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公开(公告)号：CN117713789A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202310053980.0
申请日：2023-02-03
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H03K17/693 , H01L27/02
Abstract: 实施方式涉及半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置具有输入端及输出端和串联连接在输入端及输出端之间的多个晶体管。多个晶体管是具有在串联连接中使用的第1端及第2端的第1晶体管，以及具有在串联连接中使用的第3端及第4端、第1栅极及第1主体的第2晶体管，第2晶体管的第3端与第2端连接。半导体装置还具有串联连接于第1主体与第1端之间的第3晶体管及第1二极管。第3晶体管具有与第1栅极连接的第2栅极。第2晶体管包含并联连接的第1子晶体管及第2子晶体管。第3晶体管被第1子晶体管和第2子晶体管在第1方向上夹着而配置。
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公开(公告)号：CN117747662A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310166889.X
申请日：2023-02-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 实施方式提供提高高频特性的半导体装置。半导体装置具备绝缘层、半导体层和控制电极。半导体层包含：第一导电型的第一半导体区域，设置在绝缘层上；第一导电型的第二半导体区域，与第一半导体区域分离；以及第二导电型的第三半导体区域，设置在第一半导体区域与第二半导体区域之间。第一半导体区域至第三半导体区域在沿着绝缘层与半导体层的界面的第一方向上排列。控制电极隔着第一绝缘膜设置在半导体层上，通过第一绝缘膜与半导体层电绝缘，并包含沿第一方向排列的第一控制部至第三控制部。第一控制部设置在第二控制部与第三控制部之间，并通过第二绝缘膜而与第二控制部及第三控制部电绝缘。第三半导体区域位于绝缘层与第一控制部之间。
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公开(公告)号：CN116799031A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210943332.8
申请日：2022-08-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 半导体装置中，半导体层包含沿第一方向延伸的第一半导体部、沿第一方向延伸且与第一半导体部沿与第一方向交叉的第二方向排列的第二半导体部和设于第一、第二半导体部的第一分离槽。控制电极设于半导体层上，沿第二方向跨第一及第二半导体部延伸，部分地填埋第一分离槽，通过第一绝缘膜与半导体层电绝缘。第一半导体部包含第一及第二半导体区域，第二半导体部包含第三及第四半导体区域。第一半导体部包含设于第一、第二半导体区域间的第五半导体区域，第二半导体部包含设置在第三、第四半导体区域间的第六半导体区域。控制电极在第五、第六半导体区域之上延伸。半导体层包含设于第一分离槽的底面且将第五、第六半导体区域电连接的第七半导体区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118693039A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310857450.1
申请日：2023-07-13
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/64
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置及高频开关。半导体装置具备半导体基板、电路元件、第一布线层和元件保护构件。电路元件形成在半导体基板的上表面侧，且至少具有一个开关元件。第一布线层具有与电路元件电连接的多个第一布线，隔着第一层间绝缘膜设置在所述半导体基板的上方。元件保护构件在电路元件的周围沿着上表面延伸而构成，且由导电性的构件形成为不连续地包围电路元件的周围。第一布线层内的第一布线间的第一布线绝缘膜由相对介电常数为3.5以上的氧化绝缘膜构成。
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公开(公告)号：CN115084264A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110911159.9
申请日：2021-08-09
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 实施方式的高频晶体管具备第一绝缘膜、第一半导体层、控制电极以及第二绝缘膜。所述第一半导体层设置于第一绝缘膜上，在沿着第一绝缘膜的上表面的第一方向上延伸。第一半导体层具有与第一绝缘膜的上表面垂直的第二方向的第一层厚、和与第一方向正交的第三方向的第一宽度，第一宽度比第一层厚更宽。控制电极部分地设置于第一半导体层上，覆盖第一半导体层的上表面和侧面。第二绝缘膜设置于第一半导体层与控制电极之间。第一半导体层包含在第一方向上排列的、第一导电型的第一区域、第二导电型的第二区域和第二导电型的第三区域，第一区域设置于第二区域与第三区域之间。控制电极覆盖第一区域。
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公开(公告)号：CN105789305B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201510463261.1
申请日：2015-07-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L27/12
Abstract: 一种半导体装置。根据1个实施方式，半导体装置是切换高频信号的半导体装置，具备第1导电型的半导体层；设置于上述半导体层的第2导电型的第1层；设置于上述半导体层的第2导电型的第2层；设置于上述第1层上、上述第2层上以及上述半导体层上的栅极绝缘膜；以及设置于上述栅极绝缘膜上的栅极电极。上述栅极绝缘膜包括：第1栅极绝缘膜，在上述栅极电极的栅极宽度方向延伸；以及第2栅极绝缘膜，在上述第1栅极绝缘膜的两侧设置，并且至少一部分介于上述栅极电极与上述第1层以及上述第2层之间，且该第2栅极绝缘膜比上述第1栅极绝缘膜厚。
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公开(公告)号：CN105789305A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201510463261.1
申请日：2015-07-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/42368 , H01L29/0649 , H01L29/0684 , H01L29/42376 , H01L29/4983 , H01L29/6656 , H01L29/78 , H01L29/7833 , H03K17/063 , H01L27/1203 , H01L29/0615 , H01L29/42364
Abstract: 一种半导体装置。根据1个实施方式，半导体装置是切换高频信号的半导体装置，具备第1导电型的半导体层；设置于上述半导体层的第2导电型的第1层；设置于上述半导体层的第2导电型的第2层；设置于上述第1层上、上述第2层上以及上述半导体层上的栅极绝缘膜；以及设置于上述栅极绝缘膜上的栅极电极。上述栅极绝缘膜包括：第1栅极绝缘膜，在上述栅极电极的栅极宽度方向延伸；以及第2栅极绝缘膜，在上述第1栅极绝缘膜的两侧设置，并且至少一部分介于上述栅极电极与上述第1层以及上述第2层之间，且该第2栅极绝缘膜比上述第1栅极绝缘膜厚。
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公开(公告)号：CN106997901A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610750737.4
申请日：2016-08-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H03K17/687
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L29/0847 , H01L29/41733 , H01L29/41758 , H01L29/7843 , H01L29/7848 , H03K17/687
Abstract: 实施方式提供一种高频开关，能够减少高频信号的插入损失。实施方式的高频开关具备切换高频信号的路线的开关电路以及控制开关电路的控制电路。开关电路具有多个n型MOSFET。多个n型MOSFET具有源极层、漏极层、在源极层与漏极层之间设置的主体区域、在主体区域之上设置的栅极电极、以及设置为覆盖源极层、漏极层以及栅极电极并且具有拉伸内部应力的氮化硅膜。
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