区域，其露出于第一外周沟槽的底面上；第二导电型的第六区域，其露出于第二外周沟槽的底面上，且表面侧的端部与第五区域的背面侧的端部相比而位于背面侧；第一导电型的第七区域，其使第五区域与第六区域分离。
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公开(公告)号：CN1967869B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610165662.X
申请日：2004-09-01
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L23/58 , H01L21/331 , H01L21/336
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，其防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38)的重叠区域(39)对向，上述重叠区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38)中的深的一方的深度的1/3以上。
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公开(公告)号：CN106463523B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201580018795.1
申请日：2015-02-10
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置，其具有半导体基板、表面电极、以及背面电极，并且对表面电极与背面电极之间进行开关，且该绝缘栅型半导体装置具有：第一外周沟槽，其被形成在半导体基板的表面上；第二外周沟槽，其被形成在半导体基板的表面上，并与第一外周沟槽相比而较深；第二导电型的第五区域，其露出于第一外周沟槽的底面上；第二导电型的第六区域，其露出于第二外周沟槽的底面上，且表面侧的端部与第五区域的背面侧的端部相比而位于背面侧；第一导电型的第七区域，其使第五区域与第六区域分离。
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公开(公告)号：CN1967869A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610165662.X
申请日：2004-09-01
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L23/58 , H01L21/331 , H01L21/336
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件及制造方法，是防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38的重叠区域(39)对向，上述重叠区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38中的深的一方的深度的1/3以上。
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公开(公告)号：CN1591897A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410074196.5
申请日：2004-09-01
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L23/58
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件及制造方法，是防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38)的重复区域(39)对向，上述重复区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38)中的深的一方的深度的1/3以上。
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