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公开(公告)号：CN101499399B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200910126704.2
申请日：2009-01-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311 , H01L21/768
CPC classification number: H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091
Abstract: 本发明涉及衬底等离子体处理设备和等离子体处理方法。一种衬底等离子体处理设备，包括设置在腔内的衬底支撑电极和对向电极；向所述衬底支撑电极施加50MHz或更高的高频的高频产生装置；以叠加在所述高频上的方式施加DC负脉冲电压的DC负脉冲产生装置；以及控制器，所述控制器进行控制以引起所述高频的断续施加并根据所述高频的开或关的时序引起所述DC负脉冲电压的断续施加。
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公开(公告)号：CN100539000C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510127554.9
申请日：2005-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/20 , C23C16/50 , C23C14/34 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100)，包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场，配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间，由支撑部件(2)所支撑，使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中，配置接地的导电性作用面AS，以扩展等离子体，进行调制，使得与等离子体实质上直流地结合。
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公开(公告)号：CN101499399A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910126704.2
申请日：2009-01-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/311 , H01L21/768
CPC classification number: H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091
Abstract: 本发明涉及衬底等离子体处理设备和等离子体处理方法。一种衬底等离子体处理设备，包括设置在腔内的衬底支撑电极和对向电极；向所述衬底支撑电极施加50MHz或更高的高频的高频产生装置；以叠加在所述高频上的方式施加DC负脉冲电压的DC负脉冲产生装置；以及控制器，所述控制器进行控制以引起所述高频的断续施加并根据所述高频的开或关的时序引起所述DC负脉冲电压的断续施加。
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公开(公告)号：CN1783430A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510127554.9
申请日：2005-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/20 , C23C16/50 , C23C14/34 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置(100)，包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室(1)内的处理气体供给部(15)。在腔室(1)内、第一电极(2)和第二电极(18)相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生成区域(R1)中形成高频电场，配置将高频电力供给至第一或第二电极的高频电源(10)。高频电场使处理气体变成等离子体。被处理基板(W)在第一和第二电极之间，由支撑部件(2)所支撑，使其被处理面与第二电极(18)相对。在等离子体生成区域(R1)周围的周围区域(R2)中，配置接地的导电性作用面AS，以扩展等离子体，进行调制，使得与等离子体实质上直流地结合。
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公开(公告)号：CN109411322A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810939779.1
申请日：2018-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用该等离子体处理装置的等离子体处理中，供给高频以使腔室内的气体激励而生成等离子体。另外，来自直流电源的负极性的直流电压被周期性地施加至下部电极，以将来自等离子体的离子引入到工作台上的基片。在各个周期内直流电压被施加至下部电极的期间所占的比率被设定为40％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103943489A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410028242.1
申请日：2014-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32165 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01L21/3081 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供一种对在第1氧化膜与第2氧化膜之间设有有机膜的多层膜进行蚀刻的多层膜的蚀刻方法。在该方法中，对有机膜进行蚀刻的工序（b）中的等离子体生成用的高频电力大于对第1氧化膜进行蚀刻的工序（a）和对第2氧化膜进行蚀刻的工序（c）中的高频电力。工序（a）和工序（c）中的吸引离子用的高频偏压电力大于工序（b）中的高频偏压电力。另外，在工序（a）、工序（b）以及工序（c）中，形成具有这样的强度分布的磁场：沿着相对于被处理体的中心轴线而言的放射方向的水平磁场成分在离开中心轴线的位置处具有峰值；工序（b）中的水平磁场成分的峰值位置比工序（a）和工序（c）中的水平磁场成分的峰值位置靠近中心轴线。
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公开(公告)号：CN1596462A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN02823839.7
申请日：2002-11-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J2237/2001 , H01L21/67069
Abstract: 提供了一种防止传热气体的放电，且可高精度进行被处理体的温度控制的处理装置。在向相对设置在密封处理容器(102)内的一对电极中的下部电极110施加高频功率，并将导入到电极间的处理气体等离子体化后，对被处理体表面进行规定处理的等离子体蚀刻装置(100)中，该等离子体装置由传热气体供给管(162)和传热气体供给管用阻挡件(164)构成，传热气体供给管(162)和传热气体供给管用阻挡件(164)使将被处理体控制为规定温度用的传热气体供给吸附保持被处理体的静电卡盘(112)和被处理体间的微小空间S内的传热气体供给部(120)相对由供给电极的高频功率所产生的电场方向倾斜。
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公开(公告)号：CN1437764A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN01811344.3
申请日：2001-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/6835 , C23C16/4585 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L24/90 , H01L2924/01004 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082
Abstract: 本发明的被处理体的保持装置具有：基座本体，第一电介质膜和第二电介质膜。该基座本体为凸台形状，由放置在等离子体处理装置内并保持所放置的被处理体的保持部，和设置在用于嵌入聚焦环的保持部的外周边缘上的凸缘构成。该第一电介质膜利用库仑力将放在上述保持部上的被处理体吸附在基座本体上。该第二电介质膜利用约翰逊－拉贝克力，借助比上述第一电介质膜强的吸附力，将放置在上述凸缘上的上述聚焦环吸附在基座本体上。本装置增大了聚焦环在基座本体上的静电吸附力，提高了冷却效果，并且在聚焦环附近的等离子体处理特性不会随时间改变，可以均匀地处理整个被处理体。
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公开(公告)号：CN111146061B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201911058656.8
申请日：2019-11-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/248 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。在一个例示的实施方式的等离子体处理装置中，基片支承台设置于腔室内。基片支承台的下部电极与电源单元连接。在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，电源单元将第一直流电压施加到下部电极。第一直流电压为正极性的直流电压。电源单元为了对载置于基片支承台上的基片进行蚀刻，在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，将第二直流电压施加到下部电极。第二直流电压为负极性的直流电压。电源单元输出的直流电压从第一直流电压被连续地切换为第二直流电压。本发明能够使基片的正电荷量减少并且使蚀刻速率提高。
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公开(公告)号：CN113451101B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202110659565.0
申请日：2018-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用该等离子体处理装置的等离子体处理中，供给高频以使腔室内的气体激励而生成等离子体。另外，来自直流电源的负极性的直流电压被周期性地施加至下部电极，以将来自等离子体的离子引入到工作台上的基片。在各个周期内直流电压被施加至下部电极的期间所占的比率被设定为40％以下。
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