公开(公告)号：CN101232068A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810008868.0

申请日：2008-01-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 橘浩一 ,  名古肇 ,  斎藤真司 ,  布上真也 ,  波多腰玄一

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16

Abstract: 一种半导体发光元件，包括：由III－V族半导体形成的{0001}n型半导体衬底，其相对于 方向的倾斜角在0°到45°的范围内，其相对于 方向的倾斜角在0°到10°的范围内；在所述n型半导体衬底上由III－V族半导体形成的n型层；在所述n型层之上由III－V族半导体形成的n型引导层；在所述n型引导层之上由III－V族半导体形成的有源层；在所述有源层之上由III－V族半导体形成的p型第一引导层；在所述p型第一引导层之上由III－V族半导体形成的p型接触层；以及在所述p型第一引导层和所述p型接触层之间由III－V族半导体形成的凹凸层。所述凹凸层在其顶面上具有交替且规则设置的凹部和凸部，并具有比所述p型接触层低的p型杂质浓度。

公开(公告)号：CN104282810A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410309048.0

申请日：2014-07-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 胜野弘 ,  斎藤真司 ,  桥本玲 ,  黄钟日 ,  布上真也

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L25/0756 ,  H01L33/22 ,  H01L33/405 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体发光元件。根据一个实施例，一种半导体发光元件包括第一电极、第一和第二发光单元、第一和第二导电层、第一连接电极、第一电介质层、第一和第二衬垫、以及第一发光单元间电介质层。第一发光单元包括第一和第二半导体层以及第一发光层。第一半导体层包括第一半导体部分和第二半导体部分。第二发光单元包括第三半导体层、第四半导体层以及第二发光层。第四半导体层电连接到第一电极。第一导电层电连接到第三半导体层。第二导电层电连接到第二半导体层。第一连接电极电连接第一导电层和第一半导体部分。

公开(公告)号：CN101232068B

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200810008868.0

申请日：2008-01-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 橘浩一 ,  名古肇 ,  斎藤真司 ,  布上真也 ,  波多腰玄一

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16

Abstract: 一种半导体发光元件，包括：由III-V族半导体形成的{0001}n型半导体衬底，其相对于(1-100)方向的倾斜角在0°到45°的范围内，其相对于(11-20)方向的倾斜角在0°到10°的范围内；在所述n型半导体衬底上由III-V族半导体形成的n型层；在所述n型层之上由III-V族半导体形成的n型引导层；在所述n型引导层之上由III-V族半导体形成的有源层；在所述有源层之上由III-V族半导体形成的p型第一引导层；在所述p型第一引导层之上由III-V族半导体形成的p型接触层；以及在所述p型第一引导层和所述p型接触层之间由III-V族半导体形成的凹凸层。所述凹凸层在其顶面上具有交替且规则设置的凹部和凸部，并具有比所述p型接触层低的p型杂质浓度。