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公开(公告)号：CN113611636A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110878876.6
申请日：2017-02-24
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 基板处理装置及基板的制造方法。上述基板处理装置具备：基板支承部，支承基板；旋转部，使上述基板旋转；处理液供给部，向上述基板的表面供给处理液；以及控制部，上述控制部进行控制，使得在一个基板处理工序中、针对由上述旋转部旋转的上述基板持续地从上述处理液供给部连续地供给上述处理液、并一边将上述处理液从上述基板排出一边连续地进行基板处理的期间，以预先设定的规定的定时，定期地进行使上述处理液从上述基板排出的排液速度提高的排液处理，并且上述基板处理的最后以上述排液处理结束。
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公开(公告)号：CN107275257A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710200801.6
申请日：2017-03-30
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够准确地掌握积存处理液的罐内的所希望的液量的基板处理装置以及基板处理方法。实施方式的基板处理装置具备：罐(31)，积存处理液；液面配管(33)，与罐(31)连接，以供在罐(31)中存积的处理液流入，并形成为从罐(31)流入的处理液的液面M1根据罐31内的处理液的增减而移动；液面传感器(35)，检测液面配管(33)内的液面M1；供气配管(34)，用于向液面配管(33)内的液面M1之上的配管空间供给气体；以及控制部(50)，与气体被供气配管(34)向配管空间供给而液面配管(33)内的液面M1移动相应，基于液面传感器(35)的检测结果判断液面传感器(35)有无误检测。
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公开(公告)号：CN102102211A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010591444.9
申请日：2010-12-16
Applicant: 株式会社东芝 , 芝浦机械电子株式会社 , 氯工程株式会社
CPC classification number: C25B1/22 , C25B9/08 , G03F1/80 , G03F7/423 , H01L21/02057 , H01L21/31133 , H01L21/6708
Abstract: 在一个实施方案中，公开了一种蚀刻方法。该方法可以包括通过电解硫酸溶液产生氧化性物质、和通过控制氧化性物质的生成量来产生具有规定的氧化剂浓度的蚀刻溶液。该方法可包括将所生产的蚀刻溶液供应到工件表面。
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公开(公告)号：CN107452649B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201710207544.9
申请日：2014-03-28
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种湿式蚀刻装置，其供给适当的二氧化硅浓度的磷酸水溶液，能够通过氮化膜和氧化膜的充分的选择比进行湿式蚀刻。所述湿式蚀刻装置包括：贮存磷酸水溶液的贮存部(20)；贮存二氧化硅添加剂的添加剂贮存部(30)；浓度检测部(22)，其用于检测贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液的二氧化硅浓度；控制部(100)，当由浓度检测部(22)检测出的磷酸水溶液的二氧化硅浓度低于规定值时，所述控制部(100)从添加剂贮存部(30)向贮存部(20)供给二氧化硅添加剂；以及处理部(40)，其利用贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液对基板(W)进行处理。
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公开(公告)号：CN107275260A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710207077.X
申请日：2017-03-31
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
CPC classification number: H01L21/67023 , B08B3/041
Abstract: 本发明提供基板处理装置(1)及基板处理方法，实施方式的基板处理装置(1)是使基板旋转来进行清洗处理的基板处理装置，具备：处理室；旋转保持机构，设于上述处理室，对基板进行保持；处理液供给喷嘴，向上述基板供给处理液；遮挡板，与保持于上述旋转保持机构的上述基板对置地配置，并向相对于上述基板接触或分离的方向移动；遮挡板旋转机构，使上述遮挡板旋转；以及控制装置，在上述基板被供给处理液时，不使上述遮挡板移动，而是使上述遮挡板旋转。本发明能够防止处理基板时的基板污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107123610A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710101776.6
申请日：2017-02-24
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67075 , G02F1/1303 , H01L21/30604 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67253 , H01L21/68764 , H01L21/67023
Abstract: 一种基板处理装置、基板处理方法及基板的制造方法。有关实施方式的基板处理装置(1)具备：基板支承部(20)，支承基板(W)；旋转部(22)，使上述基板(W)旋转；处理液供给部(40)，向上述基板(W)的表面(Wa)供给处理液(L1)；控制部(60)，一边使上述基板(W)旋转，一边在进行上述处理液(L1)的供给的基板处理中持续处理，并以预先设定的规定的定时进行使上述处理液(L1)从基板(W)排出的排液速度变化的排液处理。
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公开(公告)号：CN105051869A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480017840.7
申请日：2014-03-17
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L27/1296 , B08B3/00 , B08B3/02 , B08B3/08 , B08B3/10 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L21/68764
Abstract: 实施方式涉及的基板处理装置(1)具备：支承部(4)，支承基板W；旋转机构(5)，将与由支承部(4)支承的基板(W)交叉的轴作为旋转轴来使支承部(4)旋转；喷嘴(6)，向利用该旋转机构(5)而旋转的支承部(4)上的基板(W)的表面供给处理液；加热器(8)，以离开由支承部(4)支承的基板(W)的方式对该基板(W)进行加热；以及移动机构(9)，使加热器(8)沿相对于由支承部(4)支承的基板(W)接近离开的方向移动。
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公开(公告)号：CN102157370B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201110066173.X
申请日：2008-02-13
Applicant: 芝浦机械电子株式会社 , 培尔梅烈克电极股份有限公司 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/306 , C25B1/30 , C25B1/22
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6708
Abstract: 本发明公开了一种清洗方法，其包括：通过电解硫酸制备氧化溶液，并用所述氧化溶液清洗工件。所述氧化溶液通过混合热来加热以清洗所述工件。本发明还公开了一种制造电子器件的方法，其包括：制备工件；通过电解硫酸制备氧化溶液，并用所述氧化溶液清洗所述工件。所述氧化溶液通过混合热来加热以清洗所述工件。
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公开(公告)号：CN101307460A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810009754.8
申请日：2008-02-13
Applicant: 芝浦机械电子株式会社 , 氯工程株式会社 , 株式会社东芝
IPC: C25B1/30 , C25B1/22 , B08B3/08 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6708
Abstract: 本发明公开了一种清洗方法，其包括：通过电解硫酸制备氧化溶液，并用所述氧化溶液清洗工件。所述氧化溶液通过混合热来加热以清洗所述工件。本发明还公开了一种制造电子器件的方法，其包括：制备工件；通过电解硫酸制备氧化溶液，并用所述氧化溶液清洗所述工件。所述氧化溶液通过混合热来加热以清洗所述工件。
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公开(公告)号：CN105051869B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201480017840.7
申请日：2014-03-17
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L27/1296 , B08B3/00 , B08B3/02 , B08B3/08 , B08B3/10 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L21/68764
Abstract: 实施方式涉及的基板处理装置(1)具备：支承部(4)，支承基板W；旋转机构(5)，将与由支承部(4)支承的基板(W)交叉的轴作为旋转轴来使支承部(4)旋转；喷嘴(6)，向利用该旋转机构(5)而旋转的支承部(4)上的基板(W)的表面供给处理液；加热器(8)，以离开由支承部(4)支承的基板(W)的方式对该基板(W)进行加热；以及移动机构(9)，使加热器(8)沿相对于由支承部(4)支承的基板(W)接近离开的方向移动。
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