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公开(公告)号：CN1950947A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200580014771.5
申请日：2005-05-12
Applicant: 株式会社丰田中央研究所 , 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/7397
Abstract: 能够在IGBT的体区之内形成的悬浮状态下的半导体区域的宽范围之上获得密集累积的空穴载流子。电位悬浮的n型半导体区域(52)形成在p－型体区(28)之内。n型半导体区域(52)通过体区(28)与n+型发射区(32)和n－型漂移区(26)隔离。进而，形成第二电极(62)，以便经由绝缘膜(64)与至少部分的半导体区域(52)相对。第二电极(62)没有与发射区(32)相对。
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公开(公告)号：CN1967869B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610165662.X
申请日：2004-09-01
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L23/58 , H01L21/331 , H01L21/336
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，其防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38)的重叠区域(39)对向，上述重叠区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38)中的深的一方的深度的1/3以上。
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公开(公告)号：CN100514675C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200580014771.5
申请日：2005-05-12
Applicant: 株式会社丰田中央研究所 , 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/7397
Abstract: 能够在IGBT的体区之内形成的悬浮状态下的半导体区域的宽范围之上获得密集累积的空穴载流子。电位悬浮的n型半导体区域(52)形成在p-型体区(28)之内。n型半导体区域(52)通过体区(28)与n+型发射区(32)和n-型漂移区(26)隔离。进而，形成第二电极(62)，以便经由绝缘膜(64)与至少部分的半导体区域(52)相对。第二电极(62)没有与发射区(32)相对。
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公开(公告)号：CN1890813A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200480036076.4
申请日：2004-12-03
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/10
Abstract: 本发明涉及一种通过增大深区(26)和中间区(28)中的少数载流子浓度来降低半导体器件的接通电压的技术。根据本发明的半导体器件包括电极、连接到所述电极的第二导电类型的顶区(36)、所述第二导电类型的深区，以及连接到所述电极的第一导电类型的中间区。部分所述中间区使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括通过绝缘层与所述中间区的所述部分面对的栅极电极(32)。面对所述栅极电极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。根据本发明的半导体器件还包括形成在所述中间区和/或所述顶区内的势垒区(40)。
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公开(公告)号：CN100505302C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200480036076.4
申请日：2004-12-03
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/10
Abstract: 本发明涉及一种通过增大深区(26)和中间区(28)中的少数载流子浓度来降低半导体器件的接通电压的技术。根据本发明的半导体器件包括电极、连接到所述电极的第二导电类型的顶区(36)、所述第二导电类型的深区，以及连接到所述电极的第一导电类型的中间区。部分所述中间区使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括通过绝缘层与所述中间区的所述部分面对的栅极电极(32)。面对所述栅极电极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。根据本分明的半导体器件还包括形成在所述中间区和/或所述顶区内的势垒区(40)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1985376A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200580024082.2
申请日：2005-06-03
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0696
Abstract: 一种半导体器件，具有集电极、集电极上形成的p+集电极区(22)、集电极区上形成的n－漂移区(24)、漂移区上形成的p－体区(26)、以及体区中形成的多个n+发射极区(28)。发射极区连接到发射极。多个沟槽栅极(32)形成于体区中。每个沟槽栅极通过绝缘层(34)与将漂移区和发射极区隔开的那部分体区相对。体区被分为多个体区段，这些体区段被划分为两组。一组(26a)在体区段中带有发射极区，另一组(26b)在体区段中不带发射极区。多个第一沟槽(35a、35b、35c)形成于不带发射极区的体区段中。
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公开(公告)号：CN1316628C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200410074196.5
申请日：2004-09-01
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L23/58
Abstract: 一种半导体器件及制造方法，是防止在周边区域中发生的半导体器件的热破坏，实现半导体器件的高耐压化。是一种具有已形成了半导体开关元件组的中心区域(M)，和已形成了把该中心区域围起来的保护环(38)组的周边区域N的半导体器件，在最外周上形成的半导体开关元件的体区域(34)，和在最内周形成的保护环(38)重叠起来地形成，已连接到半导体开关元件组的栅电极(35)上的栅布线(48)中间存在着绝缘层(46)地与体区域(34)和保护环(38的重叠区域(39)对向，上述重叠区域(39)的宽度，是体区域(34)与保护环(38)中的深的一方的深度的1/3以上。
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公开(公告)号：CN1879222A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200480033052.3
申请日：2004-11-05
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/7397 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用于在体区，即介于顶区和深区之间的中间区中聚集少数载流子，从而提高中间区中少数载流子浓度的技术。一种半导体器件包括：第二导电类型的顶区(34)、所述第二导电类型的深区(26)，以及第一导电类型的中间区(28)，用于使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括沟槽栅极(32)，其通过绝缘层(33)面对部分所述中间区。面对所述沟槽栅极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。所述沟槽栅极沿纵向延伸。所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向不一致；相反地，所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向变化。
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公开(公告)号：CN1284246C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200410007023.1
申请日：2004-02-25
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/66348
Abstract: 本发明旨在提供一种高耐电压场效应型半导体设备，其减弱在半导体衬底的电场同时不加厚漂移区的厚度，而且实现对于高电压的耐压性能，且不牺牲开启电压，开关关闭特性和小型化。场效应型半导体设备在一个表面(图2的上表面)上包括发射极区域100，104和栅极电极106等，并且在另一表面(图2的下表面)上包括集电极区域101等，其中在面对栅极电极106的P主体区域103和在P主体区域103下面的N漂移区102之间安置具有低的杂质浓度的N-场分散区域111。因此，减弱了在集电极和发射极之间的电场并且实现了高耐电压场效应型半导体设备。可以在N漂移区102和N漂移区102下面的P+集电极区域101之间安置另一个场分散区域。
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公开(公告)号：CN100452428C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200480033052.3
申请日：2004-11-05
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/7397 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用于在体区，即介于顶区和深区之间的中间区中聚集少数载流子，从而提高中间区中少数载流子浓度的技术。一种半导体器件包括：第二导电类型的顶区(34)、所述第二导电类型的深区(26)，以及第一导电类型的中间区(28)，用于使所述顶区和所述深区隔离。所述半导体器件还包括沟槽栅极(32)，其通过绝缘层(33)面对部分所述中间区。面对所述沟槽栅极的所述部分使所述顶区和所述深区隔离。所述沟槽栅极沿纵向延伸。所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向不一致；相反地，所述沟槽栅极的宽度沿所述纵向变化。
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