-
公开(公告)号：CN102102211A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010591444.9
申请日：2010-12-16
Applicant: 株式会社东芝 , 芝浦机械电子株式会社 , 氯工程株式会社
CPC classification number: C25B1/22 , C25B9/08 , G03F1/80 , G03F7/423 , H01L21/02057 , H01L21/31133 , H01L21/6708
Abstract: 在一个实施方案中，公开了一种蚀刻方法。该方法可以包括通过电解硫酸溶液产生氧化性物质、和通过控制氧化性物质的生成量来产生具有规定的氧化剂浓度的蚀刻溶液。该方法可包括将所生产的蚀刻溶液供应到工件表面。
-
公开(公告)号：CN102030306A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010287644.5
申请日：2010-09-20
Applicant: 株式会社东芝 , 氯工程株式会社 , 芝浦机械电子株式会社
IPC: B81C1/00
Abstract: 根据一个实施方案，公开了一种清洗方法。该方法通过电解稀硫酸溶液可以制备包括氧化物质的氧化溶液。另外，该方法可以向待清洗物体表面单独地、按顺序地或基本上同时地供给高浓缩无机酸溶液和氧化溶液。
-
公开(公告)号：CN102102211B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201010591444.9
申请日：2010-12-16
Applicant: 株式会社东芝 , 芝浦机械电子株式会社 , 氯工程株式会社
CPC classification number: C25B1/22 , C25B9/08 , G03F1/80 , G03F7/423 , H01L21/02057 , H01L21/31133 , H01L21/6708
Abstract: 在一个实施方案中，公开了一种蚀刻方法。该方法可以包括通过电解硫酸溶液产生氧化性物质、和通过控制氧化性物质的生成量来产生具有规定的氧化剂浓度的蚀刻溶液。该方法可包括将所生产的蚀刻溶液供应到工件表面。
-
公开(公告)号：CN102031203B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201010287629.0
申请日：2010-09-20
Applicant: 株式会社东芝 , 芝浦机械电子株式会社 , 氯工程株式会社
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/423 , H01L21/67051
Abstract: 根据实施方案，一种清洗液包括氧化物质和氢氟酸，并且显示出酸性。公开了一种清洗方法。该方法包括制备一种包括氧化物质的氧化溶液，通过选自电解硫酸溶液、电解加入硫酸溶液中的氢氟酸以及混合硫酸溶液和过氧化氢水溶液中的一种来制备。该方法包括向待清洗物体的表面提供氧化溶液和氢氟酸。
-
公开(公告)号：CN102031203A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010287629.0
申请日：2010-09-20
Applicant: 株式会社东芝 , 芝浦机械电子株式会社 , 氯工程株式会社
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/423 , H01L21/67051
Abstract: 根据实施方案，一种清洗液包括氧化物质和氢氟酸，并且显示出酸性。公开了一种清洗方法。该方法包括制备一种包括氧化物质的氧化溶液，通过选自电解硫酸溶液、电解加入硫酸溶液中的氢氟酸以及混合硫酸溶液和过氧化氢水溶液中的一种来制备。该方法包括向待清洗物体的表面提供氧化溶液和氢氟酸。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102030306B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201010287644.5
申请日：2010-09-20
Applicant: 株式会社东芝 , 培尔梅烈克电极股份有限公司 , 芝浦机械电子株式会社
Abstract: 根据一个实施方案，公开了一种清洗方法。该方法通过电解稀硫酸溶液可以制备包括氧化物质的氧化溶液。另外，该方法可以向待清洗物体表面单独地、按顺序地或基本上同时地供给高浓缩无机酸溶液和氧化溶液。
-
公开(公告)号：CN107452649B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201710207544.9
申请日：2014-03-28
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种湿式蚀刻装置，其供给适当的二氧化硅浓度的磷酸水溶液，能够通过氮化膜和氧化膜的充分的选择比进行湿式蚀刻。所述湿式蚀刻装置包括：贮存磷酸水溶液的贮存部(20)；贮存二氧化硅添加剂的添加剂贮存部(30)；浓度检测部(22)，其用于检测贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液的二氧化硅浓度；控制部(100)，当由浓度检测部(22)检测出的磷酸水溶液的二氧化硅浓度低于规定值时，所述控制部(100)从添加剂贮存部(30)向贮存部(20)供给二氧化硅添加剂；以及处理部(40)，其利用贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液对基板(W)进行处理。
-
公开(公告)号：CN101009206B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200710002077.2
申请日：2007-01-18
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/30 , G03F7/32
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够有效且可靠地除去设在半导体晶片上的抗蚀剂。该基板处理装置具备：保持半导体晶片的旋转台(3)；以及喷嘴体(33)，与被旋转台保持的半导体晶片相对置地配置，混合硫酸和过氧化氢水供给上述基板；喷嘴体具备：较长的本体部(34)，沿基板的半径方向；第一供液管及第二供液管(37、38)，向本体部供给硫酸和过氧化氢水；第一狭缝、第二狭缝及曲面(41、42、39)，混合由第一供液管及第二供液管向本体部供给的硫酸和过氧化氢水，从本体部向半导体晶片的整个半径方向供给。
-
公开(公告)号：CN104078391A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410218651.8
申请日：2014-03-28
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/6708
Abstract: 本发明提供了一种湿式蚀刻装置，其供给适当的二氧化硅浓度的磷酸水溶液，能够通过氮化膜和氧化膜的充分的选择比进行湿式蚀刻。所述湿式蚀刻装置包括：贮存磷酸水溶液的贮存部(20)；贮存二氧化硅添加剂的添加剂贮存部(30)；浓度检测部(22)，其用于检测贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液的二氧化硅浓度；控制部(100)，当由浓度检测部(22)检测出的磷酸水溶液的二氧化硅浓度低于规定值时，所述控制部(100)从添加剂贮存部(30)向贮存部(20)供给二氧化硅添加剂；以及处理部(40)，其利用贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液对基板(W)进行处理。
-
公开(公告)号：CN101111928A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200680003521.6
申请日：2006-11-30
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/10 , B08B3/12 , G02F1/13 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L21/02057 , B08B3/12 , G02F1/1303 , G02F2001/1316 , H01L21/67051 , Y10S134/902
Abstract: 本发明的基板处理装置，利用施加了超声波振动的处理液处理基板，具备：振荡体(32)，是直方体状并具有处理液的供给通路(35)，该供给通路(35)在该振荡体的长度方向的一端部的底面开口、并且向该振荡体的长度方向的另一端部倾斜；振子(34)，设在振荡体的上表面，使振荡体进行超声波振动；及热交换器(42)，冷却向供给通路供给的处理液。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.037 seconds)
