半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111725189B

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN201910536336.2

    申请日:2019-06-20

    Abstract: 一种半导体装置,具备:主基板;第1、第2基板;设置在第1基板上的具有第1~3平面部的第1~3电极部件;具有第1和第2电极的第1半导体元件;具有第3和第4电极的第2半导体元件;将第2电极与第2电极部件电连接的第1布线;将第4电极与第3电极部件电连接的第2布线;设置在第2基板上的具有第4~6平面部的第4~6电极部件;具有第5和第6电极的第3半导体元件;具有第7和第8电极的第4半导体元件;将第6电极与第5电极部件电连接的第3布线;将第8电极与第6电极部件电连接的第4布线;与第1、第4平面部、直流电源连接的第1端子板;与第2、第5平面部连接的第2端子板;与第3、第6平面部、直流电源连接的第3端子板。

    半导体装置
    2.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN119361561A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202410220119.3

    申请日:2024-02-28

    Inventor: 三宅英太郎

    Abstract: 一种半导体装置。实施方式提供能够实现绝缘电路基板中的电路图案的低电阻化以及低电感化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备绝缘电路基板、绝缘电路基板、设于绝缘电路基板与绝缘电路基板之间的半导体芯片以及基板间隔件。绝缘电路基板的导电板所含的导电图案具有以包围基板间隔件的方式配置的第一边、第二边、第三边以及第四边。第一边沿Y方向延伸,第二边与第一边连续地配置,且沿与Y方向正交的X方向延伸,第三边与第二边连续地配置,沿Y方向延伸,第四边与第三边连续地配置,相对于Y方向以及X方向倾斜地延伸。

    端子板以及半导体装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110911379B

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN201811539694.0

    申请日:2018-12-17

    Abstract: 本发明的实施方式提供电感较低的端子板以及半导体装置。实施方式的端子板具备:第一端子部、第二端子部、设于第一端子部以及第二端子部的斜上方的第一布线部、设于第一端子部与第一布线部之间并将第一端子部与第一布线部连接的第一连接部、设于第二端子部与第一布线部之间并将第二端子部与第一布线部连接的第二连接部、设于第一端子部以及第二端子部的斜上方的第二布线部、设于第一端子部与第二布线部之间并将第一端子部与第二布线部连接的第三连接部、设于第二端子部与第二布线部之间并将第二端子部与第二布线部的第四连接部、以及设于第二布线部的上方并连接于第二布线部且具有孔的第三端子部。

    半导体装置
    4.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117747567A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202310134235.9

    申请日:2023-02-20

    Abstract: 实施方式提供能够扩大芯片上的有源区的半导体装置。实施方式的半导体装置具备:芯片;以及栅极电极,与设置于所述芯片上的栅极电极焊盘连接,所述栅极电极包括:外部露出部,具有与密封树脂的外部露出面共面的外部露出面;以及栅极电极焊盘连接部,与所述外部露出部相连,与所述栅极电极焊盘连接。所述栅极电极焊盘连接部具有被夹在所述栅极电极焊盘与所述密封树脂的一部分之间的部分。

    端子板以及半导体装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110911379A

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201811539694.0

    申请日:2018-12-17

    Abstract: 本发明的实施方式提供电感较低的端子板以及半导体装置。实施方式的端子板具备:第一端子部、第二端子部、设于第一端子部以及第二端子部的斜上方的第一布线部、设于第一端子部与第一布线部之间并将第一端子部与第一布线部连接的第一连接部、设于第二端子部与第一布线部之间并将第二端子部与第一布线部连接的第二连接部、设于第一端子部以及第二端子部的斜上方的第二布线部、设于第一端子部与第二布线部之间并将第一端子部与第二布线部连接的第三连接部、设于第二端子部与第二布线部之间并将第二端子部与第二布线部的第四连接部、以及设于第二布线部的上方并连接于第二布线部且具有孔的第三端子部。

    半导体装置
    6.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN119361546A

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202410213241.8

    申请日:2024-02-27

    Inventor: 三宅英太郎

    Abstract: 实施方式提供提高散热性能的半导体装置。实施方式的半导体装置包含第一基板、第二基板、芯片、及隔件。第二基板与第一基板对置地设置。芯片设于第一基板上并且第一基板与第二基板之间。隔件设于芯片上,将芯片与第二基板连接。隔件的与第二基板相接的第二部分的面积大于与芯片相接的第一部分的面积。

    半导体装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111725189A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN201910536336.2

    申请日:2019-06-20

    Abstract: 一种半导体装置,具备:主基板;第1、第2基板;设置在第1基板上的具有第1~3平面部的第1~3电极部件;具有第1和第2电极的第1半导体元件;具有第3和第4电极的第2半导体元件;将第2电极与第2电极部件电连接的第1布线;将第4电极与第3电极部件电连接的第2布线;设置在第2基板上的具有第4~6平面部的第4~6电极部件;具有第5和第6电极的第3半导体元件;具有第7和第8电极的第4半导体元件;将第6电极与第5电极部件电连接的第3布线;将第8电极与第6电极部件电连接的第4布线;与第1、第4平面部、直流电源连接的第1端子板;与第2、第5平面部连接的第2端子板;与第3、第6平面部、直流电源连接的第3端子板。

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