公开(公告)号：CN107887302A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710903098.5

申请日：2017-09-29

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 屉平幸之介 ,  菊池勉 ,  樋口晃一 ,  林俊秀

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明提供一种能够使将基板的被处理面上的处理液置换为挥发性溶媒的置换效率提高的基板处理装置及基板处理方法。有关实施方式的基板处理装置(10)具备：第1喷嘴(61)，向旋转的基板(W)的被处理面(Wa)供给处理液；第2喷嘴(71)，向旋转的基板(W)的被处理面(Wa)的中心供给挥发性溶媒；第1喷嘴移动机构(62)，作为位置移动部发挥功能，在处理液被从第1喷嘴(61)供给到基板(W)的被处理面(Wa)的中心的状态下，使基板(W)的被处理面(Wa)上的处理液供给位置从基板(W)的被处理面(Wa的中心向中心附近的位置移动，在处理液被从第1喷嘴(61)向基板(W)的被处理面(Wa)的中心附近的位置供给、挥发性溶媒被从第2喷嘴(71)向基板(W)的被处理面(Wa)的中心供给的状态下，使上述处理液供给位置沿着从基板(W)的被处理面(Wa)的中心朝外的方向移动。

公开(公告)号：CN101009206B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200710002077.2

申请日：2007-01-18

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 小林信雄 ,  樋口晃一 ,  黑川祯明 ,  荒井隆史

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够有效且可靠地除去设在半导体晶片上的抗蚀剂。该基板处理装置具备：保持半导体晶片的旋转台(3)；以及喷嘴体(33)，与被旋转台保持的半导体晶片相对置地配置，混合硫酸和过氧化氢水供给上述基板；喷嘴体具备：较长的本体部(34)，沿基板的半径方向；第一供液管及第二供液管(37、38)，向本体部供给硫酸和过氧化氢水；第一狭缝、第二狭缝及曲面(41、42、39)，混合由第一供液管及第二供液管向本体部供给的硫酸和过氧化氢水，从本体部向半导体晶片的整个半径方向供给。

公开(公告)号：CN119673805A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411248348.2

申请日：2024-09-06

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 樋口晃一 ,  林航之介

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供基板清洗装置及基板清洗方法，能提高基板品质。基板清洗装置包括：清洗液供给部，对旋转的基板供给清洗液；第一清洗头，通过使刷与旋转的基板的至少其中一面接触而对基板的其中一面进行清洗；第二清洗头，使刷与基板的其中一面接触而对基板的其中一面进行清洗；转动臂，使第一清洗头与第二清洗头转动；以及控制部，对旋转机构、清洗液供给部及转动臂进行控制，控制部对转动臂进行控制，以便在使第一清洗头及第二清洗头中的其中一个清洗头的刷与基板的面接触而进行清洗的清洗中，第一清洗头及第二清洗头中的另一个清洗头的刷位于比基板更靠外侧的位置。

公开(公告)号：CN101111928A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200680003521.6

申请日：2006-11-30

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 黑川祯明 ,  樋口晃一

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/10 ,  B08B3/12 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L21/02057 ,  B08B3/12 ,  G02F1/1303 ,  G02F2001/1316 ,  H01L21/67051 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明的基板处理装置，利用施加了超声波振动的处理液处理基板，具备：振荡体(32)，是直方体状并具有处理液的供给通路(35)，该供给通路(35)在该振荡体的长度方向的一端部的底面开口、并且向该振荡体的长度方向的另一端部倾斜；振子(34)，设在振荡体的上表面，使振荡体进行超声波振动；及热交换器(42)，冷却向供给通路供给的处理液。

公开(公告)号：CN101009206A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710002077.2

申请日：2007-01-18

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 小林信雄 ,  樋口晃一 ,  黑川祯明 ,  荒井隆史

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够有效且可靠地除去设在半导体晶片上的抗蚀剂。该基板处理装置具备：保持半导体晶片的旋转台(3)；以及喷嘴体(33)，与被旋转台保持的半导体晶片相对置地配置，混合硫酸和过氧化氢水供给上述基板；喷嘴体具备：较长的本体部(34)，沿基板的半径方向；第一供液管及第二供液管(37、38)，向本体部供给硫酸和过氧化氢水；第一狭缝、第二狭缝及曲面(41、42、39)，混合由第一供液管及第二供液管向本体部供给的硫酸和过氧化氢水，从本体部向半导体晶片的几乎整个半径方向供给。