公开(公告)号：CN117747662A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202310166889.X

申请日：2023-02-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 中村光利 ,  长冈正见 ,  西堀一弥 ,  增田敬太

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 实施方式提供提高高频特性的半导体装置。半导体装置具备绝缘层、半导体层和控制电极。半导体层包含：第一导电型的第一半导体区域，设置在绝缘层上；第一导电型的第二半导体区域，与第一半导体区域分离；以及第二导电型的第三半导体区域，设置在第一半导体区域与第二半导体区域之间。第一半导体区域至第三半导体区域在沿着绝缘层与半导体层的界面的第一方向上排列。控制电极隔着第一绝缘膜设置在半导体层上，通过第一绝缘膜与半导体层电绝缘，并包含沿第一方向排列的第一控制部至第三控制部。第一控制部设置在第二控制部与第三控制部之间，并通过第二绝缘膜而与第二控制部及第三控制部电绝缘。第三半导体区域位于绝缘层与第一控制部之间。

公开(公告)号：CN116799031A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202210943332.8

申请日：2022-08-08

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 中村光利 ,  长冈正见 ,  西堀一弥 ,  增田敬太

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置中，半导体层包含沿第一方向延伸的第一半导体部、沿第一方向延伸且与第一半导体部沿与第一方向交叉的第二方向排列的第二半导体部和设于第一、第二半导体部的第一分离槽。控制电极设于半导体层上，沿第二方向跨第一及第二半导体部延伸，部分地填埋第一分离槽，通过第一绝缘膜与半导体层电绝缘。第一半导体部包含第一及第二半导体区域，第二半导体部包含第三及第四半导体区域。第一半导体部包含设于第一、第二半导体区域间的第五半导体区域，第二半导体部包含设置在第三、第四半导体区域间的第六半导体区域。控制电极在第五、第六半导体区域之上延伸。半导体层包含设于第一分离槽的底面且将第五、第六半导体区域电连接的第七半导体区域。