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公开(公告)号：CN102102211A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010591444.9
申请日：2010-12-16
Applicant: 株式会社东芝 , 芝浦机械电子株式会社 , 氯工程株式会社
CPC classification number: C25B1/22 , C25B9/08 , G03F1/80 , G03F7/423 , H01L21/02057 , H01L21/31133 , H01L21/6708
Abstract: 在一个实施方案中，公开了一种蚀刻方法。该方法可以包括通过电解硫酸溶液产生氧化性物质、和通过控制氧化性物质的生成量来产生具有规定的氧化剂浓度的蚀刻溶液。该方法可包括将所生产的蚀刻溶液供应到工件表面。
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公开(公告)号：CN102030306A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010287644.5
申请日：2010-09-20
Applicant: 株式会社东芝 , 氯工程株式会社 , 芝浦机械电子株式会社
IPC: B81C1/00
Abstract: 根据一个实施方案，公开了一种清洗方法。该方法通过电解稀硫酸溶液可以制备包括氧化物质的氧化溶液。另外，该方法可以向待清洗物体表面单独地、按顺序地或基本上同时地供给高浓缩无机酸溶液和氧化溶液。
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公开(公告)号：CN102102211B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201010591444.9
申请日：2010-12-16
Applicant: 株式会社东芝 , 芝浦机械电子株式会社 , 氯工程株式会社
CPC classification number: C25B1/22 , C25B9/08 , G03F1/80 , G03F7/423 , H01L21/02057 , H01L21/31133 , H01L21/6708
Abstract: 在一个实施方案中，公开了一种蚀刻方法。该方法可以包括通过电解硫酸溶液产生氧化性物质、和通过控制氧化性物质的生成量来产生具有规定的氧化剂浓度的蚀刻溶液。该方法可包括将所生产的蚀刻溶液供应到工件表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102031203B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201010287629.0
申请日：2010-09-20
Applicant: 株式会社东芝 , 芝浦机械电子株式会社 , 氯工程株式会社
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/423 , H01L21/67051
Abstract: 根据实施方案，一种清洗液包括氧化物质和氢氟酸，并且显示出酸性。公开了一种清洗方法。该方法包括制备一种包括氧化物质的氧化溶液，通过选自电解硫酸溶液、电解加入硫酸溶液中的氢氟酸以及混合硫酸溶液和过氧化氢水溶液中的一种来制备。该方法包括向待清洗物体的表面提供氧化溶液和氢氟酸。
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公开(公告)号：CN102031203A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010287629.0
申请日：2010-09-20
Applicant: 株式会社东芝 , 芝浦机械电子株式会社 , 氯工程株式会社
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/423 , H01L21/67051
Abstract: 根据实施方案，一种清洗液包括氧化物质和氢氟酸，并且显示出酸性。公开了一种清洗方法。该方法包括制备一种包括氧化物质的氧化溶液，通过选自电解硫酸溶液、电解加入硫酸溶液中的氢氟酸以及混合硫酸溶液和过氧化氢水溶液中的一种来制备。该方法包括向待清洗物体的表面提供氧化溶液和氢氟酸。
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公开(公告)号：CN102030306B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201010287644.5
申请日：2010-09-20
Applicant: 株式会社东芝 , 培尔梅烈克电极股份有限公司 , 芝浦机械电子株式会社
Abstract: 根据一个实施方案，公开了一种清洗方法。该方法通过电解稀硫酸溶液可以制备包括氧化物质的氧化溶液。另外，该方法可以向待清洗物体表面单独地、按顺序地或基本上同时地供给高浓缩无机酸溶液和氧化溶液。
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公开(公告)号：CN101960594A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200880127778.1
申请日：2008-08-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/149 , H01L45/1666 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了非易失性存储装置及其制造方法，其特征在于，具备：基板；上述基板上设置的第1电极；以与上述第1电极交叉的方式在其上方设置的第2电极；以及在上述第1电极和上述第2电极之间设置的存储部，上述存储部的与上述第1电极相对的第1存储部面的面积和上述存储部的与上述第2电极相对的第2存储部面的面积的至少一个比通过交叉而相对的上述第1电极和上述第2电极的交叉面的面积小。
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公开(公告)号：CN101960594B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN200880127778.1
申请日：2008-08-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/149 , H01L45/1666 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了非易失性存储装置及其制造方法，其特征在于，具备：基板；上述基板上设置的第1电极；以与上述第1电极交叉的方式在其上方设置的第2电极；以及在上述第1电极和上述第2电极之间设置的存储部，上述存储部的与上述第1电极相对的第1存储部面的面积和上述存储部的与上述第2电极相对的第2存储部面的面积的至少一个比通过交叉而相对的上述第1电极和上述第2电极的交叉面的面积小。
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