-
公开(公告)号：CN113611636A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110878876.6
申请日：2017-02-24
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 基板处理装置及基板的制造方法。上述基板处理装置具备：基板支承部，支承基板；旋转部，使上述基板旋转；处理液供给部，向上述基板的表面供给处理液；以及控制部，上述控制部进行控制，使得在一个基板处理工序中、针对由上述旋转部旋转的上述基板持续地从上述处理液供给部连续地供给上述处理液、并一边将上述处理液从上述基板排出一边连续地进行基板处理的期间，以预先设定的规定的定时，定期地进行使上述处理液从上述基板排出的排液速度提高的排液处理，并且上述基板处理的最后以上述排液处理结束。
-
公开(公告)号：CN107123610B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201710101776.6
申请日：2017-02-24
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种基板处理装置、基板处理方法及基板的制造方法。有关实施方式的基板处理装置(1)具备：基板支承部(20)，支承基板(W)；旋转部(22)，使上述基板(W)旋转；处理液供给部(40)，向上述基板(W)的表面(Wa)供给处理液(L1)；控制部(60)，一边使上述基板(W)旋转，一边在进行上述处理液(L1)的供给的基板处理中持续处理，并以预先设定的规定的定时进行使上述处理液(L1)从基板(W)排出的排液速度变化的排液处理。
-
公开(公告)号：CN107452649B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201710207544.9
申请日：2014-03-28
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种湿式蚀刻装置，其供给适当的二氧化硅浓度的磷酸水溶液，能够通过氮化膜和氧化膜的充分的选择比进行湿式蚀刻。所述湿式蚀刻装置包括：贮存磷酸水溶液的贮存部(20)；贮存二氧化硅添加剂的添加剂贮存部(30)；浓度检测部(22)，其用于检测贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液的二氧化硅浓度；控制部(100)，当由浓度检测部(22)检测出的磷酸水溶液的二氧化硅浓度低于规定值时，所述控制部(100)从添加剂贮存部(30)向贮存部(20)供给二氧化硅添加剂；以及处理部(40)，其利用贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液对基板(W)进行处理。
-
公开(公告)号：CN107123610A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710101776.6
申请日：2017-02-24
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67075 , G02F1/1303 , H01L21/30604 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67253 , H01L21/68764 , H01L21/67023
Abstract: 一种基板处理装置、基板处理方法及基板的制造方法。有关实施方式的基板处理装置(1)具备：基板支承部(20)，支承基板(W)；旋转部(22)，使上述基板(W)旋转；处理液供给部(40)，向上述基板(W)的表面(Wa)供给处理液(L1)；控制部(60)，一边使上述基板(W)旋转，一边在进行上述处理液(L1)的供给的基板处理中持续处理，并以预先设定的规定的定时进行使上述处理液(L1)从基板(W)排出的排液速度变化的排液处理。
-
公开(公告)号：CN105051869A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480017840.7
申请日：2014-03-17
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L27/1296 , B08B3/00 , B08B3/02 , B08B3/08 , B08B3/10 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L21/68764
Abstract: 实施方式涉及的基板处理装置(1)具备：支承部(4)，支承基板W；旋转机构(5)，将与由支承部(4)支承的基板(W)交叉的轴作为旋转轴来使支承部(4)旋转；喷嘴(6)，向利用该旋转机构(5)而旋转的支承部(4)上的基板(W)的表面供给处理液；加热器(8)，以离开由支承部(4)支承的基板(W)的方式对该基板(W)进行加热；以及移动机构(9)，使加热器(8)沿相对于由支承部(4)支承的基板(W)接近离开的方向移动。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105051869B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201480017840.7
申请日：2014-03-17
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L27/1296 , B08B3/00 , B08B3/02 , B08B3/08 , B08B3/10 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L21/68764
Abstract: 实施方式涉及的基板处理装置(1)具备：支承部(4)，支承基板W；旋转机构(5)，将与由支承部(4)支承的基板(W)交叉的轴作为旋转轴来使支承部(4)旋转；喷嘴(6)，向利用该旋转机构(5)而旋转的支承部(4)上的基板(W)的表面供给处理液；加热器(8)，以离开由支承部(4)支承的基板(W)的方式对该基板(W)进行加热；以及移动机构(9)，使加热器(8)沿相对于由支承部(4)支承的基板(W)接近离开的方向移动。
-
公开(公告)号：CN104078391A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410218651.8
申请日：2014-03-28
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/6708
Abstract: 本发明提供了一种湿式蚀刻装置，其供给适当的二氧化硅浓度的磷酸水溶液，能够通过氮化膜和氧化膜的充分的选择比进行湿式蚀刻。所述湿式蚀刻装置包括：贮存磷酸水溶液的贮存部(20)；贮存二氧化硅添加剂的添加剂贮存部(30)；浓度检测部(22)，其用于检测贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液的二氧化硅浓度；控制部(100)，当由浓度检测部(22)检测出的磷酸水溶液的二氧化硅浓度低于规定值时，所述控制部(100)从添加剂贮存部(30)向贮存部(20)供给二氧化硅添加剂；以及处理部(40)，其利用贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液对基板(W)进行处理。
-
公开(公告)号：CN113611636B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202110878876.6
申请日：2017-02-24
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 基板处理装置及基板的制造方法。上述基板处理装置具备：基板支承部，支承基板；旋转部，使上述基板旋转；处理液供给部，向上述基板的表面供给处理液；以及控制部，上述控制部进行控制，使得在一个基板处理工序中、针对由上述旋转部旋转的上述基板持续地从上述处理液供给部连续地供给上述处理液、并一边将上述处理液从上述基板排出一边连续地进行基板处理的期间，以预先设定的规定的定时，定期地进行使上述处理液从上述基板排出的排液速度提高的排液处理，并且上述基板处理的最后以上述排液处理结束。
-
公开(公告)号：CN107452649A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710207544.9
申请日：2014-03-28
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种湿式蚀刻装置，其供给适当的二氧化硅浓度的磷酸水溶液，能够通过氮化膜和氧化膜的充分的选择比进行湿式蚀刻。所述湿式蚀刻装置包括：贮存磷酸水溶液的贮存部(20)；贮存二氧化硅添加剂的添加剂贮存部(30)；浓度检测部(22)，其用于检测贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液的二氧化硅浓度；控制部(100)，当由浓度检测部(22)检测出的磷酸水溶液的二氧化硅浓度低于规定值时，所述控制部(100)从添加剂贮存部(30)向贮存部(20)供给二氧化硅添加剂；以及处理部(40)，其利用贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液对基板(W)进行处理。
-
公开(公告)号：CN104078391B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410218651.8
申请日：2014-03-28
Applicant: 芝浦机械电子株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/6708
Abstract: 本发明提供了一种湿式蚀刻装置，其供给适当的二氧化硅浓度的磷酸水溶液，能够通过氮化膜和氧化膜的充分的选择比进行湿式蚀刻。所述湿式蚀刻装置包括：贮存磷酸水溶液的贮存部(20)；贮存二氧化硅添加剂的添加剂贮存部(30)；浓度检测部(22)，其用于检测贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液的二氧化硅浓度；控制部(100)，当由浓度检测部(22)检测出的磷酸水溶液的二氧化硅浓度低于规定值时，所述控制部(100)从添加剂贮存部(30)向贮存部(20)供给二氧化硅添加剂；以及处理部(40)，其利用贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液对基板(W)进行处理。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.022 seconds)
