公开(公告)号：CN117713789A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202310053980.0

申请日：2023-02-03

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 中川贵博 ,  西堀一弥 ,  栗山保彦

IPC: H03K17/693 ,  H01L27/02

Abstract: 实施方式涉及半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置具有输入端及输出端和串联连接在输入端及输出端之间的多个晶体管。多个晶体管是具有在串联连接中使用的第1端及第2端的第1晶体管，以及具有在串联连接中使用的第3端及第4端、第1栅极及第1主体的第2晶体管，第2晶体管的第3端与第2端连接。半导体装置还具有串联连接于第1主体与第1端之间的第3晶体管及第1二极管。第3晶体管具有与第1栅极连接的第2栅极。第2晶体管包含并联连接的第1子晶体管及第2子晶体管。第3晶体管被第1子晶体管和第2子晶体管在第1方向上夹着而配置。

公开(公告)号：CN118693039A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202310857450.1

申请日：2023-07-13

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 西堀一弥 ,  增田敬太 ,  中川贵博 ,  今田明宽

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/64

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置及高频开关。半导体装置具备半导体基板、电路元件、第一布线层和元件保护构件。电路元件形成在半导体基板的上表面侧，且至少具有一个开关元件。第一布线层具有与电路元件电连接的多个第一布线，隔着第一层间绝缘膜设置在所述半导体基板的上方。元件保护构件在电路元件的周围沿着上表面延伸而构成，且由导电性的构件形成为不连续地包围电路元件的周围。第一布线层内的第一布线间的第一布线绝缘膜由相对介电常数为3.5以上的氧化绝缘膜构成。

公开(公告)号：CN105789305A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201510463261.1

申请日：2015-07-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西堀一弥 ,  中川贵博

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/42368 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7833 ,  H03K17/063 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/42364

Abstract: 一种半导体装置。根据1个实施方式，半导体装置是切换高频信号的半导体装置，具备第1导电型的半导体层；设置于上述半导体层的第2导电型的第1层；设置于上述半导体层的第2导电型的第2层；设置于上述第1层上、上述第2层上以及上述半导体层上的栅极绝缘膜；以及设置于上述栅极绝缘膜上的栅极电极。上述栅极绝缘膜包括：第1栅极绝缘膜，在上述栅极电极的栅极宽度方向延伸；以及第2栅极绝缘膜，在上述第1栅极绝缘膜的两侧设置，并且至少一部分介于上述栅极电极与上述第1层以及上述第2层之间，且该第2栅极绝缘膜比上述第1栅极绝缘膜厚。

公开(公告)号：CN105789305B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201510463261.1

申请日：2015-07-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西堀一弥 ,  中川贵博

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L27/12

Abstract: 一种半导体装置。根据1个实施方式，半导体装置是切换高频信号的半导体装置，具备第1导电型的半导体层；设置于上述半导体层的第2导电型的第1层；设置于上述半导体层的第2导电型的第2层；设置于上述第1层上、上述第2层上以及上述半导体层上的栅极绝缘膜；以及设置于上述栅极绝缘膜上的栅极电极。上述栅极绝缘膜包括：第1栅极绝缘膜，在上述栅极电极的栅极宽度方向延伸；以及第2栅极绝缘膜，在上述第1栅极绝缘膜的两侧设置，并且至少一部分介于上述栅极电极与上述第1层以及上述第2层之间，且该第2栅极绝缘膜比上述第1栅极绝缘膜厚。

公开(公告)号：CN106997901A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201610750737.4

申请日：2016-08-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西堀一弥 ,  增田敬太 ,  须贺彻 ,  中川贵博 ,  柴田和彦

IPC: H01L29/78 ,  H03K17/687

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848 ,  H03K17/687

Abstract: 实施方式提供一种高频开关，能够减少高频信号的插入损失。实施方式的高频开关具备切换高频信号的路线的开关电路以及控制开关电路的控制电路。开关电路具有多个n型MOSFET。多个n型MOSFET具有源极层、漏极层、在源极层与漏极层之间设置的主体区域、在主体区域之上设置的栅极电极、以及设置为覆盖源极层、漏极层以及栅极电极并且具有拉伸内部应力的氮化硅膜。