公开(公告)号：CN106997901A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201610750737.4

申请日：2016-08-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西堀一弥 ,  增田敬太 ,  须贺彻 ,  中川贵博 ,  柴田和彦

IPC: H01L29/78 ,  H03K17/687

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848 ,  H03K17/687

Abstract: 实施方式提供一种高频开关，能够减少高频信号的插入损失。实施方式的高频开关具备切换高频信号的路线的开关电路以及控制开关电路的控制电路。开关电路具有多个n型MOSFET。多个n型MOSFET具有源极层、漏极层、在源极层与漏极层之间设置的主体区域、在主体区域之上设置的栅极电极、以及设置为覆盖源极层、漏极层以及栅极电极并且具有拉伸内部应力的氮化硅膜。