公开(公告)号：CN101009206B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200710002077.2

申请日：2007-01-18

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 小林信雄 ,  樋口晃一 ,  黑川祯明 ,  荒井隆史

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够有效且可靠地除去设在半导体晶片上的抗蚀剂。该基板处理装置具备：保持半导体晶片的旋转台(3)；以及喷嘴体(33)，与被旋转台保持的半导体晶片相对置地配置，混合硫酸和过氧化氢水供给上述基板；喷嘴体具备：较长的本体部(34)，沿基板的半径方向；第一供液管及第二供液管(37、38)，向本体部供给硫酸和过氧化氢水；第一狭缝、第二狭缝及曲面(41、42、39)，混合由第一供液管及第二供液管向本体部供给的硫酸和过氧化氢水，从本体部向半导体晶片的整个半径方向供给。

公开(公告)号：CN101009206A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710002077.2

申请日：2007-01-18

Applicant: 芝浦机械电子株式会社

Inventor： 小林信雄 ,  樋口晃一 ,  黑川祯明 ,  荒井隆史

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够有效且可靠地除去设在半导体晶片上的抗蚀剂。该基板处理装置具备：保持半导体晶片的旋转台(3)；以及喷嘴体(33)，与被旋转台保持的半导体晶片相对置地配置，混合硫酸和过氧化氢水供给上述基板；喷嘴体具备：较长的本体部(34)，沿基板的半径方向；第一供液管及第二供液管(37、38)，向本体部供给硫酸和过氧化氢水；第一狭缝、第二狭缝及曲面(41、42、39)，混合由第一供液管及第二供液管向本体部供给的硫酸和过氧化氢水，从本体部向半导体晶片的几乎整个半径方向供给。